ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К ДИПЛОМНОМУ ПРОЕКТУ
на тему: Разработка ИМС АМ-ЧМприемника по типу TA2003ЗАДАНИЕ НА ДИПЛОМНЫЙ ПРОЕКТ
РЕФЕРАТ
Пояснительная записка содержит 78 листов, 34 рисунка, 11 таблиц, 8 источников, 4 приложения.
АМ-ЧМ РАДИОПРИЁМНИК, ИНТЕГРАЛЬНАЯМИКРОСХЕМА, СУПЕРГЕТЕРОДИННЫЙ МЕТОД ПРИЕМА, СМЕСИТЕЛЬ, ГЕТЕРОДИН, ПРОМЕЖУТОЧНАЯЧАСТОТА, АВТОМАТИЧЕСКАЯ РЕГУЛИРОВКА УСИЛЕНИЯ, ГЕНЕРАТОР, ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА, СТРУКТУРНАЯ СХЕМА, ТА2003.
Объектом разработки является ИМСАМ-ЧМ приемника.
Цель работы – разработка ИМС АМ-ЧМприемника
В процессе работы проводился анализсхемы электрической принципиальной, моделирование схемы и разработка топологиина ПК.
В результате проведенной работыпроведено восстановление схемы электрической принципиальной ИМС TA2003, выполнен анализ схемыэлектрической принципиальной, разработана физическая структура кристалла,технологический маршрут изготовления и топология ИМС.
Основные конструктивные итехнико-эксплуатационные характеристики: напряжение питания – 3-8 В, числоэлементов электрической принципиальной схемы – 570 в том числе 290транзисторов, 230 резисторов, 30 конденсаторов, 20 диодов, размеры кристаллаИМС — 1,4 x1,4 мм.
Применение разработанной ИМСвозможно в схемах радиоприемников как стационарных так и переносных.
Содержание
Введение
1. Общие принципы построения АМ-ЧМ приемников
1.1 Сравнение супергетеродинных приемников АМ и ЧМсигналов
1.2 Основные электрические параметры радиоприемников
2. Структурная схема ИМС TA2003.Функциональные узлы входящие в состав ИМС
3. Схема электрическая принципиальная
3.1 Схемотехника построения функциональных узлов
3.2 Анализ схемы электрической принципиальной
4. Разработка физической структуры кристалла итехнологического маршрута изготовления ИМС
5 Разработка топологии ИМС
5.1 Разработка библиотеки элементов
5.2 Компоновка элементов и блоков
6. Расчет сметы затрат на разработку ИМС
6.1 Организационная часть
6.2 Экономическая часть
7. Анализ опасных и вредных факторов при работе сПЭВМ
Заключение
Список использованных источников
Приложение А
Приложение Б
Введение
В последнее десятилетие широко иповсеместно используются АМ-ЧМ приемники. Это связано с постоянно растущимчислом радиостанций, работающих на различных частотах как АМ–, так иЧМ–диапазона. Однако в пределах России есть ряд проблем с качеством имеющихся впродаже радиоприемников и с их использованием в крупных городах, в условияхналичия большого количества радиостанций и сложной электромагнитной обстановки.Главная проблема АМ-ЧМ приемника — необходимостьобеспечить его низкую стоимость, поскольку технически все перечисленныетрудности вполне разрешимы. Собственно, это проблема всей бытовой техники, ирешается она стандартно — массовым выпуском ИМС, в которые интегрировано какможно больше функциональных блоков.
Основное достоинствотаких схем — простота реализации устройства с минимумом дополнительныхкомпонентов
Разрабатываемая микросхема – этооднокорпусный АМ-ЧМ радиоприемник, построенный по схеме супергетеродина сполностью раздельными трактами и с минимальным количеством навесных элементов.Все, что требуется для построения приемника – несколько конденсаторов, триконтура и фильтр ПЧ.
1 Общие принципы построения АМ-ЧМприемников
Супергетеродинный метод приема посей день остается основным, так как он позволяет обеспечить устойчивый приемвесьма слабых сигналов в условиях интенсивных помех. Сверхминиатюризацияэлементной базы не изменила основного принципа построения структурной схемысупергетеродинного радиоприемника, хотя он может представлять собой оченьсложное устройство, в котором производится не одно, а несколько преобразованийчастоты сигнала.
Структурная схема радиоприемникаиспользующего супергетеродинный метод приема приведена на рисунке 1 [1].
/>
Рисунок 1.1 Структурная схема супергетеродинногорадиоприемника
Структурная схема содержит следующиеэлементы: антенна, входной контур, усилитель радиочастоты (УРЧ) преобразовательчастоты, фильтр промежуточной частоты, усилитель промежуточной частоты,детектор, усилитель звуковой частоты и оконечное устройство.
Сигнал, принятый антенной поступаетв высокочастотный тракт, включающий входной полосовой фильтр и усилительрадиочастоты.
Входное устройство – предназначеноглавным образом для обеспечения избирательности по боковым каналам
Усиление сигнала необходимо потому,что сигнал, поступающий на антенну очень мал по амплитуде и проводить с нимкакие-либо преобразования технически очень сложно, так как каждый элемент схемывносит соответствующие затухание.
Далее усиленный сигнал поступает напреобразователь частоты.
Преобразователь частоты состоит изсмесителя и гетеродина. Гетеродин — это маломощный генератор, вырабатывающийчастоту fг. На вход смесителя подается напряжение частоты сигнала fси напряжение с выхода гетеродина fг. В результате взаимодействиядвух этих частот на выходе смесителя появляется сигнал, содержащий множествокомбинационных составляющих, в то числе и составляющую, частота которой равнаразности двух этих частот fс-fг. Величина этой разностиможет быть выше или ниже частоты сигнала, но обязательно выше частотымодуляции, поэтому ее называют промежуточной. Таким образом, можно записать:
fпр.с=fг-fспри fг>fc (1.1)fпр.с=fc-fгпри fг
На промежуточную частоту настроенарезонансная система, включенная в выходную цепь смесителя, что позволяет присоответствующей полосе пропускания выделить напряжение сигнала на промежуточнойчастоте. Следовательно, назначение преобразователя — преобразование частотырадиосигнала в другую промежуточную частоту с сохранением закона модуляции. Вслучае работы радиоприемника в диапазоне частот перестраиваются толькоизбирательные цепи тракта радиочастоты и изменяется частота гетеродина так,чтобы разность их настройки всегда была равна выбранной промежуточной частоте.Следует подчеркнуть, что настройка радиоприемника на частоту принимаемогосигнала определяется, прежде всего, настройкой гетеродина. Входные контуры иконтуры усилителя радиочастоты могут быть не перестраиваемыми, но с полосойпропускания, равной диапазону рабочих частот.
Сигнал ПЧ фильтруется иусиливается, после чего сигнал попадет на детектор.
Усилитель, который усиливает сигнална промежуточной частоте, получил название усилителя промежуточной частоты.Таким образом, в супергетеродинном радиоприемнике усиление и выделениерадиосигнала осуществляется на трех частотах: на радиочастоте, промежуточнойчастоте и частоте модуляции (звуковой частоте).
Соответственно участкирадиоприемника, на которых происходит соответствующее усиление, называюттрактом радиочастоты, промежуточной частоты и звуковой частоты. Постоянствопромежуточной частоты позволяет использовать в усилителе промежуточной частотысложные избирательные системы, имеющие частотную характеристику, весьма близкуюпо форме к прямоугольной.
С усилителя промежуточной частотысигнал поступает на детектор.
Преобразование радиосигнала вэлектрический, соответствующий модулирующему, называется детектированием.Осуществляется оно с помощью устройства, называемого детектором.
С детектора сигнал поступает наусилитель звуковой частоты или усилитель сигнала частот модуляции — егоназначение усилить полезный звуковой сигнал выделенный предыдущими каскадамиустройства. Нагрузкой усилителя звуковой частоты является воспроизводящееустройство, которое предназначено для доведения сообщения до слушателя.
Разумеется, мы перечислили лишьсамые основные функциональные блоки — не рассматривая такие важные для бытовогоприемника функции, как автоподстройка частоты, бесшумная настройка, генерациякомфортного шума, автоматическая регулировка уровня и т.д. Настройка на частотустанции происходит посредством одновременного изменения частоты гетеродина иLC-контуров преселектора [1]
Автоматическая регулировкаусиления (АРУ), система, автоматическиизменяющая усиление приёмника электрических колебаний при изменении напряжениясигнала на его входе [2].
В большинстве случаев напряжениесигналов, поступающих на вход приёмника, значительно меняется: из-за различиямощностей передатчиков и расстояний их от места приёма, замираний сигналов прираспространении, резкого изменения расстояний и условий приёма междупередатчиком и приёмником, установленными на движущихся объектах (самолётах,автомобилях и т.д.), и других причин. Эти изменения приводят к недопустимымколебаниям или искажениям сигналов в приёмнике. Действие АРУ направлено назначительное уменьшение изменений напряжения выходных сигналов приёмника посравнению с входными. Это осуществляется посредством цепей, которые передают выпрямленноедетектором регулирующее напряжение на базы транзисторов, усилителейрадиочастоты, промежуточной частоты и преобразователя частоты, уменьшая ихусиление с увеличением напряжения сигнала на входе и наоборот (рисунок 1.2)[2]. Таким образом происходит компенсация в приёмнике изменений напряжениявходных сигналов.
В устройствахрадиосвязи распространены три типа АРУ: простая, задержанная иусиленно-задержанная. Наглядно действие АРУ можно отобразить на амплитуднойхарактеристике приёмника (рисунок 1.3) [2]. При отсутствии АРУ амплитуднаяхарактеристика выражается прямой линией (А — на рисунке 1.3): напряжениесигнала на выходе прямо пропорционально входному. В результате действия простойАРУ (В — на рисунке 1.3) происходит только частичная компенсация изменениянапряжения входных сигналов. Недостаток простой АРУ — снижение усиления слабыхсигналов — устраняется «задержкой» начала действия АРУ. Задержанная АРУ (Б — нарисунке 1.3) действует так же, как и простая, когда напряжение сигнала на входепревысит некоторый уровень, определяемый напряжением задержки.Усиленно-задержанную АРУ с усилителем постоянного тока в цепи обратной связиприменяют для получения большего постоянства напряжения сигнала на выходеприёмника (Г — на рисунке 1.3). Наибольшее применение в приёмниках нашлазадержанная АРУ.
/>
Рисунок 1.2 – Подключение системыАРУ.
/>
Рисунок 1.3 — Амплитуднаяхарактеристика приёмника
Автоматическаяподстройка частоты,радиотехническое устройство для автоматического удержания заданной частотыэлектрических колебаний генератора. АПЧ применяют в супергетеродинномрадиоприёмнике для точной настройки на принимаемую станцию. В распространённойсхеме АПЧ отклонение частоты от заданной (расстройка частоты) преобразуетсядискриминатором в постоянное напряжение соответствующего знака (полярности),пропорциональное амплитуде расстройки (при отсутствии расстройки напряжение навыходе дискриминатора равно нулю). Это выходное напряжение затем подаётся натранзистор воздействующий на частоту генератора
1.1 Сравнение гетеродинныхприемников АМ и ЧМ сигналов
Структурные схемы приемников АМ и ЧМ сигналов приведены на рисунке 1.4 и1.5 соответственно [3]. Из схем видно, что на функциональном уровне различия неочень существенны: для обоих систем характерно наличие таких узлов, как:входная цепь, усилитель радиочастоты, смеситель, гетеродин, узкополосныйфильтр, усилитель промежуточной частоты, усилитель звуковой частоты, оконечноеустройство. Однако существуют отличия: в приемнике ЧМ сигналов отсутствуетсистема автоматической регулировки усиления (АРУ) и амплитудный детектор, в тоже время установлены система автоподстройки частоты (АПЧ) и частотный детектор.
На более глубоком уровне сравнения различия состоят и в том, приемникиработают в разных диапазонах частот (АМ приемник – в области ДВ, СВ, КВ; ЧМприемник – в УКВ диапазоне) и имеют различные промежуточные частоты ( какправило, 465 кГц для приемников АМ и 10,7 МГц – для приемников ЧМ). Такаяразница в промежуточных частотах обусловлена тем, что ЧМ сигнал имеет гораздобольшую занимаемую полосу – до 250 кГц, а АМ-сигнал – около 6 кГц. Такжетребования, предъявляемые к усилителю звуковых частот при АМ приеме гораздониже (усилитель должен иметь полосу воспроизводимых частот 0,3-6,4 кГц), чемпри ЧМ-приеме (полоса 50-10000 Гц).
/> />
Рисунок 1.4 — Структурная схема супергетеродинного приемника АМ сигналов/> />
ВЦ – входная цепь;
УРЧ – широкополосный усилительрадиочастотного сигнала;
ПрЧ – преобразователь частоты;
Г – перестраиваемый гетеродин;
ПФ – полосовой фильтр промежуточнойчастоты;
УПЧ – усилитель промежуточнойчастоты;
Д – детектор;
УЗЧ – усилитель колебаний звуковыхчастот;
ДАРУ – детектор системыавтоматической регулировки усиления;
ФНЧ – фильтр нижних частот системыАРУ;
Гр – громкоговоритель.
Рисунок 1.5 — Структурная схема супергетеродинного приемника ЧМ сигналов.
Наряду с достоинствами супергетеродинныйметод приема имеет существенные недостатки. Наиболее серьезный из них — такназываемые побочные каналы приема. Побочные каналы приема создаются всупергетеродинном приемнике в процессе преобразования частоты. Так, один изтаких каналов, наиболее опасный, образуется следующим образом. На входерадиоприемника всегда действует множество сигналов различных частот, средикоторых может оказаться частота, удовлетворяющая условию формированияпромежуточной частоты. Причем, если в радиоприемнике принято условие fг>fс,то частота побочного канала fзк>fг. относительноерасположение частот для этого случая показано на рисунке 1.6 [2].
/>
Рисунок 1.6 – Образованиезеркального канала при супергетеродинном методе приема.
Как видно, частота канала fзквсегда отстоит от частоты принимаемого сигнала на расстояние двух промежуточныхчастот, т.е. fзк-fс= ± Δfзк = ± Δfпрс.Частота fзк отстоит от частоты гетеродина fг на такое жерасстояние, что и частота принимаемого сигнала fс. Поэтому канал, покоторому проникает помеха на частоте fзк, называют симметричным илизеркальным. Для случая fг
Второй побочный канал приема, покоторому может проникать специфическая для супергетеродинного приема помеха,возникает на частоте, равной промежуточной fпрс. Поскольку фильтр,включенный в выходную цепь смесителя, настроен на промежуточную частоту,смеситель для сигналов, у которых fс = fпрс, являетсяусилителем. Эту помеху называют помехой прямого прохождения.
Для того, чтобы уменьшить помехупрямого прохождения и помеху по зеркальному каналу, как и других побочныхканалов, необходимо их ослабить до попадания на вход преобразователя. Этазадача выполняется резонансными контурами тракта радиочастоты, который частоназывают преселектором (предварительным селектором).
1.2 Основные электрическиепараметры радиоприемников
Основные электрические параметрырадиоприемных устройств:
а) чувствительность;
б) избирательность;
в) коэффициент шума;
г) частотная точность;
д) диапазон рабочих частот;
е) динамический диапазон;
ж) выходная мощность.
Чувствительностью называютспособность приемника обеспечить нормальную работу воспроизводящего устройствапри наименьшем сигнале в антенне или на входе приемника. Чувствительностьоценивают наименьшей величиной ЭДС радиосигнала или его номинальной мощностью вантенне. Чем меньше эти величины, тем выше чувствительность. Количественночувствительность выражается в микровольтах или в микроваттах.
Избирательностью называют степеньослабления помехи, отличающейся по частоте от полезного сигнала.Избирательность зависит от формы амплитудно- частотной характеристикирадиоприемника, то есть от зависимости коэффициента усиления от частотывходного сигнала при постоянной настройке приемника. Количественноизбирательность оценивается коэффициентом избирательности, который показываетво сколько раз по сравнению с сигналом ослабляется равная ему по величинепомеха при заданной расстройке.Коэффициентшума. Как правило, смесители имеют коэффициент шума в пределах от 6 до 20 дБ.Коэффициент шума пассивных смесителей численно равен потерям преобразования.Коэффициент шума активных смесителей зависит от конфигурации схемы и типовприменяемых в ней элементов. Общепринято, но вовсе не обязательно, перед первымсмесителем включать малошумящий усилитель для снижения коэффициента шумаприемника в целом.
Частотная точность приемникавключает в себя как первоначальную погрешность установки заданного номиналанастройки, так и нестабильность настройки приемника. Погрешность установкизависит от способа установки и метода индикации частоты настройки, анестабильность настойки – от ухода частоты настройки из – за самопрогрева,климатических и механических воздействий, изменений питающих напряжений и др.Высокая частотная точность приемника необходима для беспоискового вхождения всвязь и поддержания связи без подстройки.
Диапазон рабочих частот – это таобласть рабочих частот, в пределах которой радиоприемное устройство может плавноили скачком перестраиваться с одной частоты на другую без существенногоизменения качества воспроизведения сигнала.
Динамический диапазон частот — этопределы, в которых изменяется величина входного сигнала. Динамический диапазонсигналов оценивается отношением наибольшего сигнала к наименьшему по мощностиили напряжению. Обычно динамический диапазон выражают в децибелах. Желательно,чтобы динамический диапазон укладывался в линейный участок АЧХ приемника. Впротивном случае возникают искажения сигнала и снижение избирательностиприемника.
Выходноймощностью приемника называют мощность, подводимую к воспроизводящемуустройству. Величина выходной мощности должна соответствовать номинальной дляданного типа воспроизводящего устройства и может быть от нескольких ватт додолей ватта. Различают нормальную и номинальную выходную мощность.
Номинальнаявыходная мощность – это наибольшая выходная мощность, при которой возникающиенелинейные искажения не превышают заданной величины. Номинальная выходнаямощность соответствует 100% модуляции принимаемого сигнала. Нормальная выходнаямощность соответствует 10% от номинальной, 30% модуляции сигнала и подводится коконечному устройству при измерении характеристик радиоприемного устройства.
2. Структурная схема ИМС TA2003.Функциональные узлы, входящие в состав ИМС
Сверхминиатюризация элементной базыне изменила основного принципа построения структурной схемы супергетеродинногорадиоприёмника. Структурная схема ИМС TA2003приведена на рисунке 2.1
/>
АМ RF–усилитель радиочастоты АМ–сигнала;
FMRF– усилитель радиочастотыЧМ–сигнала;
FM/AMSW – переключатель АМ-ЧМ–режимов;
FMOSC – гетеродин для смесителяЧМ–сигналов;
AMOSC – гетеродин для смесителя АМ–сигналов;
FMMIX – смеситель ЧМ–сигналов;
AMMIX – смеситель АМ–сигналов;
AGC– блок автоматической регулировки усиления;
AMIF – усилитель промежуточной частотыАМ–сигналов;
FMIF – усилитель промежуточной частотыЧМ–сигналов;
AMDET – детектор АМ–сигналов;
FMDET – детектор ЧМ–сигналов.
Рисунок 2.1– Структурная схема ИМСАМ–ЧМ приёмника.
Опишем функционирование ИМС на уровнеструктурной схемы.
Начнем с описания работы части ИМСслужащей для обработки ЧМ сигналов. Высокочастотный ЧМ сигнал с антенны поступаетна вывод 1 ИМС, который является входом усилителя радиочастоты (FM RF). Здесь сигнал усиливается до амплитуды необходимой длядальнейшей обработки. С усилителя радиочастоты усиленный сигнал поступает напреобразователь частоты, который состоит из смесителя для FM – сигналов (FM MIX) и гетеродина (FM OSC). Гетеродин представляет из себя маломощныйгенератор, частота которого задается внешним контуром подключаемом к выводу 13ИМС. Смеситель предназначен для получения промежуточной частоты. Выход смесителя– вывод 3 ИМС. Со смесителя сигнал поступает на вход усилителя промежуточнойчастоты (FM IF) – вывод 8 ИМС. Необходимо отметить что во внешних цепяхмежду выводами 3 и 8 следует включать кварцевый фильтр для получения стабильнойпромежуточной частоты 10,7 МГц. Усиленный и стабильный сигнал промежуточнойчастоты поступает на детектор FM –сигналов, который представляет из себя 4-х квадрантный аналоговыйперемножитель. Выход детектора – вывод 11 ИМС.
С антенны АМ – сигналов по 16-мувыводу ИМС поступает на вход усилителя радиочастоты (AM RF). Усиленный сигнал поступает на преобразователь частотысостоящий из смесителя (AM MIX) и гетеродина (AM OSC). Частота гетеродина задается внешним контуромподключаемом к выводу 12 ИМС. Смеситель предназначен для полученияпромежуточной частоты. Выход смесителя – вывод 4 ИМС. Со смесителя сигналпоступает на вход усилителя промежуточной частоты (AM IF) – вывод 7 ИМС. Во внешних цепях между выводами 4 и 7следует включать кварцевый фильтр для получения стабильной промежуточнойчастоты 465 кГц. Усиленный и стабильный сигнал промежуточной частоты поступаетна детектор AM – сигналов. Выход детектора – вывод11 ИМС.
В цепи преобразования AM– сигналов имеется блок автоматической регулировки усиления (AGC).Автоматическая регулировкаусиления – система, автоматическиизменяющая усиление электрических колебаний при изменении напряжения сигнала навходе 16. Действие АРУ направлено на значительное уменьшение измененийнапряжения выходных сигналов на выводе 11 по сравнению с входными. Этоосуществляется посредством цепей, которые передают выпрямленное детекторомрегулирующее напряжение на базы транзисторов, усилителей высокой, промежуточнойчастоты и преобразователя частоты, уменьшая их усиление с увеличениемнапряжения сигнала на входе и наоборот.
Рассмотрим подробнее функциональныеузлы, входящие в состав ИМС.
Усилитель радиочастоты. Функциямиусилителя радиочастоты являются:
а) усиление полезного сигнала;
б) обеспечения совместно с входнымустройством частотной избирательности приемника по отношению к побочнымсигналам;
в) снижение коэффициента шумаприемника, что обеспечивает повышение реальной чувствительности приемника;
г) обеспечение линейности усиленияи ослабления нелинейных явлений в радиоприемнике, возникающих в условиях одновременногоприема и сильных помех.
В соответствии с выполняемымифункциями усилитель радиочастоты должен удовлетворять заданным численнымзначениям следующих качественных показателей:
а) диапазон рабочих частот;
б) полосы пропускания определяемойпри проектировании структурной схемы из условий требуемых ослаблений побочныхсигналов;
в) коэффициента устойчивогоусиления;
г) требуемого значениядинамического диапазона;
д) минимально возможногокоэффициента шума.
В разрабатываемой ИМС блоки УРЧобеспечивают такие параметры приемника как:
диапазон рабочих частот для FM76 -108 МГц, для AM 530 – 1600кГц ;
чувствительность для FM10 мкв, для AM 50 мкв;
соотношение сигнал шум для FM62 dB, для AM43 dB;
коэффициент нелинейных искаженийдля FM 0,4 %, для AM1,0 %.
Преобразователь частотысупергетеродинного радиоприемника осуществляет функцию перемещения спектрапринимаемого сигнала. Это перемещение происходит в преобразователе безнарушения ширины спектра и с сохранением закона модуляции. Преобразовательчастоты рассматривается как элемент линейной части супергетеродинногорадиоприемника; он обеспечивает практически линейную зависимость междуамплитудой промежуточной частоты и амплитудой напряжения сигнала.
При необходимости преобразователичастоты позволяют получить постоянное значение промежуточной частоты независимоот частоты принимаемого радиосигнала. Это даёт возможность осуществить большееусиление и хорошую избирательность радиосигнала в тракте промежуточной частоты.
Преобразователи частоты состоят изпреобразующего элемента, генератора высокой частоты и резонансной системы.
Преобразующий элемент представляетсобой двухполюсной нелинейный элемент – смеситель.
Генератор высокой частоты(гетеродин) вырабатывает синусоидальное напряжение высокой частоты, используемоедля изменения крутизны вольт – амперной характеристики смесителя во времени, — это и обеспечивает преобразование частоты принимаемого сигнала.
При преобразовании частоты насмеситель подаются одновременно напряжения сигнала и гетеродина. Независимо оттипа смесителя и условий преобразования полученный продукт преобразованиявсегда один и тот же – напряжение промежуточной частоты, изменяющееся всоответствии с модуляцией принимаемого сигнала. Для выделения требуемыхсоставляющих спектра выходного напряжения на выходе смесителя используетсярезонансная система с определённой полосой пропускания частот. В данноймикросхеме резонансная система представляет из себя кварцевый фильтр,подключаемый к выводам ИМС в виде навесных элементов. Для АМ – 4 и 7, а для FM– 3 и 8 вывода ИМС.
Усилитель промежуточной частоты.Функциями усилителя промежуточной частоты являются: обеспечение основнойизбирательности приемника по отношению к сигналам, несущие частоты которыхблизки к несущей частоте принимаемого сигнала; формирование полосы пропусканиячастот приемника, обуславливающей необходимую точность воспроизведения на еговыходе принимаемого сигнала.
Детектор сигнала – устройство,предназначенное для преобразования спектра модулированного радиосигнала вэлектрический сигнал, соответствующий модулирующему. К детекторам радиосигналовпредъявляются следующие основные требования:
а) высокая степень соответствиязакона изменения получаемого на выходе первичного сигнала закону изменениямодулируемого параметра радиосигнала на входе;
б) малое ухудшение отношений сигнал– помеха и сигнал – шум на выходе по сравнению с соответствующими отношениямина входе;
в) хорошая фильтрация колебанийпромежуточной частоты на выходе схемы;
г) высокий коэффициент передачи;
д) высокое входное сопротивление.
3. Схемы электрическаяпринципиальная ИМС
3.1 Схемотехника построенияфункциональных узлов ИМС
В соответствии со структурнойсхемой для каждого блока приведем схемотехническое решение. Соответствующиеупрощенные электрические принципиальные схемы функциональных блоковпредставлены на рисунках 3.1 – 3.12
/>
Рисунок 3.1 – Усилительрадиочастоты АМ–сигнала (AMRF).
/>
Рисунок 3.2 – Усилительрадиочастоты ЧМ–сигнала (FMRF).
/>
Рисунок 3.3 – Гетеродин длясмесителя АМ–сигналов (AMOSC).
/>
Рисунок 3.4 – Гетеродин длясмесителя ЧМ–сигналов (FMOSC).
/>
Рисунок 3.5 – Смеситель АМ–сигналов(AM MIX).
/>
Рисунок 3.6 – Смеситель ЧМ–сигналов(FM MIX).
/>
Рисунок 3.7 – Блок автоматическойрегулировки усиления (AGS).
/>
Рисунок 3.8 – Усилительпромежуточной частоты АМ–сигналов (AMIF).
/>
Рисунок 3.9 – Усилительпромежуточной частоты ЧМ–сигналов (FMIF).
/>
Рисунок 3.10 – Детектор АМ–сигналов (AM DET).
/>
Рисунок 3.12 – Выходной каскад (DETOUT).
Полная электрическая принципиальнаясхема ИМС TA2003 приведена вприложении В.
3.2 Анализ схемы электрическойпринципиальной
При помощи измерительных схемпредставленных на рисунках 3.13 и 3.14 проведем анализ схемы электрическойпринципиальной ИМС.
Результаты приведены в таблицах 3.1– 3.2
Для таблицы 3.2 режимы измерений:
T=25ºC, Vcc=3В
F/ E: f= 98 МГц, fm=1кГц.
FMIF: f= 10,7 МГц, Δf = ± 22,5 кГц, fm=1кГц.
AM: f = 1 МГц,MOD = 30%, fm = 1кГц..
/>
Рисунок 3.13 – Тестовая схема 1.
/>
Рисунок 3.14 – Тестовая схема 2.
Таблица3.1 – Напряжения на выводах ИМС. Номер вывода Обозначение Содержание Напряжение на выводе (В). AM ЧM 1 FM RF IN Вход усилителя радиочастоты ЧМ-сигнала 0.7 2 GND 1 Общий 1 для каскадов УРЧ, генераторов, смесителей 3 FM MIX Выход смесителя ЧМ-сигнала 0.4 1.7 4 AM MIX Выход смесителя АМ-сигнала 0.6 5 AGC Фильтр АРУ АМ-сигнала 6
VCC — 3.0 3.0 7 AM IF IN Вход усилителя промежуточной частоты АМ-сигнала 3.0 3.0 8 FM IF IN Вход усилителя промежуточной частоты ЧМ-сигнала 3.0 3.0 9 GND 2 Общий 2 для каскада ПЧ 10 QUAD ЧМ-детектор (4-х квадрантный аналоговый перемножитель) 2.5 2.2 11 DET OUT Выход для ЧМ/AM детектора 1.4 1.1 12 AM OSC Генератор АМ-сигнала с выводами для подключения внешнего контура 3.0 3.0 13 FM OSC Генератор АМ-сигнала с выводами для подключения внешнего контура 0.9 3.0 14 AM/FM SW Переключатель АМ/ЧМ-режимов 0.9 3.0 15 FM RF OUT Вывод для подключения внешнего резонансного контура ЧМ-сигнала 3.0 3.0 16 AM RF IN Вход УРЧ АМ-сигнала 3.0 3.0
Таблица 3.2 — Основные электрические характеристики ИМС Характеристика Обозначение
Тест
овая схема Условие проверки Мин Тип. Макс
Ед.
изм. Источник тока
ICC(FM) 1
FM режим, VIN = 0 — 10.5 16.5 mA
ICC (AM) 1 AM режим, Vin = 0 — 5.0 8.0 F/E Напряжение ограничения входного сигнала
VIN(LIM) 1 — 3dB предельная точка — 12 — dBuV Номинальная чувствительность Qs 1 S/N = 30dB — 12 — dBuV Уровень сигнала генератора (АМ и ЧМ трактов)
VOSC 2
FOSC=108MHz 160 240 320
mVrms
Напряжение выключения генератора (уровень UПИТ) Vstop (FM) 2
VIN=0 — 1.2 — V FM IF Напряжение ограничения входного сигнала
VIN(LIM) IF 1 — 3dB предельная точка 42 47 52 dBuV Номинальный уровень выходного сигнала
VOD 1
VIN=80dBuV 50 70 90
mVRMS Отношение сигнал/шум S/N 1
VIN=80dBuV — 62 — dB Общий коэффициент нелинейных искажений THD 1
VIN=80dBuV — 0.4 — % Коэффициент подавления АМ-сигнала AMR 1
VIN=80dBuV — 33 — dB AM Коэффициент усиления по напряжению
GV 1
VIN=27dBuV 15 32 50
mVrms Номинальный уровень выходного сигнала
VOD 1
VIN=60dBuV 35 60 85
mVrms Отношение сигнал/шум S/N 1
VIN=60dBuV — 43 — dB Общий коэффициент нелинейных искажений THD 1
VIN=60dBuV — 1.0 — %
Напряжение выключения генератора (уровень UПИТ)
VSTOP
(AM) 1
VIN=0 — 1.6 —
V
Промоделируем работу некоторыхкаскадов с помощью пакета программ проектирования электронных схем Orcad9.2.
На рисунке 3.15 приведена схемаэлектрическая принципиальная усилителя промежуточной частоты ЧМ–сигналов.На рисунке 3.16 – диаграммы его работы.
/>
Рисунок 3.15 – Усилительпромежуточной частоты ЧМ–сигналов (FMIF).
/>
Рисунок 3.16 – Диаграммы работыусилителя промежуточной частоты ЧМ–сигналов.
На рисунке 3.17 приведена схемаэлектрическая принципиальная гетеродина АМ–сигналов. На рисунке3.18 – диаграммы его работы.
/>
Рисунок 3.17 – Гетеродин длясмесителя АМ–сигналов (AMOSC).
/>
Рисунок 3.18 – Диаграмма работыАМ–гетеродина.
На рисунке 3.19 приведена схемаэлектрическая принципиальная гетеродина ЧМ–сигналов. На рисунке3.20 – диаграммы его работы.
/>
Рисунок 3.19 – Гетеродин длясмесителя ЧМ–сигналов (FMOSC).
/>
Рисунок 3.20 – Диаграмма работыЧМ–гетеродина.
На рисунке 3.21 приведена схемаэлектрическая принципиальная усилителя промежуточной частотыАМ–сигналов. На рисунке 3.22 – диаграммы его работы.
/>
Рисунок 3.21 – Усилительпромежуточной частоты АМ–сигналов (AMIF).
/>
Рисунок 3.22 – Диаграммы работыусилителя промежуточной частоты АМ–сигналов.
На рисунке 3.23 приведена схемаэлектрическая принципиальная смесителя ЧМ–сигналов. На рисунке3.24 – диаграммы его работы.
/>
Рисунок 3.23 – СмесительЧМ–сигналов (FMMIX).
/>
Рисунок 3.24 – Диаграммы работысмесителя ЧМ–сигналов.
4. Разработка физической структурыкристалла и технологического маршлута изготовления ИМС
Схема электрическая принципиальнаяразработана на основе биполярных транзисторов, поэтому примем структурукристалла изготовляемую по стандартной эпитаксиально — плонарной биполярнойтехпологии.
Для уменьшения площади кристаллаИМС в структуре предусмотреим двустороннюю разделительную диффузию. Длясоздания конденсаторов на основе МДП структуры необходимо предусмотреть наличиеслоя Si3N4под металической обкладкой.
Учитывая тот факт чторазрабатаваемая ИМС – АМ-ЧМ приемник, следовательно транзисторы используемые всхеме должны работать на высоких частотах. Для работы транзистора на высокихчастотах он должен иметь тонкую активную базу, для чего необходимо уменьшитьглубину ее залегания. Уменьшение же глубины залегания базовой областидостигается только снижением уровня лигирования.
В связи с тем, что базовая областьбудет иметь низкий уровень лигирования, необходимо предусмотреть область p-типапроводимости, которая обеспечит хороший контакт к базовой области. Для созданияэтой дополнительной области не будем вводить новых технологических операций, аиспользуем разделительную диффузию.
При разработке физической структурытакже необходимо учитывать что изготавливаться данная ИМС будет на предприятииОАО “Микрон”. Поэтому будем придерживаться тех параметров структуры которыенаиболее отработана на предприятии и хорошо конролируются.
Изобразим структуру кристалларазработанную с учетом вышеперечисленных особенностей. Так как самым сложнымэлементом структуры является n-p-n– транзистор, то приведем именно его структуру. (рисунок 4.1).
/>
HЭ– толщина эпитаксиального слоя;
XjБ– глубина залегания базовой области;
XjБ1– глубина залегания глубокой базы;
XjЭ– глубина залегания базовой области;
XjСС– глубина залегания скрытого слоя;
XjРСС– глубина залегания скрытого р-слоя.
Рисунок 4.1 – Физическая структураИМС.
В состав ИМС входятследующие элементы:
а) NPN — транзисторы;
б) PNP — транзисторыгоризонтальные;
в) резисторы наактивной базе;
г) МДП емкость.
Используя данные обовсех элементах используемых в схеме ИМС и слоях необходимых для создания данныхэлементов, разработаем технологический маршрут изготовления ИМС.
Технологический маршрут
0. Исходныйматериал КДБ 10 (111)
1. Окисление
2. ОПФЛ“Метки”
3. 1ПФЛ“N+скр. слой”
4. ЖХТ+снятие Ф/Р.
5. Травлениемикрорельефа.
6. Диффузиясурьмы 1,2 стадии.
7. Окисление0.27 мкм.
8. ПФЛ“Р+скр. слой”
9. И.Л.бора+отжиг.
10. Эпитаксия4мкм.
11. Окисление0.27 мкм.
12. ПФЛ“Метки-2”.
13. ПХТметок.
14. ТравлениеSiO2.
15. Окисление0.27 мкм.
16. ПФЛ“N+емкость”.
17. Диффузияглубокого коллектора.
18. Окисление0.3 мкм.
19. ПФЛпассивная база.
20. И.Л.пассивная база.
21. Отжигпассивной базы.
22. П.Ф.Л.“Активная база”.
23. И.Л.Активная база.
24. Отжигбазы 1.
25. П.Ф.Л.“Жесткая маска Si3N4.
26. П.Х.Т.Ж.М. SiO2 до Si.
27. Отжигбазы 2.
28. П.Ф.Л.”Технологическийэмиттер”.
29. И.Л.фосфора 50/800.
30. Отжигэмиттера.
31. ОсаждениеSi3N4.
32. П.Ф.Л.”Контактныеокна”.
33. П.Х.Т.”Контактныеокна”.
34. ПодгонкаВст., контроль Вст.
35. НапылениеAl-Si;0,45мкм.
36. П.Ф.Л.“Ме-1” + Ж.Х.Т
37. ОсаждениеИ.Д.
38. П.Ф.Л.И.Д.+П.Х.Т. И.Д.
39. Напыление“Ме-2” — Al-Si1,4мкм.
40. П.Ф.Л.“Ме-2”+Ж.Х.Т. “Ме-2”.
41. Осаждениепассивации.
42. П.Ф.Л.пассивации + П.Х.Т.
43. Вжигание+контроль В.А.Х.2
Параметры физическойструктуры разрабатываемой ИМС приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1 — Параметрыфизической структурыСлой № литографии Область структуры Параметр Единица измерения Значение Mин. Тип. Мaк. Н1 p- подложка
rv Ом´см – 10 – Н2 1 n+ СС
Rs Ом/кв. 15 20 25
Xj мкм 4.0 5.0 6.0 Н3 6 Р+ База
Rs* Ом/кв. 30 – 50
Xj мкм 2 – 3 H4 Эпитаксия Толщина Hэ мкм 3.5 4.0 4.5
rv Ом´см 0.85 1.0 1.15 H5 2 Глубокий коллектор
Rs Ом/кв. 12 – –
Xj мкм 4.0 4.5 5.0 Н6 6 Р+ База
Rs* Ом/кв. 200 220 240
Xj мкм 2 – 3 Н7 7 База
Rs Ом/кв. 660 700 760
Xj мкм 0.7 – 1.2 H8 11 Эмиттер
Rs Ом/кв 12 15 18
Xj мкм 0.35 0.4 0.45 Н9
SiO2 : N пленкой
D SiO2 мкм – 0.3 – Базовыми обл.
D SiO2 мкм – 0.3 – Эмиттерными обл.
D SiO2 мкм – 0.3 – Н10
Si3N4
D Si3N4 A 240 – 290 H11 12 Металл 1 AL+Si D Me1 мкм 0,45 – – H12 13 Изолирующий диэлектрик
D SiO2 мкм 1 – – H13 14 Металл 2 Al+Si D Me2 мкм – 1.4 – H14 15 Пассивация
D SiO2 мкм – 1 –
Электрические параметры элементовИМС для разработанной физической структуры, изготовленной по вышеуказанномутехнологическому маршруту приведены в таблице 4.2.
Таблица 4.2 — Электрическиепараметры элементовЭлементы Параметры Нижний предел Типовое Верхний предел NPN транзистор Коэффициент усиления Iк=10мкA 100 150 200 Напряжение пробоя К-Э Iк=100 мкA 10 В – 20 Напряжение пробоя Э-Б Iэ=10мкA 6.2 В 6.5 В 6.8 В Прямое напряжение Э-Б Iэ=50мкA 0.67 В 0.69 В 0.71 В Напряжение пробоя К-Б Iк=10 мкA 30 В – 40 Напряжение пробоя К-П I=10 мкA 30 В – – PNP транзистор Коэффициент усиления Iк=100мкAUкэ=5В 30 – – Напряжение пробоя К-Э Iк=10мкA 15 В – – Резисторы на базе Поверхностное сопротивление 700Ом/кв 760Ом/кв 820Ом/кв
Конструктивно-топологическиеограничения (вариант ПФЛ).
N+скрытыйслой.
Минимальная ширина — 5.0 мкм.
Глубокий коллектор.
Минимальный размер — 2.5мкм.
Разделение.
Минимальная ширина — 4.0 мкм;
минимальное расстояние до N+СС- 6.0 мкм;
минимальное расстояние до гл.коллектора — 4.0 мкм.
Р+база.
Минимальная размер — 2.0 мкм;
минимальное расстояние (в том числе база PNP) — 3.5 мкм;
минимальное расстояние доразделения — 4,0 мкм;
минимальное расстояние до гл.коллектора — 4.0 мкм.
База.
Минимальный размер — 6.0 мкм;
минимальное расстояние — 4.0 мкм;
минимальное расстояние доразделения — 4.0 мкм;
минимальное расстояние до гл.коллектора — 4.0 мкм.
Эмиттер.
Минимальный размер — 3.0 мкм;
минимальное расстояние — 2.0 мкм;
минимальное расстояние до базы — 1.5 мкм;
минимальное расстояние от Р+ базы доэмиттера — 1.5 мкм.
Емкость.
Минимальный размер — 5.0 мкм;
минимальное расстояние емкость – эмиттер — 1.0мкм.
Контактные окна.
Минимальный размер — 2.0 мкм;
минимальное расстояние до базы, резисторов — 1.0 мкм;
минимальное расстояние до эмиттера- 0.5 мкм;
минимальное расстояние до коллектора- 0.0 мкм.
Металл 1.
Минимальная ширина — 3.0 мкм;
минимальное расстояние — 2.8 мкм;
минимальное перекрытие контактных окон — 1.0 мкм.
Изолирующий диэлектрик (ИД).
Минимальный размер окон в ИД — 3.0 мкм;
минимальное расстояние металл 1- окно в ИД — 1.0 мкм.
Металл 2.
Минимальная ширина — 5.0 мкм;
минимальное расстояние — 5.0 мкм;
минимальное перекрытие контактных окон ИД — 2.0 мкм.
Пассивация.
Размер контактной площадки пометаллу 1 — 94´94 мкм;
расстояние от края окнав пассивации до металла КП — 10 мкм;
расстояние между контактнымиплощадками — 40 мкм.
5. Разработка топологии ИМС
5.1 Разработка библиотеки элементов
Разработку топологии проектируемойИМС проведем с помощью пакета программ проектирования топологии ПАРОМ. В качествеисходной информации при проектировании используем фотографию кристалла ИМСTA2003 и проектные нормы на разработку топологии.
На первом этапе проектированияпроизведем замеры геометрических размеров областей образующих элементы ИМС TA2003и исследуем их конфигурации. Используя полученные сведения о размерах иконфигурации элементов приступаем к разработке библиотеки элементов. Библиотекапредставляет собой набор файлов формата программы ПАРОМ. Каждый файл содержиттопологию отдельного элемента. В файл топологии ИМС элементы вызываются изсоответствующих файлов библиотеки.
Итак библиотека элементов приведенана рисунках 5.1 — 5.8.
К
Б
Э
Э
б)
а)
Б
К /> />
Рисунок 5.1 – N-P-Nтранзисторы (в обозначении элементов N– n-p-nтранзистор, 2514 – размеры транзистора: 25 – длинна, 14 – ширина. Масштаб 620:1)
а)
б)
Э
Э
Б
К
Э
Б
К /> />
Э
Э
Э
К
Б
Э
Э
Э
Э
Б
К
в)
г) /> />
Б
Б
Б
Э
Э
Э
Б
К
д) />
Рисунок 5.2 – N-P-Nтранзисторы (в обозначении элементов N– n-p-nтранзистор, 51183 – размеры транзистора: 511 – длинна, 83 – ширина. Масштаб620:1)
Э
Э
Б
К
Э
Э
Э
Э
Б
К
б)
а) /> />
Э
Э
Э
Э
Б
К
Э
Э
Б
К
г)
в) /> />
Б
Э
Э
К
Б
Э
Э
Э
Б
К
е)
д) /> />
Рисунок 5.3 – N-P-Nтранзисторы (в обозначении элементов N– n-p-nтранзистор, 32254 – размеры транзистора: 32 – длинна, 25 – ширина, 4 –числоэмиттеров)
Э
Б
К
Э
Э
Э
Э
К
Б
Э
Э
Э
Э /> />/> /> /> /> />
а) />
б) />
Э
Э
Б
К
Б
Э
Б
К /> />/> /> /> /> />
в) />
г) />
Э
Э
Э
Э
Б
Б
К
д) />
Рисунок 5.4 – N-P-Nтранзисторы (в обозначении элементов N– n-p-nтранзистор, 47274 – размеры транзистора: 47 – длинна, 27 – ширина, 4 –числоэмиттеров)
Э
Э
Б
К
Э
Э
Э
Э
Б
К /> />/> /> /> /> /> />
б) />
а) />
Б
Э
К
в) />
Рисунок 5.5 – N-P-Nтранзисторы ключевые (масштаб 620:1)
Э
Э
Б
К
б)
а)
Э
Б
К /> />
К
К
Э
Э
Б
К
К
К
Э
Э
К
Б
в)
г) /> />
е)
д)
Э
Э
Э
К
Б
Э
Э
К
К
Б
Б /> />
Рисунок 5.6 – P-N-Pтранзисторы (в обозначении элементов P– p-n-pтранзистор, 32432 – размеры транзистора: 32 – длинна, 43 – ширина, 2 –числоэмиттеров)
Э
Э
Э
К
К
Б
Э
К
Э
К
Э
Э
Б
К
б)
а) /> />
Рисунок 5.7 – P-N-Pтранзисторы (в обозначении элементов P– p-n-pтранзистор, 32895 – размеры транзистора: 32 – длинна, 89 – ширина, 5 –числоэмиттеров)
Б
К />
Рисунок 5.8 – Диод (масштаб 620:1)
В разработанную библиотеку невключены во первых конденсаторы так как их количество мало, все они имеютразличную емкость а следовательно различную конфигурацию. Во вторых не включенырезисторы, так как конфигурация каждого из них индивидуальна. Необходимо такжеотметить что конфигурация конденсаторов и резисторов не однозначна и меняется впроцессе разработки топологии.
После разработки библиотекиэлементов, используя полученные результаты, приступим к следующему этапу –компоновке элементов и блоков.
5.2 Компоновка элементов и блоков
Перед тем как приступать ккомпоновке элементов рассмотрим основные правила проектирования топологии ИМС.
Главноетребование при разработке топологии — максимальная плотность упаковки элементовпри минимальном количестве пересечений межэлементных соединений. При этомобеспечивается оптимальное использование площади кристалла при выполнении всехконструктивных и технологических требований и ограничений.
Приразработке топологии ИМС необходимо придерживаться следующих основных правилпроектирования топологии полупроводниковых ИМС с изоляцией p-n-переходом [5]:
1) Для учетавлияния диффузии примеси под маскирующий окисел, растравливания окисла, ошибокфотолитографии при составлении топологической схемы все элементы схем, кромеконтактных площадок, рекомендуется размещать на расстоянии от щели подразделительную диффузию, равном удвоенной толщине эпитаксиального слоя.
2) Кизолирующим p-n-переходам всегда должно быть приложено напряжение обратногосмещения, что практически осуществляется подсоединением подложки p-типа, илиобласти разделительной диффузии p-типа, к точке схемы с наиболее отрицательнымпотенциалом.
3) Приразмещении элементов микросхем и выполнении зазоров между ними необходимострого выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическомупроцессу.
4)Резисторы, формируемые на основе базового диффузионного слоя, можно располагатьв одной изолированной области, которая подключается к самому положительномупотенциалу схемы.
5) Резисторына основе эмиттерного и резисторного слоев следует располагать в отдельныхизолированных областях.
6) Реальнаяформа резисторов, кроме ширины полоски, не является критичной. Резисторы могутбыть прямыми, изогнутыми или иметь любую другую форму, однако во всех случаяхотношение длины резистора к его ширине должно быть согласовано с удельнымсопротивлением исходного диффузионного слоя и обеспечено получением заданногономинала. Высокоомные резисторы следует выполнять в виде параллельных полосок сперемычками между ними. Номинальное сопротивление резистора в этом случае будетвыдержано более точно, чем при изогнутом резисторе.
7) Дляуменьшения мест локального нагрева резисторы с большой рассеиваемой мощностьюне следует располагать вблизи активных элементов, а рекомендуется выносить ихна край кристалла.
8)Резисторы, у которых нужно точно выдержать отношение номиналов, должны иметьодинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Этоправило относится и к другим элементам микросхем, для которых требуетсяобеспечить согласование характеристик, т.е. их топологии должны быть одинаковы,а взаимное расположение — как можно более близким.
9) Любойдиффузионный резистор может пересекаться проводящей дорожкой, так какпроведение металлического проводника по слою двуокиси кремния, покрывающегорезистор, не оказывает существенного вредного влияния.
10) Форма иместо расположения конденсаторов не является критичными.
11) Длядиффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области.Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общимс другой изолированной областью.
12) Транзисторыn-p-n-типа, работающие в режиме эмиттерного повторителя, можно размещать водной изолированной области вместе с резисторами.
13) Всеколлекторные области n-типа, имеющие различные потенциалы, должны бытьизолированы.
14) Длякаждого диода, формируемого на основе перехода коллектор-база, должна бытьпредусмотрена отдельная изолированная область. Диоды, формируемые на основеперехода эмиттер-база, можно размещать в одной изолированной области.
15) Дляулучшения развязки между коллекторными изолированными областями контакт кподложке рекомендуется выполнять в непосредственной близости от мощноготранзистора.
16) Длядиффузионных областей требуются отдельные изолированные области.
17) Дляуменьшения паразитной емкости между контактными площадками и подложкой подкаждой из них рекомендуется создавать изолированную область. В этом случаеемкость между контактной площадкой и подложкой оказывается включеннойпоследовательно с емкостью изолирующего перехода и, следовательно,результирующая паразитная емкость уменьшается.
18)Соединения, используемые для ввода питания и заземления, следует выполнять ввиде коротких широких полосок, что обеспечивает уменьшение паразитныхсопротивлений.
19) Числовнешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактныхплощадок выводов микросхем на кристалле должны соответствовать выводам корпуса.
20)Коммутация элементов микросхем должна иметь минимальное количество пересечений.Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используяобкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторнымобластям транзисторов, применяя диффузионные перемычки и создаваядополнительные слои изоляции между пересекающимися проводниками. При разработкетопологической схемы необходимо стремиться к получению минимально возможнойдлины межэлектродных соединений.
21)Расстояние между диффузионной базовой областью и контактом коллектора можетбыть увеличено, чтобы провести одну или две металлические дорожки междуконтактами коллектора и базы. Это можно сделать, так как коллекторный токглавным образом протекает от базы через скрытый слой к коллекторному контакту.Металлический проводник не может быть размещен между контактами базы и эмиттераза счет удлинения базового слоя.
22) Наиболееважным правилом при разработке топологии является минимизация площади,занимаемой микросхемой. Это позволяет увеличить число микросхем, изготовляемыхна пластине. Кроме того, необходимо учесть, что вероятность случайных дефектовв полупроводниковом кристалле возрастает с увеличением площади. Размеры микросхемзависят от числа изолирующих областей и их площади, а также от суммарнойплощади соединительной металлизации, включая площадь, занимаемую контактнымиплощадками.
Осуществимпервоначальную компоновку блоков ИМС, для чего разметим площадь кристалла.Разметку проведем в соответствии с правилами проектирования топологии (рисунок5.9).
/>
Рисунок 5.9– Компоновка блоков ИМС на площади кристалла (обозначение блоков в соответствиисо структурной схемой – рисунок 2.1).
Однакоразметка является весьма условной и будет уточнена при компоновке элементовИМС. Компоновку элементов также проводим в соответствии с правиламипроектирования топологии. Показывать рисунки топологии отдельных блоков неимеет смысла, поэтому их можно видеть только на конечной топологии кристалла(приложение Г).
Трассировкумежэлементных соединений в разрабатываемой ИМС проводим посредством двухслойнойметаллизации. Толщины металла и изолирующего диэлектрика приведены в таблице 4.1
6.Расчет сметы затрат на разработку ИМС
Целью данного дипломного проектаявляется разработка ИМС АМ – ЧМ радиоприёмника.
Так как дипломный проект носитхарактер научной разработки, то в организационно — экономической части проведеманализ организации выполнения дипломного проекта и рассчитаем затраты наразработку.6.1 Организационнаячасть
В процессе выполнения дипломногопроекта определим рациональность организации своего труда. Для этого необходимосопоставить запланированное время на проектирование ИМС и оформление дипломногопроекта с фактически затраченным. На первом этапе составим план работы,определим исполнителей и рассчитаем плановую трудоемкость выполнения отдельныхэтапов работы, рассчитаем удельный вес каждого этапа в общем времени,отведенном на дипломное проектирование. А затем проведем аналогичные расчеты пофактическим данным. Результаты расчетов приведены в таблице 6.1.
Таблица 6.1 – Трудоемкость работыЭтап Содержание работы Исполнитель Трудоемкость плановая фактическая Чел.ч % Чел.ч % 1-й Составление задания на дипломный проект
Руководитель
Дипломник
0,5
0,5
0,09
0,09
0,5
0,5
0,09
0,09 2-й Обзор литературы по тематике проекта Дипломник 10,0 1,85 5,0 0,85 3-й Проектирование Дипломник 351,5 65,09 400,0 68,55 4-й Консультации по экологичности и безопасности
Консультант
Дипломник
1,0
1,0
0,19
0,19
1,0
1,0
0,17
0,17 5-й Консультации по организационно-экономической части
Консультант
Дипломник
1,0
1,0
0,19
0,19
1,0
1,0
0,17
0,17 6-й Консультации по написанию дипломного проекта Руководитель 23,5 4,35 23,5 4,03 7-й Оформление дипломного проекта (на компьютере) Дипломник 150,0 27,78 150,0 25,71 ИТОГО: 540,0 100,00 583,5 100,00
Из данной таблицы видно, чтофактическая трудоемкость составила 583,5 человекочасов, что на 43,5 часа большезапланированной.
Отклонения произошли на 2-м и 3-мэтапах. На обзор литературы по тематике проекта было потрачено времени меньше,чем было запланировано, что объясняется малым количеством источников информациипо настоящей теме дипломного проекта и возможностью получения информации изисточников ИНТЕРНЕТ.
Больше времени потребовалось дляпроектирования ИМС ввиду отсутствия практики моделирования больших схем. 6.2Экономическая часть
Затраты, связанные с выполнениемдипломного проекта, рассчитываются по смете, которая включает следующие статьи:
а) материалы (в том числе затраты наэлектроэнергию);
б) расходы на оплату труда;
в) единый социальный налог;
г) амортизационные отчисления;
д) прочие расходы.
Поочередно проведем расчет затрат покаждой статье.
Расчет затрат на материалы. В данномдипломном проекте производилась только разработка ИМС, что не предусматриваетзатрат каких — либо материалов. Поэтому в этом пункте рассчитаем только затратына электроэнергию.
Стоимость расходов на электроэнергиювычисляется по формуле:
/>, (6.1)
гдеW – потребляемая мощность оборудования, кВт;
CЭН – стоимость 1 кВт·ч энергии (сучетом НДС), руб.;
t – время работы оборудования, ч.
Расчет затрат на электроэнергиюопределяется исходя из мощности оборудования, времени его работы и стоимости 1кВт·ч энергии. Для проведения моделирования ИМС и оформления дипломного проектабыл использован компьютер Intel PentiumII 166 MHz.
Стоимость 1 кВт·ч энергии для данногодипломного проекта составляет
/> (6.2)
Результаты расчета затрат на электроэнергиюприведены в таблице 6.2.
Таблица 6.2 – Расчет затрат наэлектроэнергиюОборудование Мощность W, кВт Время эксплуатации оборудования t, ч Сумма, руб. Компьютер 0,4 500 216,0 ИТОГО: 216,0
Затраты на электроэнергию составили216 рублей.
Итак затраты на материалы включаюттолько затраты на электроэнергию и составляют 216 рублей.
Расчет расходов на оплату труда.Непосредственное отношение к написанию дипломного проекта имеютстудент-дипломник, руководитель на кафедре (к.т.н., доцент), консультант поэкологичности и безопасности и консультант по организационно — экономической части.
Рассчитаем для каждого из нихсреднечасовую ставку по формуле:
/> , (6.3)
где ЗП – заработная плата исполнителяза месяц (складывается из суммы оклада, должностных начислений и премий);
t – количество рабочих часов в месяц(примем t = 90 ч в месяц).
Данные для расчета суммы расходов наоплату труда приведены в таблице 6.3.
Таблица 6.3 – Расходы на оплату трудаДолжность Заработная плата, руб. Трудоемкость, t, чел.ч Средняя часовая ставка (СЧС), руб. Сумма, руб. Студент-дипломник 400 557,5 5,33 2971,48 Доцент (руководитель) 3300,0 24,0 44,00 1056,00 Доцент (консультант по экологичности и безопасности) 3080,0 1,0 41,07 41,07 Преподаватель (консультант по организационно — экономической части) 1610,0 1,0 21,47 21,47 ИТОГО: 4090,02
Расходы на оплату труда составили4090,02 руб., из них наибольшие расходы на оплату труда составили: 2971,47 руб.– дипломнику.
Расчет единого социального налога.Сумма отчислений на социальные нужды рассчитывается как процент от расходов наоплату труда людей, занятых в работе над дипломным проектом. Результатырасчетов по единому социальному налогу приведены в таблице 6.4.
Таблица 6.4 – Отчисления на единыйсоциальный налогВид отчислений Сумма расходов на оплату труда, руб. Ставка налога, % Сумма отчислений, руб. В Фонд социального страхования РФ 4090,02 4,0 163,60 В Пенсионный фонд РФ 4090,02 28,0 1145,21 В Фонд обязательного медицинского страхования РФ 4090,02 3,6 147,24 ИТОГО: 35,6 1456,05
Отчисления на единый социальный налогсоставили 1456,05 руб., из них наибольшую часть составляют отчисления вПенсионный фонд 1145,21 руб.
Расчет амортизационных отчислений.Сумма амортизационных отчислений рассчитывается по формуле:
ААМ = CМ.Ч · t, (6.4)
где CМ.Ч – стоимость одного машино-часа работы оборудования, руб.;
t – время работы машин, установок идругого оборудования в процессе дипломного проектирования, ч.
Стоимость одного часа работы машин иоборудования рассчитывается по формуле:
/>, (6.5)
гдеЦ – стоимость оборудования;
Тч.дн – количество рабочихчасов в день;
Тдн.г – количество рабочихдней в году (для расчетов примем 280 дней);
Тсл – срок службыоборудования.
Результаты расчета суммамортизационных отчислений для всего оборудования приведены в таблице 6.5.
Таблица 6.5 – Расчет сумм амортизационных отчисленийОборудование Стоимость оборудования, руб. Срок службы оборудования, лет Количество рабочих часов в день, ч Стоимость 1 машино-часа, руб. Время работы оборудования для выполнения дипломного проекта, ч Сумма амортизации, руб. Компьютер 10000 7 6 0,85 500 425,0 ИТОГО: 425,0
Сумма амортизационных отчисленийсоставила 425,0 рублей.
Прочие расходы. В эту статьювключаются расходы на канцелярские принадлежности, необходимые для оформлениядипломного проекта (таблица 6.6).
Таблица 6.6– Расчет прочих расходовМатериал Цена за единицу, руб. Количество Сумма, руб. Дискета, шт. 10,0 3 30,0 Бумага, кол-во листов 0,2 100 20,0 Стоимость печати пояснительной записки 1,0 100 100,0 Стоимость печати на плоттере 50,0 4 200,0 Ручка, шт. 3,0 2 6,0 Карандаш, шт. 5,0 3 15,0 Ластик, шт. 1,0 1 1,0 Ватман формата А1 6,0 4 24,0 Папка для диплома, шт. 100,0 1 100,0 ИТОГО: 496,0
Сумма прочих расходов составила 496,0рублей.
Составим смету затрат на выполнение дипломногопроекта, используя данные расчетов затрат по каждой статье. Результатыпредставлены в таблице 6.7.
Таблица 6.7 – Смета затратСтатья затрат Сумма, руб. Удельный вес, % Материалы 216,00 3,23 Расходы на оплату труда 4090,02 61,20 Единый социальный налог 1456,05 21,79 Амортизационные отчисления 425,00 6,36 Прочие расходы 496,00 7,42 ИТОГО: 6683,27 100,00
Общая сумма затрат на выполнениедипломного проекта составила 6683,27 руб. Наибольший удельный вес (61,20 %) всмете затрат занимают расходы на оплату труда, затем – отчисления на единыйсоциальный налог (21,79 %). Сумма затрат по данным статьям не может являтьсяслишком высокой. Затраты на выполнение дипломного проекта можно считатьобоснованными, так как затраты относительно низки, а разработанная микросхемаотвечает требованиям современной бытовой техники, следовательно будетвостребована потребителями.
6. Анализ опасных и вредных факторовпри работе с ПЭВМ
Электронно-вычислительная техникастала неотъемлемым элементом любого научного процесса. Компьютер стал привычнымне только в производственных цехах и научных лабораториях, но и в студенческихаудиториях и школьных классах, так как является не только сложной машиной,позволяющей производить сложные математические расчеты и инженерноемоделирование, но и универсальным обучающим устройством значительно облегчающимучебный процесс [6].
Непрерывно растет число специалистов,работающих с персональным компьютером, который становится их основным рабочиминструментом. Ни экономические, ни научные достижения невозможны теперь безбыстрой и четкой информационной связи и без специально обученного персонала.Однако, несмотря на все удобства и достоинства работы с персональнымкомпьютером имеется также и негативная сторона – вредные факторы, влияющие начеловека при работе на ПЭВМ.
Длительная,систематическая работа за компьютером считается вредной для здоровья. Онаоказывает неблагоприятное воздействие на эмоциональное, психическое и, какрезультат, физическое состояние человека, наиболее известное и распространенноеиз которого – потеря зрения. Но существуют и другие, менее известные, но отэтого не менее опасные, факторы, влияющие на здоровье человека. Рассмотримвлияние этих факторов.
Опасные и вредные факторы при работена ПЭВМ сводятся к следующему:
1) Наличие электромагнитных излучений. Воздействие слабых электромагнитных излучений в низкочастотном,сверхнизко частотном и высокочастотном диапазонах, вызывает обратимые и необратимые изменения в организме. Таких как:торможение рефлексов, понижение кровяного давления, замедление сокращенийсердечной мышцы, изменение состава крови в сторону увеличения числа лейкоцитови уменьшения эритроцитов, помутнение хрусталика глаза. Функциональныенарушения, вызванные биологическим воздействием электромагнитных полей,способны аккумулироваться в организме. Также следует отметить тепловоевоздействие электромагнитных полей, в результате которого может произойтиперегрев отдельных тканей и органов, ведущее к их необратимым изменениям. Дозыоблучения нормированы и согласно им напряженность электрического поля не должнапревышать:
— 20 В/м длячастот от 60 КГц до 30 МГц,
— 5 В/м длячастот от 30 МГц до 300 МГц.
Напряженностьмагнитного поля не должна превышать:
5 А/м для частотот 5 КГц до 1,5 МГц.
2) Неподвижная напряженная поза оператора, в течениедлительного времени прикованного к экрану дисплея, приводит к усталости ивозникновению болей в позвоночнике, шее, плечевых суставах.
3) Интенсивная работа с клавиатурой вызывает болевые ощущения влоктевых суставах, предплечьях, запястьях, в кистях и пальцах рук.
4) Работа компьютера сопровождается акустическими шумами,включая ультразвук.
5) Деятельность оператора предполагает, прежде всего,визуальное восприятие отображенной на экране монитора информации, поэтому значительнойнагрузке подвергается зрительный аппарат работающего с персональным компьютером.Факторами, наиболее сильно влияющими на зрение, являются несовершенные способысоздания изображения на экране монитора.
Многочисленными исследованиямироссийских и зарубежных специалистов доказано, что важнейшим условиембезопасности человека перед экраном является правильный выбор визуальныхпараметров дисплея и светотехнических условий рабочего места.
Работа с дисплеями – и это доказанооднозначно – при неправильном выборе яркости и освещенности экрана,контрастности знаков, цветов знака и фона, при наличии бликов на экране,дрожании и мелькании изображения – приводит к зрительному утомлению, головнымболям, к значительной физиологической и психической нагрузкам, к ухудшениюзрения [7].
Визуальные параметры и световойклимат определяют зрительный дискомфорт, который может проявляться прииспользовании любых типов экранов дисплеев – на электроннолучевых трубках,жидкокристаллических, газоразрядных, электролюминесцентных панелях или надругих физических принципах.
Общие требования к параметраммониторов. В новых Государственных стандартах России (ГОСТ Р 50948-96.«Средства отображения информации индивидуального пользования. Общиеэргономические требования и требования безопасности» и ГОСТ Р50949-96.«Средства отображения информации индивидуального пользования. Методы измеренийи оценки эргономических параметров и параметров безопасности») и в утвержденныхи введенных в действие санитарных правилах и нормах СанПиН 2.2.2.542-96.«Гигиенические требования к видеодисплейным терминалам, персональнымэлектронно-вычислительным машинам и организация работы», гармонизированных смеждународным и европейским стандартами, установлены требования к двум группамвизуальных параметров:
Первая группа: яркость, контраст, освещенность,угловой размер знака и угол наблюдения;
Вторая группа: неравномерность яркости, блики,мелькание, расстояние между знаками, словами, строками, геометрические, инелинейные искажения, дрожание изображения и т. д. (всего более 20 параметров)[7].
Однако не только конкретное значениекаждого из перечисленных параметров определяет эргономическую безопасность.Главное, совокупность определенных сочетаний значений основных визуальныхпараметров, отнесенных к первой группе. Можно утверждать, что каждому значениюрабочей яркости соответствуют определенные значения освещенности, угловогоразмера знака (расстояния наблюдения), угла наблюдения, обеспечивающиеоптимальные условия работы. И так для каждого из этих визуальных параметров.
Существенно влияет на зрительныйдискомфорт выбор сочетаний цветов знака и фона, причем некоторые пары цветов нетолько утомляют зрение, но и могут привести к стрессу (например, зеленые буквына красном фоне).
Визуальные параметры дисплеев могутбыть также улучшены путем установки специальных антибликовых контрастирующихфильтров.
От значения коэффициента пропусканияфильтра и коэффициента зеркального отражения зависит контрастность изображения,интенсивность бликов от внешних источников света и заметность мельканий, т. е.,в конечном счете, зрительное утомление. В электронно-лучевых трубках передовыефирмы мира начали использовать с теми же целями темные стекла, чернение зазоровмежду ячейками люминофоров, антибликовые покрытия.
6) Электронно-лучевая трубка монитораявляется потенциальным источником рентгеновского излучения.
Рентгеновскоеизлучение относится к ионизирующим излучениям. Следствием его воздействия можетбыть головная боль, повышенная утомляемость, раздражительность, изменениесостава клеток, и как следствие, высокая вероятность онкологическихзаболеваний. Основным способом защиты является нанесение на экран дисплеяспециальных поглощающих пленок. К организационным мерам защиты следует отнестиограничение времени работы за дисплеем, правильное размещение компьютера.
Все мониторы, соответствующиетребованиям безопасности, снабжаются специальной схемой защиты пользователя вслучае неисправности. Если напряжение на аноде становится слишком высоким,уровень рентгеновского излучения может повыситься. Поэтому мониторы снабжаютсяразрядниками, которые обеспечивают стекание энергии на землю в том случае, еслинапряжение становится избыточным. Иногда, особенно в условиях влажности, этасхема самопроизвольно срабатывает и вызывает помехи. Это проявляется какмгновенное «сворачивание» и последующее восстановление изображения.
До сих пор не обнаружено никакоговлияния рентгеновского излучения экрана на здоровье. [7]
7) Воздействие электростатического поля – статическогоэлектричества – на человека связано с протеканием через него слабого тока(несколько микроампер). При этом электротравм никогда не наблюдается. Однаковследствие рефлекторной реакции на ток возможна механическая травма при ударе орядом расположенные элементы конструкций, падении с высоты и т.д.
Люди, работающие в зоне воздействияэлектростатических полей, жалуются на раздражительность, головную боль,нарушение сна и прочее. Характерны склонность к психосоматическим расстройствамс повышенной эмоциональной возбудимостью и быстрой истощаемостью,неустойчивость показателей пульса и артериального давления.
Образующиеся заряды статическогоэлектричества устраняют чаще всего путем заземления электропроводных частейпроизводственного оборудования. Сопротивление такого заземления должно быть неболее 100 Ом. При невозможности устройства заземления практикуется повышениеотносительной влажности воздуха в помещении.
8) При работе с компьютером не следует исключать и такой факторкак электробезопасность.
Электробезопасность предусматриваетисключение возможности поражения человека электрическим током. При поражениичеловека электрическим током основным поражающим фактором является ток,проходящий через его тело. При этом степень отрицательного воздействия тока наорганы человека увеличивается с ростом тока. Вместе с тем исход пораженияопределяется и длительностью воздействия тока, его частотой, а также некоторымидругими факторами. Сопротивление тела человека и приложенное к нему напряжениетакже влияют на исход поражения, но лишь постольку, поскольку они определяют значениетока, проходящего через человека.
Электрический ток, вызывающий припрохождении через организм ощутимые раздражения, называется ощутимым током, аего минимальное значение пороговым ощутимым током [8].
Увеличение тока сверх пороговогоощутимого вызывает у человека судороги мышц и неприятные болезненные ощущения,которые с ростом тока усиливаются и распространяются на все большие участкитела.
Электрический ток, вызывающий припрохождении через человека непреодолимые судорожные сокращения мышц руки, вкоторой зажат проводник, называется не отпускающим током, а наименьшее егозначение — пороговым не отпускающим током. Средние значения пороговых неотпускающих токов составляют: для мужчин 16 мА при 50 Гц и 80 мА при постоянномтоке, для женщин (соответственно) 11 мА, 50 мА, для детей 8 мА, 40 мА.
Для обеспечения электробезопасностипри работе с электрооборудованием, питающимся от трехфазной четырехпроводнойсети применяется защитное зануление.
Опасность поражения током при прикосновениик корпусу и другим нетоковедущим металлическим частям электрооборудования,оказавшимся под напряжением вследствие замыкания на корпус или по другимпричинам, может быть устранена быстрым отключением поврежденнойэлектроустановки от питающей сети и вместе с тем снижением напряжения корпусаотносительно земли. Этой цели служит зануление.
Зануление – преднамеренноеэлектрическое соединение с нулевым защитным проводником металлическихнетоковедущих частей, которые могут оказаться под напряжением.
Нулевым защитным проводником,называется проводник, соединяющий зануляемые части с глухо заземленнойнейтральной точкой источника тока или ее эквивалентом. Эквивалентом нейтральнойточки источника тока могут быть: средняя точка источника постоянного тока, заземленныйвывод источника однофазного тока и т.п.
Принцип действия зануления –превращения замыкания на корпус в однофазное короткое замыкание (т.е. междуфазным и нулевым защитным проводниками) с целью вызвать большой ток, способныйобеспечить срабатывание защиты и тем самым автоматически отключить поврежденнуюэлектроустановку от питающей сети. Такой защитой являются: плавкиепредохранители или максимальные автоматы, устанавливаемые для защиты от токов короткогозамыкания.
Заключение
В ходе выполнения дипломного проектав соответствии с заданием произведён обзор литературы по вопросу принциповпостроения АМ-ЧМ приёмников, что необходимо для понимания алгоритма работырадиоприёмника.
Также во время выполнения работыбыла восстановлена схема электрическая принципиальная ИМС ТА2003.
Принципиальная электрическая схемасостоит из следующих функциональных блоков:
AMRF – усилитель радиочастоты АМ –сигнала;
FMRF – усилитель радиочастоты ЧМ –сигнала;
FM/AMSW– переключатель АМ – ЧМ-режимов;
AMOSC–гетеродин для смесителя АМ –сигналов;
FMOSC–гетеродин для смесителя ЧМ –сигналов;
AMMIX–смеситель АМ – сигналов;
FMMIX–смеситель ЧМ– сигналов;
AGC– блок автоматической регулировки усиления;
AMIF – усилитель промежуточной частотыАМ – сигнала;
FMIF – усилитель промежуточной частотыЧМ – сигнала;
AMDET – детектор АМ – сигнала;
FMDET – детектор ЧМ – сигнала.
Для ИМС разработана физическаяструктура кристалла и технологический маршрут изготовления. Так же разработанабиблиотека элементов, а на основе ее топология при помощи пакета программсквозного проектирования топологии ПАРОМ. При разработке физической структуры итопологии все технологические параметры ориентированы на производство даннойИМС на предприятии ОАО “Микрон”.
Разработанная микросхема построена наоснове супергетеродинного метода приёма с полностью раздельными трактами дляАМ- и ЧМ-режимов. Основными достоинствами ИМС является широкий диапазоннапряжений питания (3-8 В), малый размер кристалла (1,4x1,4 мм) и минимальное количество навесных элементов,необходимых для настройки и работы радиоприёмника.
Список использованных источников
1. Радиоприемные устройства, под ред. В.И.Сифорова.- М.: Радио и связь, 1974.-254 с.
2. Чистяков Н.И., Сидоров В.М. Радиоприемныеустройства.- М.: Радио и связь, 1974.- 321 с., ил.
3. Кононович Л.М. Современный радиовещательныйприемник — М.: Радио и связь, 1986. –354 с.
4.AM – FM Radio IC TA2003/ Toshiba //Toshiba bipolar linear integrated circuit. –1998. – 10 c.
5. Мелькина Н.Н. Методические указания к технико-экономическомуобоснованию дипломных проектов. – Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2003.– 28 с.
6. Белов С.В., Ильницкая А.В., Козьяков А.Ф.Безопасность жизнедеятельности: Учебник для вузов / Под общ. ред. С.В. Белова.2-е изд., испр. и доп. – М.: Высш. шк., 1999. – 448 с.
7. Пермогоров А. / О мониторах // Компьютеры от СПТК.– www.sptc.ru. –2000
8. Долин П.А. Основы техники безопасности вэлектроустановках: Учеб. пособие для вузов. – М.: Энергия, 1979. – 408 с.
Приложение А
/>
Приложение Б
/>