Содержание
Введение
1.Техническое задание
1.1Назначение и область применения
1.2Технические характеристики
1.3Характеристика надежности
1.4Условия эксплуатации
2.Обзор литературных источников
3.Анализ структурной схемы
4.Анализ схемы электрической принципиальной
5.Выбор элементной базы
5.1Конденсаторы
5.2Микросхема
5.3Резисторы
5.4Диоды
5.5Транзисторы
6.Описание монтажной схемы
6.1Печатная плата
6.2Сборочный чертеж
7.Расчет надежности
8.Расчет вибропрочности
9.Расчет теплового режима
10.Расчет электромагнитной совместимости
Заключение
Списоклитературы
Приложение
Введение
В настоящее время втехнике повсеместно используются разнообразные усилительные устройства. Куда мыне посмотрим – усилители повсюду окружают нас. В каждом радиоприёмнике, вкаждом телевизоре, в компьютере и станке с числовым программным управлениеместь усилительные каскады. Эти устройства, воистину, являются грандиознейшимизобретением человечества.
В зависимости от типаусиливаемого параметра усилительные устройства делятся на усилители тока,напряжения и мощности.
В данном курсовом проектерешается задача проектирования усилителя мощности (УМ) звуковой частоты (ЗЧ) наоснове операционных усилителей (ОУ). В задачу входит анализ исходных данных напредмет оптимального выбора структурной схемы и типа электронных компонентов,входящих в состав устройства, расчёт цепей усилителя и параметров егокомпонентов, и анализ частотных характеристик полученного устройства.
Оптимизация выборасоставных компонентов состоит в том, что при проектировании усилителя следуетиспользовать такие элементы, чтобы их параметры обеспечивали максимальнуюэффективность устройства по заданным характеристикам, а также его экономичностьс точки зрения расхода энергии питания и себестоимости, входящих в негокомпонентов.
1. Техническое задание1.1 Назначение и область применения
Описанный в данной работеусилитель ЗЧ предназначен для радиоприемника, также он может быть применен вдругих схожих устройствах. Используется для усиления мощности в диапазоне 20…20000Гц с минимальным коэффициентом процентом гармоник нелинейных искажений.Конструкция усилителя проста и надежна. 1.2 Технические характеристики
Выходная мощность, Вт 150
Коэффициент гармоник, неболее, % 0,2
Диапазон частот, Гц 20…20000
КПД, % 68
Номинальное входноенапряжение, В 1
Входное сопротивление,кОм 10 1.3 Характеристика надежности
Среднее время наработкина отказ, ч 5000 1.4 Условия эксплуатации
Температура окружающейсреды, 0 C -10…+50
Относительная влажностьвоздуха при температуре +20 0 C, % до 90
2.Обзор литературных источников
1) «Простойстереофонической усилитель мощности».
Б. С. Иванов – «В помощьрадиокружку» – М: «Радио и связь», 1990 г.
В данной книгерассматривается простой стереофонический усилитель мощности (рис. 1). Онсостоит из одной интегральной микросхемы и четырех мощных малогабаритныхтранзисторов. Основные параметры: номинальная выходная мощность на нагрузкедостигает 2 Вт в каждом канале; коэффициент гармоник не превышает 1% (начастоте 1 кГц), диапазон пропускаемых частот лежит в пределах от 63 Гц до 12.5кГц. Он пригоден для воспроизведения грамзаписи при подключении к входупьезоэлектрического стереофонического или монофонического звукоснимателя, дляусиления звука переносного транзисторного радиоприемника во время туристскихпоходов, для воспроизведения записей через автомобильный кассетныйстереопроигрыватель и во многих других случаях [6].
/>
Рис. 1. Простойстереофонической усилитель мощности
2) «УЗЧ транзисторногоприемника».
Н. Ф. Назаров – «В помощьрадиолюбителю», выпуск 93 – М: «ДОСААФ», 1986 г.
Этот усилитель мощностизвуковых частот можно использовать в транзисторных радиовещательных или связныхприемниках, а также в приемном тракте коротковолновых или ультракоротковолновыхтрансиверов. Максимальная выходная мощность усилителя 250…300 мВт (рис. 2).Номинальное сопротивление нагрузки лежит в пределах 10…50 Ом. Остальныепараметры УЗЧ зависят от того, какой необходимо иметь коэффициент усиления. Вусилителе можно применять любые общецелевые ОУ с внутренней коррекцией АЧХ [7].
/>
Рис. 2. УЗЧтранзисторного приемника
3) «Усилитель мощностизвуковой частоты класса «Hi-Fi» на TDA2030».
detalinadom.narod.ru/nabor/nabTDA2030.htm
Микросхема по своей сутипредставляет мощный операционный усилитель и принципиальная схема у нее такаяже (рис. 3). В данном варианте реализована схема не инвертирующего включения.Для простоты сборки усилитель собран по схеме с однополярным питанием иобеспечивает на нагрузку 4 Ома до 15 Вт. Данный усилитель мощности являетсяуниверсальным кирпичиком для построения высококачественного усилителя любойконфигурации, от обычного стереофонического до мультимедийного 2.1 или 5.1. При питании до 20 В в таком усилителе вкачестве сабвуферного можно использовать мостовую схему на TDA2050 (наборУ033), при питании до 30 В в этой роли требуется использование более мощногоусилителя, например на TDA2052 (У034) [3].
/>
Рис. 3. Усилительмощности звуковой частоты класса «Hi-Fi» на TDA2030
4) «Усилитель мощностизвуковой частоты».
schematic.by.ru/65/6502.htm
Усилитель ЗЧ имеет оченьнизкие коэффициенты гармонических и интермодуляционных искажений, онсравнительно прост, способен выдерживать кратковременное короткое замыкание внагрузке, не требует выносных элементов термостабилизации тока транзистороввыходного каскада (рис. 4). Основные технические характеристики: максимальнаямощность на нагрузке сопротивлением 4 0м – 80 Вт; номинальный диапазон частот20…20000 Гц; коэффициент гармоник не более 0,002 коэффициент интермодуляционныхискажений 0,0015 % [4].
/>
Рис.4. Усилитель мощностизвуковой частоты
Вывод: Рассматриваемый вданной работе усилитель звуковой частоты надежней и мощней, чем существующиеаналоги, он обладает большей выходной мощностью, меньшим коэффициентом гармоники т. д. Схемы со схожими характеристиками имеют большие размеры, что усложняетих расчет и сборку.
3.Анализ структурной схемы
/>
Рис. 5. Структурная схемаУМЗЧ
1 – блок ограничения (БО),2 – предварительный каскад (ПК), 3 – блок стабилизации (БС), 4 – обратная связь(ОС), 5 – выходной каскад (ВК).
БО уменьшает коэффициентусиления ОУ, чтобы стабилизировать его характеристики, когда выходноенапряжение усилителя мощности достигает максимального значения. В результатеуменьшается глубина насыщения транзисторов VT1, VT2 и снижается вероятностьвозникновения сквозного тока в выходном каскаде [5].
ПК осуществляетнеобходимое усиление по напряжению и обеспечивает работу усилителя с глубокойотрицательной ОС. Источник входного сигнала развивают очень низкое напряжение.Подавать его непосредственно на каскад усиления мощности не имеет смысла, таккак при слабом управляющем напряжении невозможно получить значительныеизменения выходного тока.
БС стабилизируютнапряжение питания ОУ, которое одновременно используется для созданиянеобходимого напряжения смещения выходного каскада.
ОС стабилизируетхарактеристики УМ и задает общий коэффициент усиления по напряжению.
ВК обеспечиваетнеобходимое усиление по току и по напряжению.
4. Анализ схемы электрической принципиальной
Каскад предварительногоусиления выполнен на быстродействующем ОУ DA1 (К544УД2Б), который наряду снеобходимым усилением по напряжению обеспечивает работу усилителя с глубокойООС (рис. 6). Резистор обратной связи R5 и R1 определяют коэффициент усиленияусилителя. Выходной каскад выполнен на транзисторах VT1…VT8. Он обеспечивает усиление,как по току, так и по напряжению. В основном каскаде (VT3, VT4)предусматривается использование мощных составных транзисторов КТ825, КТ827.Вспомогательный каскад VT5…VT8 также должен быть собран на составныхтранзисторах. Резисторы R8…R22, диоды VD7, VD8 и транзисторы VT1, VT2определяют режим работы выходных каскадов, который не меняется при изменениинапряжения питания в значительных пределах.
/>
Рис. 6. Электрическаяпринципиальная схема усилителя мощности звуковой частоты
Конденсаторы С6…С9корректируют фазовую и частотную характеристики каскада. Стабилитроны VD1, VD2стабилизируют напряжение питания ОУ, которое одновременно используется длясоздания необходимого напряжения смещения выходного каскада.
Делитель выходногонапряжения ОУ R6, R7, диоды VD3…VD6 и резистор R4 образуют цепь нелинейной ООС,которая уменьшает коэффициент усиления ОУ, когда выходное напряжение усилителямощности достигнет своего максимального значения. В результате уменьшаетсяглубина насыщения транзисторов VT1, VT2 и снижается вероятность возникновениясквозного тока в выходном каскаде. Конденсаторы С4, С5 – корректирующие. С увеличениемемкости конденсатора С4 растет устойчивость усилителя, но одновременноувеличиваются нелинейные искажения, особенно на высших частотах.
Усилитель сохраняет работоспособностьпри снижении напряжения питания до ±25 В. Возможно и дальнейшее снижениенапряжения питания вплоть до ±15 В и даже до ±12 В при уменьшении сопротивлениярезисторов R2, R3 или непосредственном подключении выводов питания ОУ к общемуисточнику питания и исключении стабилитронов VD1, VD2 [5].
5. Выбор элементной базы5.1 Конденсаторы
Применяемые врадиоаппаратуре конденсаторы можно разделить на конденсаторы постоянной,переменой емкости и подстроечные.
У конденсаторовпостоянной емкости в конструкции возможность изменения величины емкости непредусмотрена. Эти конденсаторы применяют в качестве элементов колебательныхконтуров, настроенных на фиксированную частоту, в качестве элементов связи, длякомпенсации изменяющихся параметров элементов контура при воздействииповышенной или пониженной температуры, для сопряжения контуров всупергетеродинных приемниках, в качестве разделительных, блокировочных и длямногих других целей. Такое разнообразие функций привело к созданию большогоколичества типов конденсаторов постоянной емкости. В зависимости от материаладиэлектрика конденсаторы можно разделить на следующие группы: керамические(рис. 7), слюдяные, бумажные, пленочные и электролитические (рис. 8) [1].
/>
Рис. 7. КонденсаторМП31-5
/>
Рис. 8. Конденсатор К50-12. 5.2 Микросхема
Наибольшеераспространение получили ИС, у которых все элементы и межэлементные соединениявыполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Их называютполупроводниковыми.
Для изготовленияполупроводниковых микросхем используют кремниевые монокристаллические пластиныдиаметром не менее 30 — 60 мм и толщиной 0,25 — 0,4 мм. Элементы микросхемы — биполярные и полевые транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы —формируют в полупроводниковой пластине методами, известными из технологиидискретных полупроводниковых приборов (селективная диффузия, эпитаксия и др.).Межсоединения выполняют напылением узких проводящих дорожек алюминия наокисленную (т. е. электрически изолированную) поверхность кремния, имеющую окнав пленке окисла в тех местах, где должен осуществляться контакт дорожек скремнием (в области эмиттера, базы, коллектора транзистора и т. д.). Длясоединения элементов микросхемы с ее выводами на проводящих дорожках создаютсярасширенные участки —контактные площадки. Методом напыления иногдаизготавливают также резисторы и конденсаторы (рис. 9).
/>
Рис. 9. Интегральнаямикросхема К544УД2Б 5.3 Резисторы
применяемые врадиоаппаратостроении резисторы подразделяют на постоянные (рис. 10) ипеременные. Переменными называют резисторы, сопротивление которых можно плавноизменять в процессе эксплуатации или регулировки аппарата. Их применяют в техслучаях. когда это необходимо для изменения параметров изделия, или же длякомпенсации в процессе регулировки погрешностей параметров других элементовсхемы. Во всех остальных случаях используют постоянные резисторы.
усилительмощность транзисторный нагрузка
/>
Рис. 10. Резистор МЛТ-0,125 5.4 Диоды
Основным элементомбольшинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход,представляющий собой переходной слой между полупроводниками различнойпроводимости. На границе перехода за счёт концентрации носителей образуетсяконтактная разность потенциалов.
p-n переход обладает несимметричной электропроводностью,изменяемой электронной емкостью, сильной зависимостью тока от внешнихпараметров to, изменение полей.
В p-n переходе происходит диффузия основных носителей электроновиз p-области в n-области. При этом возникает диффузионный ток:
Iдиф= Ipдиф- Inдиф,
его направление совпадаетс направлением диффузий дырок.
Электрический заряд вкристалле перераспределяется, электронная нейтральность кристалла нарушается.
Диффузирующие основныеносители рекомбинируют, в результате чего изменяется концентрация подвижныхносителей. В приконтактном слое образуются заряды: в p-области отрицательные, в n-области положительные. В результате образуется двойной слойпространственного заряда, который называется запирающим. Запирающий слой можетбыть неоднородным из-за смещения нейтрали в сторону области с меньшейконцентрацией примеси. Пространственные заряды образуют электрическое полеперехода с максимальной направленностью на границе изменения заряда.
Выпрямительные диоды работаютна частоте 50-100 кГц (рис. 11), служат для преобразования переменного напряженияв постоянное (выпрямленное).
/>
Рис. 11. Выпрямительныйдиод КД510А
Стабилитроныработают в режиме лавинного пробоя с балансом рассеиваемой мощности (рис. 12).Рабочая точка стабилитрона устанавливается таким образом, чтобы пересечениенагрузочной прямой на ВАХ с характеристикой стабилитрона приходилось наплощадку стабилизации. В отличие от стабилитрона стабистор работает на прямойветке ВАХ, в результате чего напряжения стабилизации стабисторов незначительны(порядка 0.7…1.8 Вольт).
/>
Рис. 12. Стабилитрон КС515А 5.5 Транзисторы
Транзистор – сложныйполупроводниковый прибор, использующий свойство нелинейности характеристик вобласти p-n перехода (рис. 13, рис. 14). Основное назначение транзисторав электронных схемах – усиление сигналов по току или по напряжению взависимости от его включения. Биполярный транзистор имеет, в общем случае, 3вывода – управляющий (база), и выводы непосредственно управляемого p-n перехода (коллектор и эмиттер).
Биполярные транзисторыхарактеризуются двумя p-n переходами, расположенными на одномкристалле.
Транзисторы бывают:корпусные и бескорпусные в зависимости от технологии изготовления.
Динамическиехарактеристики транзисторов определяют режим работы транзистора, в выходнойцепи которого имеется нагрузка />, а на вход подается усиливаемый сигнал.Динамические режимы отличаются от статического сильным взаимным влияниемпараметров транзистора и элементов схемы.
/>
Рис. 13. Транзисторы КТ814В,КТ815В, КТ816Г, КТ817Г
/>
Рис. 14. ТранзисторыКТ825Г, КТ827А
6. Описание монтажной схемы6.1 Печатная плата
При конструированиипечатных плат используется четыре главных критерия выбора:
— габаритный критерий;
— критерий плотностирисунка и толщины проводящего слоя;
— критерий числа слоев;
— критерий материалаоснования.
По ГОСТ 23752-79 выбираемпервый класс плотности рисунка печатной платы. Для данного класса плотностиимеем:
— ширина проводника неменее 0.5 мм;
— расстояние междупроводниками не менее 0.5 мм;
— разрешающая способность1.0 линий/мм. 6.2 Сборочный чертеж
Все детали УМЗЧ размещенына одной плате из фольгированного стеклотекстолита (СФ-1Н-50). Исключение составляюттранзисторы VT3, VT4, VT7, VT8, установленные на теплоотводах с общей площадьюрассеиваемой поверхности 1200 мм2 [5].
7. Расчет надежности
Надежность аппаратурыопределяется надежностью и количеством используемых в ней элементов. Так какнадежность является одним из основных параметров изделия, то, проектируяаппаратуру, ее следует оценить наряду с другими параметрами и на основе этихрасчетов делать выводы о правильности выбранной схемы и конструкции изделия [1].
Вероятность безотказнойработы P(tр) и среднее время наработки на отказ Tср достаточно полно характеризуютнадежность прибора.
/>,
где l — интенсивность отказа.
/>,
где li – интенсивность отказа i-го элемента.
/>,
Влияние внешних факторовна радиоэлементы оценивается с помощью коэффициента нагрузки.
Для транзисторов: />,
где P – фактическая мощность, рассеиваемаяна коллекторе, Pmax – максимальнаядопустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе.
Для резисторов: />,
где P – фактическая мощность, рассеиваемаяна резисторе, Pн – номинальная мощность.
Для конденсаторов: />,
где U – фактическое напряжение,приложенное к конденсатору, Uн –номинальное напряжение конденсатора
Для диодов: />,
где I – фактический выпрямленный ток, а Imax – максимально допустимыйвыпрямленный ток.
Расчет по постоянномутоку был произведен с помощью программы Electronics Workwench 5.12 (Таб. 1).
Таблица 1
Наименование,
тип элемента
Фактическое
значение
параметра
Номинальное
значение
параметра K a l0, 10-6 (1/ч)
/>, 10-6 (1/ч)
Диоды
VD1 КС515А
VD2 КС515А
VD3 КД510А
VD4 КД510А
VD5 КД510А
VD6 КД510А
VD7 КД510А
VD8 КД510А
I=3мА
I=3мА
I=34мА
I=34мА
I=34мА
I=34мА
I=81мА
I=81мА
Imax=53мА
Imax=53мА
Imax=0,2А
Imax=0,2А
Imax=0,2А
Imax=0,2А
Imax=0,2А
Imax=0,2А
0,057
0,057
0,17
0,17
0,17
0,17
0,4
0,4
0,3
0,3
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,06
0,06
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
Конденсаторы
C1 К31П-5
C2 К31П-5
C3 К31П-5
C4 К31П-5
C5 К31П-5
C6 К31П-5
C7 К31П-5
C8 К31П-5
C9 К31П-5
U=1В
U=2В
U=2В
U=3В
U=0,4В
U=8В
U=8В
U=11В
U=11В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
Uн=100В
0,01
0,02
0,02
0,03
0,004
0,08
0,08
0,11
0,11
0,2
0,2
0,2
0,2
0,1
0,3
0,3
0,3
0,3
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,3
0,016
0,016
0,016
0,016
0,008
0,024
0,024
0,024
0,024
Микросхема
DA1 К544УД2Б I=0,05нА Iвх=0,15нА 0,33 0,5 0,2 0,1
Резисторы
R1 МЛТ
R2 МЛТ
R3 МЛТ
R4 МЛТ
R5 МЛТ
R6 МЛТ
R7 МЛТ
R8 МЛТ
R9 МЛТ
R10 МЛТ
R11 МЛТ
R12 СП3-38Д
R13 МЛТ
R14 МЛТ
R15 МЛТ
R16 МЛТ
R17 МЛТ
R18 МЛТ
R19 МЛТ
R20 МЛТ
R21 МЛТ
R22 МЛТ
P=0,013Вт
P=0,021Вт
P=0,05Вт
P=0,07Вт
P=0,07Вт
P=0,063Вт
P=0,004Вт
P=0,044Вт
P=0,044Вт
P=0,081Вт
P=0,081Вт
P=0,036Вт
P=0,102Вт
P=0,102Вт
P=0,109Вт
P=0,109Вт
P=0,105Вт
P=0,105Вт
P=0,098Вт
P=0,098Вт
P=0.114Вт
P=0.114Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
Pн=0,125Вт
0,104
0,168
0,4
0,56
0,56
0,504
0,032
0,352
0,352
0,648
0,648
0,288
0,816
0,816
0,872
0,872
0,84
0,84
0,784
0,784
0,912
0,912
0,3
0,5
0,5
0,7
0,7
0,7
0,2
0,5
0,5
0,7
0,7
0,5
0,7
0,7
0,9
0,9
0,7
0,7
0,7
0,7
0,9
0,9
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,04
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,05
0,015
0,025
0,025
0,035
0,035
0,035
0,01
0,025
0,025
0,035
0,035
0,02
0,035
0,035
0,045
0,045
0,035
0,035
0,035
0,035
0,045
0,045
Транзисторы
VT1 КТ814В
VT2 КТ815В
VT3 КТ825Г
VT4 КТ827А
VT5 КТ816Г
VT6 КТ816Г
VT7 КТ817Г
VT8 КТ817Г
P=0,3Вт
P=0,3Вт
P=110Вт
P=110Вт
P=1,4Вт
P=1,4Вт
P=12Вт
P=12Вт
Pmax=10Вт
Pmax=10Вт
Pmax=125Вт
Pmax=125Вт
Pmax=25Вт
Pmax=25Вт
Pmax=25Вт
Pmax=25Вт
0,03
0,03
0,88
0,88
0,056
0,056
0,5
0,5
0,2
0,2
0,95
0,95
0,3
0,3
0,55
0,55
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
0,04
0,04
0,2
0,2
0,06
0,06
0,1
0,1
Интенсивность отказов:
/>,
Средняя наработка наотказ:
/>,
/>.
Из приведенных расчетовможно сказать, что разрабатываемый УМЗЧ будет безотказно работать 5000 часов свероятностью 98%.
8. Расчет вибропрочности
Радиоэлектроннаяаппаратура, устанавливаемая на подвижных объектах, в процессе эксплуатацииподвергается вибрациям и ударам. В зависимости от характера объекта частотавибраций может лежать в диапазоне от единиц до тысяч герц, а перегрузки могутдостигать десятков g [1].
Печатная плата схемыпредставляет собой пластину. Формула для расчета собственной резонанснойчастоты пластины, закрепленной в четырех точках:
/>, />,
где m, n=1, 2, 3… — целые положительные числа, a – длина платы, b – ширина платы, d – толщина платы, D – жесткость материала платы, E – модуль Юнга, m — коэффициент Пуассона.
Будем рассчитывать первуюмоду колебаний:
m=1, n=1,b=0,155 м, a=0,2 м, d=0,002 м, r=1800 кг/м3.
/>,
/> Гц.
Примем частотувынуждающей силы f=50 Гц.Коэффициент виброизоляции равен:
/>, />.
Полученные расчетыпоказывают, что собственная частота конструкции выше, чем частота возбуждающихвибраций. Это означает, что изделие обладает необходимой вибропрочностью.
9. Расчет теплового режима
Большинстворадиотехнических устройств, потребляя от источников питания мощность,измеряемую десятками, а иногда и сотнями ватт, отдают полезной нагрузке отдесятых долей до единиц ватта. Остальная электрическая энергия, превращаясь втепловую, выделяется внутри аппарата. Температура нагрева аппарата оказываетсявыше температуры окружающей среды, в результате чего происходит процесс отдачитепла в окружающее пространство. Этот процесс идет тем интенсивнее, чем большеразность температур аппарата и окружающей среды [1].
В выходном каскадеусилителя используются транзисторы КТ825Г, КТ827А, КТ817Г для которыхнеобходимо использование теплоотвода.
Для подтверждения, рассчитаемэти транзисторы по постоянному току без теплоотвода.
/> Вт.
Расчеты для КТ825Г и КТ827Аидентичны.
/> Вт.
Так как />, />, /> значительно превышаетдопустимые значения мощности рассеивания на коллекторе, то применениетеплоотвода необходимо.
10. Расчет электромагнитной совместимости
При компоновке аппаратурыприходится решать вопросы обеспечения электромагнитной совместимости с внешнимиустройствами. Причинами помех выступают протекающие по проводникам токи инаведенные ими на соседние проводники паразитные сигналы, электромагнитные поляот внешних и внутренних источников излучения и возникающие в связи с этимиполями блуждающие токи в несущих конструкциях. Разрабатываемый мною усилительмощности ЗЧ, как и всякое электрическое устройство, излучает в пространствоэлектромагнитные волны. Мощность излучения зависит от протекающих в проводникахтоков. Внешние электромагнитные помехи оказывают большое влияние на работулюбого прибора, но избавиться от таких помех сложно и для данного прибора нетребуется.
Таким образом,специальных устройств для устранения электромагнитных волн усилителя мощностизвуковой частоты не требуется.
Заключение
В ходе выполнениякурсового проекта были освоены теоретические основы конструирования, надежностии анализа радиоэлектронных систем; изучены основные этапы и методыпроектирования; изучены общие требования к аппаратуре по надежности, требованияпо виброустойчивости; изучены стадии разработки конструкторской документации,ее виды и комплектность. Освоены принципы и методы системного подхода процессапроектирования радиоэлектронных устройств работы; произведен обоснованный выборструктурной и функциональной схем радиоэлектронной аппаратуры; выполнен расчетэлементов электрической принципиальной схемы; выполнена конструкторскаядокументация по ЕСКД.
В результате былразработан УМ ЗЧ с необходимой надежностью и виброустойчивостью.
Список литературы
1. Фрумкин Г. Д. Расчет иконструирование радиоэлектронной аппаратуры. – М: Высшая школа, 1977 г.
2. Кириченко И. А., Тарасов С. П.Программа, методические указания и варианты заданий по курсовому проектированиюпо курсу “Теория, расчет и проектирование приборов и систем”. – Таганрог: ТРТУ, 1998 г.
3. detalinadom.narod.ru/nabor/nabTDA2030.htm
4. schematic.by.ru/65/6502.htm
5.detalinadom.narod.ru/stats/UMZ200IV.htm
6. Иванов Б. С. В помощь радиокружку– М: Радио и связь, 1990 г.
7. Назаров Н. Ф. В помощьрадиолюбителю, выпуск 93. – М: «ДОСААФ», 1986 г.
8. www.izl.ru/kastv.htm
9.marketelectro.dsx.ru/upload/File/sprav/sprav8.htm
10.www.platan.ru/cgi-bin/qwery.pl/id=730&group=10703