Реферат до декл пат України на винахід №54007ААвтори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р.В.; доцент , канд.фіз.-мат. наук Матюшин В.М.МПК H01L21/00, H01L21/22СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРВинахід, що заявляється, відноситься до галузі напівпровідникової електроніки, зокрема до виготовлення напівпровідникових приладів. В основу винаходу поставлено завдання удосконалення способу виготовлення напівпровідникових структур шляхом поліпшення електрофізичних параметрів одержуваних напівпровідникових структур за рахунок зниження температури процесу дифузійного легування і зменшення дефектності структури легованих шарів напівпровідникових пластин. Поставлене завдання досягається тим, що в способі виготовлення напівпровідникових структур, що заявляється, після нанесення плівок дифузанта на монокристалеві напівпровідникові пластини твердофазне дифузійне легування проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-570С