Министерство образования Российской ФедерацииУТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Российской Федерации __________________ В.Д.Шадриков “10” марта 2000 г. Регистрационный номер 22 тех/маг Государственный образовательный СтандартВысшего профессионального образования Направление 550700 ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКАСтепень (квалификация) – магистр техники и технологииВводится с момента утвержденияМосква, 2000 г.^ 1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НАПРАВЛЕНИЯ “ ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”1.1. Направление утверждено приказом Министра образования Российской Федерации N 686 от 02.03.2000 г.1.2. Степень (квалификация) выпускника - магистр техники и технологий. Нормативный срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению “Электроника и микроэлектроника” при очной форме обучения 6 лет. Основная образовательная программа подготовки магистра состоит из программы подготовки бакалавра по соответствующему направлению (4 года) и специализированной подготовки магистра (2 года).1.3. Квалификационная характеристика выпускника Магистр по направлению подготовки “Электроника и микроэлектроника” в соответствии с требованиями “Квалификационного справочника должностей руководителей специалистов и других служащих”, утвержденного Постановлением Минтруда России от 21.08.98, № 37, может занимать следующие должности; инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-конструктор, инженер-лаборант, младший научный сотрудник, ассистент и прочие.1.3.1. Область профессиональной деятельности Область профессиональной деятельности выпускника включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на исследование, моделирование, разработку, производство и эксплуатацию материалов, компонентов, приборов и устройств различного назначения вакуумной, плазменно, твердотельной, микро- и наноэлектроники.1.3.2. Объекты профессиональной деятельности Объектами профессиональной деятельности выпускника в зависимости от содержания образовательной программы подготовки (магистерской специализации) являются материалы, структуры, элементы, компоненты, приборы и устройства электронной техники, технологические процессы их изготовления, методы исследования, проектирование и конструирование, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели процессов и объектов электроники и микроэлектроники, алгоритмы решения типовых задач, относящихся к профессиональной сфере.1.3.3. Виды профессиональной деятельности Магистр подготовлен к деятельности, требующей углубленной фундаментальной и профессиональной подготовки, в том числе к научно-исследовательской работе; при условиии освоения соответствующей образовательно-профессиональной программы педагогического профиля - к педагогической деятельности.1.3.4. Обобщенные задачи профессиональной деятельности Магистр по направлению подготовки "Электроника и микроэлектроника должен быть подготовлен к решению следующих типовых задач: анализ состояния научно-технической проблемы, формулирование технического задания, постановка цели и задач исследования объекта на основе подбора и изучения литературных и патентных источников; анализ, систематизация и обобщение научно-технической информации по теме исследований; библиографический поиск с использованием современных информационных технологий; выбор оптимального метода и программы исследований, модификация существующих и разработка новых методик, исходя из задач конкретного исследования; измерение или экспериментальное исследование объектов электроники с целью их модернизации или создания новых материалов, компонентов, приборов или их технологий; математическое моделирование разрабатываемых структур, приборов или технологических процессов с целью оптимизации их параметров; использование типовых и разработка новых программных продуктов, ориентированных на решение научных, проектных и технологических задач электроники; организация модельных и натурных экспериментов по оптимизации структуры и конструкции исследуемых приборов и устройств, оценка их качества и надежности на стадиях проектирования и эксплуатации; анализ научной и практической значимости проводимых исследований, а также оценка технико-экономической эффективности разработки; подготовка результатов исследований для опубликования в научной печати, а также составление обзоров, рефератов, отчетов и докладов; 1.3.5. Квалификационные требования Для решения профессиональных задач магистр формулирует и решает задачи, возникающие в ходе научно-исследовательской и педагогической деятельности, и требующие углубленных профессиональных знаний; осуществляет сбор, обработку, анализ и систематизацию научно-технической информации по теме исследований; изучает специальную литературу и другую научно-техническую информацию, достижения отечественной и зарубежной науки и техники в своей профессиональной сфере; выбирает необходимые методы исследования, модифицирует существующие и разрабатывает новые методы, исходя из задач конкретного исследования; проводит экспериментальные исследования объектов электроники с целью их модернизации или создания новых материалов, приборов или их технолгий; разрабатывает физические и математические модели процессов и явлений, относящихся к исследуемому объекту; участвует в проектировании, конструировании и модернизации объектов электронной техники; составляет описания проводимых исследований, обрабатывает и анализирует полученные результаты, представляет итоги проделанной работы в виде отчетов, обзоров , докладов, рефератов и статей; принимает участие в составлении патентных и лицензионных паспортов заявок на изобретения; участвует во внедрении разработанных технических решений и проектов, в оказании технической помощи и осуществления авторского надзора при изготовлении, испытаниях и сдаче в эксплуатацию проектируемых изделий и объектов электронной техники; подготавливает рецензии, отзывы и заключения на научно-технические разработки и техническую документацию;Магистр должен знать: постановления, распоряжения, приказы, методические и нормативные материалы по своей профессиональной деятельности; специальную научно-техническую и патентную литературу по тематике исследований и разработок; информационные технологии в научных исследованиях и программные продукты, относящиеся к профессиональной сфере; методы исследования и проведение экспериментальных работ; методы анализа и обработки экспериментальных данных; физические и математические модели основных процессов и явлений, относящихся к исследуемым объектам; современные средства вычислительной техники, коммуникации и связи; технические характеристики и экономические показатели отечественных и зарубежных разработок в области электронного материаловедения, элементной базы электронной техники и электронного приборостроения; порядок и методы проведения патентных исследований методики оценки технико-экономической эффективности научных и технических разработок; основы экономики, организации труда и управления коллективом; основы трудового законодательства действующие стандарты и технические условия, положения и инструкции по эксплуатации исследовательского оборудования, программам испытаний, оформлению технической документации; формы организации образовательной и научной деятельности в высших учебных заведениях.1.4. Возможности продолжения образования. Магистр подготовлен к обучению в аспирантуре преимущественно по научным специальностям: 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах; 05.27.02 Вакууммная и плазменная электроника; 05.27.03 Квантовая электроника; 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники; 01.04.02 Теоретическая физика; 01.04.03 Радиофизика; 01.04.04 Физическая электроника; 01.04.07 Физика конденсированного состояния; 01.04.10 Физика полупроводников 01.04.21 Лазерная физика.1.5. Перечень аннотированных магистерских программ (проблемное поле направления подготовки):^ 550701 ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Электронная и ионная эмиссия. Движение заряженных частиц в статических электрическом и магнитном полях в условиях вакуума и разреженного газа. Формирование потоков заряженных частиц и управление ими. Ускорение заряженных частиц. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом. Физика вакуума. Физика плазмы. Низкотемпературная плазма. Электронно-лучевая и ионно-плазменная технология. Вакуумные и плазменные приборы и устройства. Моделирование процессов в приборах и устройствах вакуумной и плазменной электроники, методы их расчета и проектирования.^ 550702 МИКРОВОЛНОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Электромагнитные поля в волноведущих и колебательных структурах микроволнового и оптического диапазонов. Микроволновые цепи. Потоки заряженных частиц в вакууме, плазме и твердом теле. Взаимодействие потоков заряженных частиц с электромагнитным полем. Микро- и наноструктуры в микроволновой электронике. Релятивистская микроволновая электроника. Микроволновые вакуумные, плазменные и твердотельные приборы. Динамические процессы в микроволновых приборах и устройствах. Взаимодействие микроволнового излучения с веществом. Оптические методы обработки и передачи информации. Микроволновые и оптические телекоммуникационные и технологические системы.^ 550703 ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Классификация интегральных микросхем (ИМС) по элементной базе, технологии изготовления и схемотопологическим решениям. Активные и пассивные элементы ИМС. ИМС на основе элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Инжекционные интегральные логические схемы. ИМС на основе структур металл-окид-полупроводник (МОП). Комплементарные ИМС. ИМС на основе арсенид-галлиевых транзисторов Шоттки. Технологические схемы производства и ограничения на топологию схем на биполярных транзисторах и транзисторных структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Тенденции совершенствования ИМС и переход на субмикронные размеры. Схемотехника аналоговых ИМС. Особенности схемотехники гибридных интегральных схем (ИС).^ 550704 МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Современная микроэлектроника: достижения и прогнозы. Технологические ограничения минимальных размеров элементов ИМС. Ограничения, связанные с процессами легирования полупроводников. Физические ограничения топологических размеров, степени и плотности интеграции, быстродействия и параметров элементов ИМС. Особенности процессов электропереноса в квантово- размерных приборах. Баллистические приборы. Приборы на резонансном туннелировании. Функциональная электроника как один из путей дальнейшего развития микроэлектроники. Интеграция физических явлений, принципов, функция и материалов с целью перехода от цифровой последовательной обработки информации к аналоговой в реальном масштабе времени. Акустоэлектроника. Магнитоэлектроника. Молекулярная электроника. Проблемы создания элементной базы, материаловедение и схемотехника. Хранение и передача информации на молекулярном уровне. Принципы функционирования и архитектура молекулярных схем. Молекулярная электроника, как направление функциональной электроники.^ 550705 КВАНТОВАЯ И ОПТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Взаимодействие электромагнитного излучения с квантовыми системами. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Свойства, распространение и преобразование лазерных пучков. Оптические явления в твердых телах. Оптические и фотоэлектрические явления в неоднородных структурах и на границах раздела. Нелинейные оптические эффекты. Приборы квантовой и оптической электроники. Мазеры. Газовые лазеры. Твердотельные и жидкостные лазеры. Полупроводниковые лазеры и светодиоды. Приборы управления оптическим излучением. Фотоприемники. Оптроны и оптические датчики. Волоконно-оптические элементы и устройства. Полупроводниковая оптоэлектроника. Интегральная оптика. Оптические методы передачи и обработки информации. Голография. Применение приборов и устройств оптической и квантовой электроники.^ 550706 ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Физические процессы, лежащие в основе функционирования электронных устройств и современных технологий их изготовления. Физика эмиссии частиц и излучения, их транспортировка в различных полях и взаимодействие со средой. Активные среды вакуумной, плазменной и твердотельной электроники. Физика формирования материалов и изделий с заданными свойствами и управления ими на атомном уровне.^ 550707 МАТЕРИАЛЫ И КОМПОНЕНТЫ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Процессы получения и модификации кристаллических и некристаллических объемных и пленочных материалов твердотельной электроники. Моделирование процессов получения материалов и гетерокомпозиций. Физико-химические основы технологии полупроводниковых, диэлектрических, металлических, магнитных материалов и структур на их основе. Физические явления и процессы в компонентах, приборах и устройствах электронной аппаратуры. Диагностика материалов, элементов и компонентов твердотельной электроники. Применение материалов и компонентов для создания электронных устройств.^ 550708 ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ Элементы теоретической физики. Симметрия и свойства кристаллов. Динамика решетки. Электронные состояния. Зонная структура идеальных кристаллов. Примеси и дефекты. Твердые растворы и неупорядоченные системы. Явления переноса. Коллективные возбуждения и квазичастицы в кристаллах. Физика поверхности и контактные явления в полупроводниках. Гетероструктуры. Эффектыразмерного квантования. Системы низкой размерности. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физико-химические основы технологии. Полупроводниковые материалы и структуры. Диэлектрики. Металлы. Магнитные материалы. Диагностика и контрол свойств материалов и структур. Применение полупроводников и диэлектриков.^ 550709 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Полупроводниковые диоды с p-n-переходом: выпрямительные, высокочастотные, импульсные, стабилитроны, p-i-n-диоды, варикапы, варакторы. Туннельные диоды. Обращенные диоды. Системы параметров. Биполярные транзисторы. Системы параметров, характеристики. Предельные режимы. Конструкции. Особенности силовых высоковольтных транзисторов. МДП-транзисторы. Параметры и характеристики. Конструктивно-технологические варианты. Специфика мощных МДП-транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и барьером Шоттки. Транзисторы со статической индукцией. Системы параметров. Предельные режимы. Тиристоры и семисторы. Запираемые тиристоры. Комбинированно-выключаемые тиристоры. Новые интегрированные силовые полупроводниковые приборы энергетической электроники. Фотодиоды, фоторезисторы. Светодиоды. Полупроводниковые инжекционные лазеры. Полупроводниковые датчики температуры, давления, скорости, магнитного поля и других физических параметров.^ 550710 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СТРУКТУРЫ Полупроводниковые монокристаллы, аморфные и композиционные материалы. Эпитаксиальные гетероструктуры. Композиционные сверхрешетки, квантовые ямы, нити и точки. Материаловедение приборных структур. Фазовые равновесия, фазовые и структурные превращения. Поведение примесей. Природа примесной неоднородности. Закономерности дефектообразования. Точечные дефекты и их влияние на физические свойства материалов. Напряжения и дислокации. Методы формирования полупроводниковых структур. Математические модели технологических процессов. Методы исследования физических свойств и структурных особенностей полупроводниковых материалов. Диагностика гетероструктур и квантово-размерных объектов.^ 550711 ПРОЦЕССЫ МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИИ Механическая обработка пластин. Диффузионная технология формирования p-n-переходов. Термическое окисление. Маскирующие свойства оксида и нитрида кремния. Легирование ионным внедрением. Фотолитография. Электронная литография, рентгенолитография. Применение сканирующего туннельного микроскопа для литографии. Получение пленок методом термического испарения в вакууме. Получение эпитаксиальных пленок из расплава, методами молекулярно- лучевой эпитаксии и осаждением из паровой фазы металло-органических соединений. Получение слоев методами пиролиза и плазмохимии. Химическая обработка полупроводниковых материалов. Электрохимические методы осаждения слоев металлов. Анодные окисные пленки. Создание контактов с высокой электропроводностью. Технология тонкопленочных резисторов. Методы изоляции элементов ИМС. Конденсаторы ИМС. Методы импульсной термообработки.^ 550712 ДИАГНОСТИКА МАТЕРИАЛОВ, СТРУКТУР И ПРИБОРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Методы исследования состава твердых тел. Рентгеноспектральны микроанализ. Электронная Оже-спектроскопия. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Рентгенофлюоресцентный анализ. Спектроскопия рассеяния ионов высоких и низких энергий. Активационные методы анализа. Вторично-ионная масс-спектрометрия. Лазерная масс-спектрометрия. Методы исследования структуры твердых тел. Рентгеновская дифрактометрия. Дифракция быстрых и медленных электронов. Методы исследования морфологии и измерение геометрических размеров. Растровая и просвечивающая электроннаямикроскопия. Туннельная и атомно-силовая микроскопия. Эллипсометрия. Методы исследования оптических и электрофизических параметров, материалов и структур. Фотопроводимость. Оптическо поглощение. Люминесценция. Фотоотражение. Электроотражение. Вольт-фарадные методы. Методы измерения основных параметров МДП-структур, барьеров Шоттки, p-n-переходов, гетероструктур, структур с пониженной размерностью и приборов на их основе.^ 550713 ФИЗИКА, ХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ И МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ Термодинамика поверхности. Уравнения и характеристики межфазных слоев. Процессы на поверхности и в приповерхностных слоях: адсорбция и десорбция, поверхностная сегрегация, поверхностная миграция, смачивание и растекание, капиллярные явления. Поверхностная активность и поверхностно-активные вещества. Адгезия. Теория поверхностных явлений. Модели межфазных границ. Методы получения и консервации атомарно чистых поверхностей. Реконструкция и релаксация поверхностей. Атомная и электронная структуры. Зародышеобразование и формирование тонкопленочных структур. Методы экспериментального исследования поверхности и границ раздела. Поверхность и проблемы технологии интегральных микросхем.^ 550714 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА Моделирование процессов в электронных приборах и устройствах. Проектирование, технология производства, метрология и эксплуатация электронных приборов и устройств, включая приборы микроволнового и оптического диапазонов, а также приборы высокого уровня мощности. Разработка и эксплуатация электронных приборов, устройств и систем для медицины, экологии и бытового назначения. Технологические устройства и установки для электроники и микроэлектроники. Неразрушающий контроль качества изделий электронной техники.^ 550715 ТЕХНОЛОГИЯ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Основы планарной технологии изготовления ИМС. Проектирование технологических маршрутов. Особенности технологии больших и сверхбольших интегральных микросхем. Математическое моделирование технологических процессов полупроводниковых приборов и элементов ИМС. Функциональное, логическое, схемотехническое, топологическое проектирование и конструирование ИМС с использованием ЭВМ. Конструкции, системы параметров, эквивалентные схемы, уравнения моделей, методы расчета элементов ИМС. Особенности проектирования специализированных ИМС. Автоматизированный выпуск конструкторской документации.^ 550716 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА СБОРА, ОБРАБОТКИ И ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ Физические основы и технология изготовления электронных датчиков для промышленности, мониторинга окружающей Среды, биомедицины и т.д. Электронные и микропроцессорные устройства обработки первичной информации. Сигнальные процессоры и специализированные микроконтроллеры для сбора, обработки и передачи информации. Электронные приборы и устройства для хранения информации. Теория, конструирование и технология индикаторных приборов и устройств. Технические средства систем отображения информации. Способы и устройства ввода и редактирования данных. Принципы построения разветвленных систем сбора, обработки и отображения информации.Научно-исследовательская составляющая каждой из аннотированных магистерских программ по решению Ученого совета вуза реализуется через авторские магистерские программы (магистерские специализации), отражающие существующие в данном вузе научно-педагогические школы по конкретным разделам соответствующих наук.^ 2. ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ПОДГОТОВКИ, НЕОБХОДИМОЙДЛЯ ОСВОЕНИЯ ПРОГРАММЫ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЙ ПОДГОТОВКИ МАГИСТРА, И УСЛОВИЯ КОНКУРСНОГО ОТБОРА2.1.Лица, желающие освоить программу специализированной подготовки магистра должны иметь высшее профессиональное образование, подтвержденное документом государственного образца определенной ступени.2.2. Лица, имеющие диплом бакалавра по направлениям: 550700 Электроника и микроэлектроника; 553100 Техническая физика зачисляются на специализированную магистерскую подготовку на конкурсной основе. Условия конкурсного отбора определяются вузом на основе государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования бакалавра по данному направлению.2.3.Лица, желающие освоить программу специализированной подготовки магистра по данному направлению и имеющие высшее профессиональное образование, профиль которого не указан в п. 2.2, допускаются к конкурсу по результатам сдачи экзаменов по дисциплинам, необходимым для освоения программы подготовки магистра и предусмотренным государственным образовательным стандартом подготовки бакалавра по данному направлению.^ 3. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ К ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙПРОГРАММЕ МАГИСТРА ПО НАПРАВЛЕНИЮ “ ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”3.1. Основная образовательная программа подготовки магистра разрабатывается на основании настоящего государственного образовательного стандарта и включает в себя учебный план, программы учебных дисциплин, программы учебных и производственных (научно-исследовательской и педагогической) практик и программы научно-исследовательской работы.3.2. Требования к обязательному минимуму содержания основной образовательной программы подготовки магистра, к условиям ее реализации и сроком ее освоения определяются настоящим государственным образовательным стандартом. По направлению разрабатывается, как правило, несколько магистерских программ.3.3. Основная образовательная программа подготовки магистра (далее - образовательная программа) состоит из основной образовательной программы бакалавра и программы специализированной подготовки, которая, в свою очередь, формируется из дисциплин федерального компонента, дисциплин национально-регионального (вузовского) компонента, дисциплин по выбору студента и научно-исследовательской работы. Дисциплины и курсы по выбору студента в каждом цикле содержательно должны дополнять дисциплины, указанные в федеральном компоненте цикла.3.4. Основная образовательная программа подготовки магистра должна иметь следующую структуру: в соответствии с программой подготовки бакалавра: цикл ГСЭ – Общих гуманитарных и социально-экономических дисциплин; цикл ЕН – Общих математических и естественнонаучных дисциплин; цикл ОПД – Общепрофессиональных дисциплин направления; цикл ФТД – Факультативных дисциплин; цикл СД – Специальных дисциплин; ИГА – Итоговая государственная аттестация бакалавра; в соответствии с программой специализированной подготовки: цикл ДНМ – Дисциплин направления специализированной подготовки; цикл СДМ __ Специальных дисциплин магистерской подготовки; НИРМ – Научная (научно-исследовательская и (или) педагогическая) работа магистра; ИГАМ – Итоговая государственная аттестация магистра3.5. Содержание национально-регионального компонента основной образовательной программы подготовки магистра должно обеспечивать подготовку выпускника в соответствии с квалификационной характеристикой, установленной настоящим государственным образовательным стандартом^ 4. ТРЕБОВАНИЯ К ОБЯЗАТЕЛЬНОМУ МИНИМУМУ СОДЕРЖАНИЯ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ МАГИСТРА ПО НАПРАВЛЕНИЮ “ ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА” Индекс Наименования дисциплин и их основные разделы Всего часов 1 2 3 Требования к обязательному минимуму содержания основной образовательной программы подготовки бакалавра по данному направлению определены в Государственном образовательном стандарте высшего профессионального образования подготовки бакалавра по направлению 550700 Электроника и микроэлектроника. Итого часов подготовки бакалавра: 7344 ^ Требования к обязательному минимуму содержания специализированной подготовки ДНМ.00ДНМ.01ДНМ.02ДНМ.03ДНМ.04 ДНМ.05и т.д. ^ Дисциплины направленияФедеральный компонент Современные проблемы электроники: молекулярно-лучевая эпитаксия, электронно- и ионно- лучевые технологии; проблемы поверхностей и межфазных границ; высокотемпературная полупроводниковая электроника; высокотемпературная сверхпроводимость; полупроводниковые приборы, использующие эффект размерного квантования; инжекционные гетеролазеры; микроволновые и оптоэлектронные системы телекоммуникаций; проблемы современной электроники больших мощностей; микроволновые технологические и энергетические системы. История и методология науки и техники: история развития механики, оптики, термодинамики, электродинамики, релятивистской и квантовой физики; современная физика микромира; космогония и космология; история развития информатики как синтеза логики, математики, электроники, вычислительной техники и телекоммуникационных систем; гуманитарные и социально-экономические аспекты развития современной науки и техники: научные открытия, последствия и ответственность. Компьютерные технологии в науке и образовании: локальные компьютерные сети, технологии и организация доступа; глобальные компьютерные сети, принципы построения и организация ресурсов и служб; протоколы коммуникаций; электронная почта и ее компоненты; поиск научно-технической информации в Интернет, информационные ресурсы; гипертекст и гиперссылки; язык HTML; гипермедиа, аудио, видео; распределенные базы данных; технология клиент-сервер; интеграция ресурсов Интернет с распределенными базами данных; дистанционное обучение, технологии и средства; видеоконференции. ^ Национально-региональный (вузовский) компонент Дисциплины, устанавливаемые вузом (факультетом) Дисциплины по выбору студента 1134 350 100100150784 524260 СДМ.00ДВМ Специальные дисциплины Состав и содержание специальных дисциплин определяется требованиями специализации магистра при реализации конкретной магистерской программы Дисциплины по выбору студента 900300 НИРМ.00 НИРМ.01НИРМ.02 Научно-исследовательская работа Научно-исследовательская работа в семестре Подготовка магистерской диссертации 1854 7741080 Итого часов специализированной подготовки магистра: Всего: 3888 11232 ^ 5. СРОК ОСВОЕНИЯ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ МАГИСТРА ПО НАПРАВЛЕНИЮ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”5.1. Срок основной образовательной программы подготовки магистра при очной форме обучения - 312 недель в том числе: образовательная программа подготовки бакалавра - 208 недель; специализированная программа подготовки магистра - 104 недели, из них: теоретическое обучение, включая научно- исследовательскую работу студентов, практикумы, в том числе лабораторные работы, подготовку выпускной квалифицированной работы - 72 недели; экзаменационные сессии - не менее 2 недель;практики, - не менее 10 недель; в том числе: научно-исследовательская практика - не менее 6 недель; педагогическая практика - не менее 4 недель.Итоговая государственная аттестация, включая защиту выпускной квалификационной работы - не менее 2 недель.Каникулы (включая 8 недель последипломного отпуска) - не менее 17 недель.5.2. Срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по очно-заочной (вечерней) форме обучения увеличивается на полтора года относительно нормативного срока, установленного п.1.2 настоящего государственного образовательного стандарта, в том числе по программе бакалавра – на один год.5.3. Максимальный объем учебной нагрузки студента устанавливается 54 часа в неделю, включая все виды его аудиторной и внеаудиторной (самостоятельной) работы.5.4. Объем аудиторных занятий студента при очной форме обучения не должен превышать в среднем за период теоретического обучения по основной образовательной программе подготовки бакалавра 27 часов в неделю, за период специализированной подготовки магистра – 14 часов в неделю. При этом в указанный объем не входят обязательные практические занятия по физической культуре и занятия по факультативным дисциплинам.5.5. При очно-заочной (вечерней) форме обучения объем аудиторных занятий должен быть не менее 10 часов в неделю.5.6. При заочной форме обучения, если указанная форма освоения основной образовательной программы не запрещена соответствующим Постановлением Правительства Российской Федерации, студенту должна быть обеспечена возможность занятий с преподавателем не менее 160 часов в год.5.7. Общий объем каникулярного времени в учебном году должен составлять 7-10 недель, в том числе не менее двух недель в зимний период.^ 6. ТРЕБОВАНИЯ К РАЗРАБОТКЕ И УСЛОВИЯМ РЕАЛИЗАЦИИОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ МАГИСТРА ПО НАПРАВЛЕНИЮ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”^ 6.1. Требования к разработке основной образовательной программы подготовки магистра6.1.1. Высшее учебное заведение самостоятельно разрабатывает и утверждает основную образовательную программу подготовки магистра, реализуемую вузом на основе настоящего государственного образовательного стандарта магистра. Дисциплины по “выбору” являются обязательными, а факультативные дисциплины, предусматриваемые учебным планом высшего учебного заведения, не являются обязательными для изучения студентом. Курсовые работы (проекты) рассматриваются как вид учебной работы по дисциплине и выполняются в пределах часов, отводимых на ее изучение. По всем дисциплинам федерального компонента и практикам, включенным в учебный план высшего учебного заведения, должна выставляться итоговая оценка (отлично, хорошо, удовлетворительно). В период действия данного документа Перечень магистерских программ может быть изменен и дополнен в установленном порядке.6.1.2. При реализации основной образовательной программы высшее учебное заведение имеет право: изменить объем часов, отводимых на освоение учебного материала для циклов дисциплин – в пределах 5%, для дисциплин, входящих в цикл - в пределах 10% при условии выполнения требований к содержанию, указанных в настоящем стандарте; предоставлять студентам-магистрантам возможность для занятий физической культурой в объеме 2-4 часа в неделю; осуществлять преподавание дисциплин в форме авторских курсов по программам, составленным на основе результатов исследований научных школ вуза, учитывающих региональную и профессиональную специфику при условии реализации содержания дисциплин, определяемых настоящим документом.^ 6.2. Требования к условиям реализации основной образовательной программы магистра, включая ее научно-исследовательскую часть6.2.1. Общие требованияОбучение в магистратуре осуществляется в соответствии с индивидуальным планом работы студента-магистранта, разработанным с участием научного руководителя магистранта и научного руководителя магистерской программы с учетом пожеланий магистранта. Индивидуальный учебный план магистранта утверждается деканом факультета. В вузе