План
Введение
Разработка структуры усилителя
Разработка и расчет оконечного каскада усилителя мощности
2.1. Выбор первой пары транзисторов
2.1.1. Построение нагрузочной прямой в режиме В
2.1.2. Построение мощностных характеристик
2.1.3. Построение нагрузочной прямой в режиме АВ
2.2. Выбор второй пары транзисторов
2.2.1. Построение нагрузочной прямой в режиме В
2.2.2. Построение нагрузочной прямой в режиме АВ
2.3. Расчет напряжения смещения
2.4. Нелинейные искажения
Разработка и расчет предоконечного каскада
3.1. Выбор типа транзистора
3.2. Построение нагрузочных прямых
Разработка и расчет промежуточного каскада
4.1. Выбор операционного усилителя
4.2. Расчет масштабирующего усилителя с инвертированием сигнала
Разработка и расчет входного каскада
5.1. Выбор операционного усилителя
5.2. Расчет масштабирующего усилителя без инвертирования сигнала
Разработка и расчет блока питания
Разработка и описание печатной платы.
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Несмотря на быстрое развитие усилительной техники, бестрансформаторные усилители мощности по-прежнему играют важную роль.
Такие усилители могут быть легко выполнены по интегральной технологии. Именно поэтому современные БМУ представляют собой компактные и экономичные устройства. Кроме того, отсутствие частотно-зависимых элементов в цепях связи позволяет вводить глубокие отрицательные обратные связи не только по переменному, но и по постоянному току, что существенно улучшает характеристики усилителей.
Основной функцией усилителей мощности (УМ) является обеспечение в нагрузке заданного значения мощности; усиление по напряжению является второстепенным фактором, в результате УМ являются основными потребителями энергии источников питания. Для обеспечения высокого КПД мощные выходные каскады работают в режиме класса В или АВ. Схемы строят двухтактными на транзисторах различного типа проводимости (комплементарных), включенных по схеме с ОК или с ОЭ.
Исходные данные:
мощность, отдаваемая в нагрузку />;
сопротивление нагрузки />;
внутреннее сопротивление источника сигнала />;
диапазон усиливаемых частот />;
коэффициент частотных искажений />;
коэффициент гармоник />;
Разработка структуры усилителя
Усиление – это процесс увеличения электрических сигналов колебаний с сохранением их частотного спектра и фазовых соотношений. В настоящее время усилители электрических сигналов применяются практически в любых электронных устройствах, таких как: устройства воспроизведения и записи информации, устройства автоматики, измерительные устройства, вычислительная техника и т.д.
/>/>/>Р1 Р2
/>/>/>
Ро
/>
Рисунок 1 — Общая схема усилителя.
Процесс усиления электрического сигнала происходит за счет мощности, потребляемой от источника питания. Часть мощности Ро в усилителе преобразуется в мощность Р2, т.е. в мощность, выделяемую в нагрузке. Для преобразования мощности Ро в мощность Р2 затрачивается мощность Р1, т.е. мощность источника сигнала. Таким образом, усиление – процесс увеличения мощности источника сигнала.
В этом данном курсовом проекте проектируется устройство, структурная схема которого изображена на Рисунке 2.
/>/>/>/>
/>
/>/>/>/>/>Uс
/>/>/>/>/>/>
/>/>/>
/>/>/>Евх
/>/>/>
Рисунок 2 — Структурная схема проектируемого усилителя.
2. Разработка и расчет оконечного каскада усилителя мощности
Выберем в качестве оконечного каскада двухтактный, бестрансформаторный, каскад на составных биполярных транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором. Это позволит нам осуществить непосредственную связь с нагрузкой, а значит, обойтись без громоздких трансформаторов и разделительных конденсаторов. А т.к. последние являются частотно-зависимыми элементами, то их отсутствие существенно расширит полосу пропускания усилителя. Отсутствие частотно-зависимых элементов позволяет вводить глубокие обратные связи по постоянному току, что улучшает характеристики усилителя.
Выберем схему построения оконечного каскада.
Для повышения КПД транзисторы оконечного каскада используют в режиме класса В. Тогда оконечный каскад будет состоять из двух симметричных плеч, каждое из которых будет работать параллельно и в противофазе друг другу на общую нагрузку (Рисунок 3).
Однако при этом существенно увеличиваются нелинейные искажения. Поэтому выходные каскады обычно используют в режиме АВ (при этом в принципиальную схему добавляется цепь смещения), обеспечивая высокий КПД и малые нелинейные искажения. Такие схемы выполняют на комплиментарных транзисторах.
/>
При значительной мощности выходного сигнала (более 5 Вт) или при слишком большом коэффициенте гармоник может возникнуть ситуация, когда для предоконечного каскада тоже может потребоваться режим АВ. В этом случае оконечный каскад выполняют на составных транзисторах.
2.1 Выбор 1ой пары транзисторов
Первая пара транзисторов составляет свой каскад. Он состоит из двух комплементарных транзисторов V1 и V2, работающих на общую нагрузку />. По своим усилительным свойствам транзисторы V1 и V2 должны быть идентичны. В схеме (Рисунок 4) транзисторы V1 и V2 включены с ОК. Напряжения источников питания равны между собой />. При положительных входных сигналах транзистор V1 работает в активном режиме и усиливает входной сигнал, а транзистор V2 заперт. При отрицательных входных напряжениях — наоборот. Таким образом, транзисторы работают в активном режиме попеременно, каждый в течение одного полупериода входного напряжения. При /> оба транзистора заперты.
/>
а) рассчитаем амплитуду выходного питания:
U = (2PнRн )1/2;
/>=/>=15,49 В;--PAGE_BREAK--
б) выберем напряжение питания:
Eп = Uнм + Uост= 15,49 + 6 = 21,49, следовательно Eп = 21 В
Uост= 6 В;
в) рассчитываем мощность, рассеиваемую на одном транзисторе:
/>/>= 6,2 Вт
г) ток нагрузки:
/>А, то есть Ikm = 1,94 A;
д) исходя из рассчитанных данных выбираем пару транзисторов:
/>
это транзисторы КТ-818В и КТ-819В.
КТ-818В — это кремневые мезаэпитаксиально – планарные p-n-p-транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Корпус пластмассовый с гибкими выводами или металлический, масса не более 15 г.
КТ-819В — это кремневые мезаэпитаксиально – планарные n-p-n-транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах, блоках аппаратуры. Корпус пластмассовый с гибкими выводами, масса не более 2,5 г. или металлостеклянный, масса не более 15 г.
2.1.1 Построение нагрузочной прямой в режиме В
Будем рассчитывать транзисторы в режиме класса В. Этот режим соответствует условию, когда начальное смещение между базами и эмиттерами транзисторов отсутствует и при отсутствии входного сигнала ток коллекторов близок к нулю. Анализ энергетических характеристик усилителя проводят для одного плеча, считая, что параметры второго плеча идентичны.
Строим нагрузочную прямую:
/>
1) Iк = 0, Uкэ = Еп = 21 В
2) Uкэ = 0, />
/>
Рисунок 5 — Выходные характеристики транзистора КТ-819В.
Нагрузочная прямая на выходных характеристиках каждого из транзисторов проходит через точку В(1) с координатами
/>; />
и точку 4: />; /> = 6 В;
На входной характеристике транзистора положение рабочей точки определяется в соответствии с положением рабочей точки на выходных характеристиках.
/>, />,
/>, />,
/>, />.
/>
Рисунок 6 — Входная характеристика транзистора КТ-819В.
Из входной характеристики находим:
/>; />.
2.1.2 Построение мощностных характеристик
На Рисунке 7 представлены мощностные характеристики усилителя в режиме В. Это зависимости мощностей нагрузки, потребляемой от источника питания и рассеиваемой на коллекторах транзисторов, от амплитуды напряжения на нагрузке.
/>
Рисунок 7 — Мощностные характеристики усилителя.
2.1.3 Построение нагрузочной прямой в режиме АВ
В режиме класса АВ за счет введения небольшого смещения и задания также небольшого тока покоя транзисторов амплитудная характеристика изменяется и становится более линейной, переходные искажения существенно уменьшаются. Если задать ток покоя равным максимальному току в нагрузке, то получим режим класса А. Однако переходные искажения в достаточной степени уменьшаются, даже если ток покоя составляет незначительную часть максимального тока в нагрузке.
/>
Итак, для первой пары транзисторов:
Ik0= 0,1Iнm= 0,1*1,94 = 0,194 A
Теперь построим нагрузочную прямую в режиме АВ. Она проходит через точку АВ с координатами />, /> и точку 3 с координатами
/>=19,5–14,49 = 5,01 В,
/>=1,94+0,194 = 2,134 А
/>
Рисунок 8 — Выходные характеристики транзистора КТ-819В.
Теперь переносим точки на входную характеристику:
/>,
/>,
/>,
/>.
Для этих токов находим соответствующие напряжения Uбэ:
/>,
/>,/>,
/>.
/>
Рисунок 9 — Входная характеристика транзистора КТ-819В.
Найдем амплитудные значения :
/>
/>
/>
/>
Откуда получаем: />;
/>=0,35+14,49=14,84В.
Рассчитав максимальные значения входного тока /> и напряжения />, определяют мощность, потребляемую входной цепью усилителя от предыдущего каскада и входное сопротивление: продолжение
--PAGE_BREAK--
/>,
/>.
2.2 Выбор 2ой пары транзисторов
Для второй пары транзисторов составного каскада входные параметры первого являются выходными, то есть для выбора транзисторов используем следующие данные:
Eп = Uнм + Uост= 14,84 + 6 = 20,84, следовательно Eп = 21 В
Uост= 6 В;
/>
/>/>= 0,15 Вт
/>, то есть Ikm = 50 мA;
/>
Исходя из рассчитанных данных выбираем пару транзисторов:
это КТ-629А и КТ-630А.
КТ-629А — это кремниевые эпитаксиально–планарные p-n-p-транзисторы предназначены для использования в быстродействующих импульсных и других неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту от действия солнечного света, влаги и так далее, для аппаратуры широкого применения. Оформление бес корпусное, на диэлектрической подложке. Масса не более 0,02 г.
КТ-630А — это кремневые планарные n-p-n-транзисторы используются в быстродействующих импульсных и других схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами, масса не более 2 г.
2.2.1 Построение нагрузочной прямой в режиме В
Строим нагрузочную прямую:
/>
1) Iк = 0, Uкэ = Еп = 21 В
2) Uкэ = 0, />21 / 297 = 70 мА;
Выходные характеристики:
Нагрузочная прямая на выходных характеристиках каждого из транзисторов проходит через точку В(1) с координатами
/>; /> =21В
и точку 4: />; /> = 6 В;
/>
Рисунок 10 — Выходные характеристики транзистора КТ-630А.
На входной характеристике транзистора положение рабочей точки определяется в соответствии с положением рабочей точки на выходных характеристиках.
/>, />,
/>, />,
/>, />.
/>
Рисунок 11 — Входная характеристика транзистора КТ-630А.
2.2.2 Построение нагрузочной прямой в режиме АВ
Теперь построим нагрузочную прямую в режиме АВ для второй пары транзисторов. Она проходит через точку />с координатами />, /> и точку /> с координатами
/>= 19 – 14,84 = 4,16В,
/>= 50*10-3+10*10-3 = 60мА
/>, так как />; />
Затем переносим точки на входную характеристику:
/>,
/>,
/>,
/>.
/>
Рисунок 12 — Выходные характеристики транзистора КТ-630А.
Для этих токов находим соответствующие напряжения Uбэ:
/>,
/>,
/>,
/>.
/>
Рисунок 13 — Входная характеристика транзистора КТ-630А.
Найдем амплитудные значения:
/>
/>
/>
/>/>
Откуда получаем: />;
/>=0,13+14,84 = 14,97В.
Рассчитав максимальные значения входного тока /> и напряжения />, определяют мощность, потребляемую входной цепью усилителя от предыдущего каскада и входное сопротивление:
/>,
/>,
2.3 Расчет напряжения смещения
Для режима АВ посчитаем напряжение смещения: продолжение
--PAGE_BREAK--
/>;
/>;
Исходя из полученного напряжения смещения выбираем диоды, которые компенсируют его. Выберем три универсальных диода КД519А.
2.4 Нелинейные искажения
Транзисторы в УМ работают при значительных амплитудах сигнала, поэтому усилителям мощности присущи значительные нелинейные искажения. В режиме класса В усилители являются экономичными, но обладают повышенными искажениями, которые определяются, во-первых, существенной нелинейностью входных характеристик транзисторов, во-вторых, неидентичностью как входных, так и выходных характеристик и, в-третьих, нелинейной зависимостью тока коллектора от тока базы.
В схеме с ОК уменьшение нелинейных искажений достигается за счет 100%-ной отрицательной обратной связи по напряжению. Построения амплитудной характеристики каскада ОК, работающего в режиме В соответствует уравнениям:
/>
Rc=0; Rн =8Ом
/>;
Для токов коллектора найдем Uн:
/>/>;
/>/>;
/>/>;
/>/>.
Для токов базы и соответствующим им /> найдем Евх:
/>, />,
/>, />,
/>, />,
/>, />.
/>;
/>;
/>;
/>.
Построение амплитудной характеристики для режима АВ:
/>
Эта характеристика более линейна вблизи начала координат по сравнению с режимом В.
/>; и/>
Для токов коллектора найдем Uн:
/>/>;
/>/>;
/>/>;
/>/>.
Для токов базы и соответствующим им /> найдем Евх при
/>:
/>, />,
/>, />,
/>, />,
/>, />.
/>;
/>;
/>;
/>.
Теперь посчитаем коэффициент нелинейных искажений по третьей гармонике в режиме В:
/>.
Теперь посчитаем коэффициент нелинейных искажений по третьей гармонике в режиме АВ:
/>.
/>
Рисунок 14 — Амплитудная характеристика оконечного каскада.
3. Разработка и расчет предоконечного каскада
При необходимости получения больших выходных токов существенно возрастает ток, потребляемый базовыми цепями транзисторов УМ от предварительного каскада. Предварительные каскады, как правило, являются усилителями напряжения, работающими в режиме класса А.
Предоконечный каскад предназначен для согласования оконечного каскада на составных комплиментарных транзисторах, работающих в режиме класса АВ, с выходом ОУ А2. Предоконечный каскад построен на биполярном транзисторе n-p-nтипа, который включен по схеме с ОЭ в цепь смещения оконечного каскада вместо резистора R4 (Рисунок 15).
/>
Рисунок 15 — Принципиальная схема предоконечного и оконечного каскадов.
3.1 Выбор типа транзистора
Для предоконечного каскада входные параметры второй пары составного каскада являются выходными, то есть для выбора транзисторов используем следующие данные:
/>; />=14,97В. продолжение
--PAGE_BREAK--
/>,/>,
Eк =2Еп, следовательно Eк = 42 В
/>;
/>
/>
/>
Исходя из рассчитанных данных выбираем транзистор: это КТ-601А — кремневые планарные n-p-n-транзисторы предназначенные для работы в радиовещательных и телевизионных приемниках, в усилительной аппаратуре и других устройствах. Корпус герметичный, металлический, с гибкими выводами, пластмассовый. Масса транзистора не более 2 г.
3.2.1 Построение нагрузочных прямых
1) Строим нагрузочную прямую по постоянному току:
/>
а) Iк = 0, Uкэ = Ек = 42 В
б) Uкэ = 0, />42 / 3476 = 11 мА;
2) Строим нагрузочную прямую по переменному току:
/>
а) />;
/>
/>
/>
б) IK=0
/>
/>
/>
Рисунок 16 — Выходные характеристики транзистора КТ-601А.
Затем переносим точки на входную характеристику:
/>,
/>,
/>,
/>
/>
Рисунок 17 — Входная характеристика транзистора КТ-601А.
Для этих токов находим соответствующие напряжения Uбэ:
/>,
/>,
/>,
/>
Выбрав необходимый режим работы транзистора, то есть исходное положение рабочей точки на нагрузочной прямой и определив по характеристикам ток и напряжение смещения базы, необходимо обеспечить во входной цепи транзистора это напряжение смещения. Простейший способ обеспечить это смещение — включить в цепь базы транзистора источник напряжения Uбэ0.
/>
/>/>
/>
Iд >>Iб; Iд =(3… 5)Iб = 4Iб0 = 4*118 = 472 мкА;
/>
/>
/>
/>
4. Разработка и расчет промежуточного каскада
Данный каскад будет построен на операционном усилителе. Операционный усилитель – это усилитель постоянного тока, имеющий высокий коэффициент усиления порядка несколько сотен единиц.
В данном каскаде применяем масштабирующий операционный усилитель с инвертируемым сигналом.
/>
Рисунок 18 — Принципиальная схема промежуточного каскада.
Основной функцией этого усилителя умножение входного сигнала на постоянный коэффициент. В данной схеме операционный усилитель охвачен отрицательной параллельной обратной связью по напряжению.
4.1 Выбор операционного усилителя
Основные параметры операционного усилителя:
1) КU — коэффициент усиления по постоянному току, чем больше коэффициент, тем ближе операционный усилитель к идеальному.
2) Rвх – входное сопротивление;
3) Rвых – выходное сопротивление;
4) /> — напряжение питания, /> — около 5%;
5) Uвыхm – максимальная амплитуда выходного сигнала 80 %Еп
6) R н,min(1…2) кОм
7) I н,max = (5…10) мА
8) fв – верхняя граничная частота;
10) есм – напряжение смещения нуля;
11) Iвх1, Iвх2
Выберем операционный усилитель К140УД6, у которого
Uсм= 10 мВ, Iвх= 30 нА, ΔIвх= 10 нА, Uп= (5-17)В, Iпот= 4 мА, Rвх=1МОм, кос.сф.=70 Дб, Rн,min=1кОм.
4.2 Расчет масштабирующего усилителя с инвертированием сигнала
При анализе усилительных свойств схемы на операционном усилителе будем считать, что /> продолжение
--PAGE_BREAK--
/>;
/>
так как />, откуда получим
/>
Также />,
из предыдущего каскада имеем Uвых = 0,04 В, а Uвх = 5 мВ, откуда
/>
Теперь рассчитаем R1 и R2:
Зададимся произвольным значением R2 при условии R2>>Rнmin ,
Так как Rнmin = 1 кОм, откуда
С другой стороны
/>>>I0
/>, />>>103 I0
Пусть I0 = 0,001 мкА, тогда />>> 1 мкА, следовательно />=10 мкА
/>,
/>
R2
/>, так как к0→∞, то />
/>
/>
/>
5. Разработка и расчет входного каскада
Данный каскад также будет построен на операционном усилителе. Только в отличие от предыдущего каскада мы выбираем масштабирующий усилитель без инвертирующего сигнала. Это каскад согласовывает высокое входное сопротивление сигнала с каскадом, обладающим более меньшим входным сопротивлением.
Операционный усилитель охвачен отрицательной последовательной обратной связью по напряжению.
/>
Рисунок 19 — Принципиальная схема входного каскада.
5.1 Выбор операционного усилителя
Выберем операционный усилитель К140УД6, у которого
Uсм= 10 мВ, Iвх= 30 нА, ΔIвх= 10 нА, Uп= (5-17)В, Iпот= 4 мА, Rвх=1МОм, кос.сф.=70 Дб, Rн,min=1кОм.
5.2 Расчет масштабирующего усилителя без инвертирования сигнала
При анализе усилительных свойств схемы на операционном усилителе будем считать, что />
/>;
/>
так как />, откуда получим
/>.
Также />,
из предыдущего каскада имеем Uвых = 5 мВ, а Uвх = 5 мВ, откуда
/>
Теперь рассчитаем R1 и R2:
Зададимся произвольным значением R2 при условии R2>>Rнmin ,
Так как Rнmin = 1 кОм, откуда
С другой стороны
/>>>I0
/>, />>>103 I0
Пусть I0 = 0,001 мкА, тогда />>> 1 мкА, следовательно, />=10 мкА
/>, />
R2
/>, так как к0→∞, то />
6. Разработка и расчет блока питания
Блок источника питания необходим для преобразования переменного напряжения сети (~220 В, 50 Гц) в постоянное напряжение, необходимое для питания всех узлов проектируемого устройства. Схема выпрямителя напряжения представлена на Рисунке 20.
/>
Рисунок 20 — Схема выпрямителя напряжения
Максимально необходимое постоянное напряжение равно напряжению питания усилителя мощности Еум=21 В, а так как питание двухполярное, то напряжение на выходе источника питания должно быть Uм=42 В. Другим необходимым параметром для расчета является отдаваемая в устройство мощность. Она равна сумме мощностей, потребляемых каждым отдельным узлом устройства — />. Но, так как микросхемы потребляют незначительную мощность (все микросхемы не более Рм=1Вт), то потребляемая мощность в основном определяется мощностью, отдаваемой в нагрузку Рн и мощностями, рассеиваемыми на коллекторах транзисторов в УМ. Мощность, рассеиваемая на резисторах, также невелика (не более PR£4Вт).
/>
По исходным данным в качестве трансформатора выбираем трансформатор питания устройств на полупроводниковых приборах ТПП267-127/220-50 (ШЛМ 25х25). Отдаваемая мощность этим трансформатором 57Вт, что значительно больше требуемой. Это необходимо для предотвращения перегорания трансформатора, так как при включении питания мощность достигает пиковых значений, превышающих номинальное.
Структура выбранного трансформатора представлена на Рисунке 21. Основные параметры трансформатора ТПП267-127/220-50 представлены в таблице 1.
/>
Рисунок 21 — Структура трансформатора ТПП267-127/220-50.
Таблица 1. Основные параметры трансформатора ТПП267-127/220-50 продолжение
--PAGE_BREAK--
Рном, Вт
Ток первичной обмотки, А
Напряжение обмоток, В
Ток вторичных обмоток, А
11-12,
13-14
15-16,
17-18
19-20,
21-22
57
0.615/0.36
5
4.97
1.31
2.52
Для подключения трансформатора к сети ~220В необходимо соединить выводы первичной обмотки 3 и 7, 1 и 6, а напряжение подавать на выводы 2 и 9. На выходе трансформатора должно быть напряжение, действующее значение которого 1.11Uср=1.11*40=44.4В, т.к. диодный мост будет выделять постоянную составляющую напряжения, т.е. Uср. Для получения постоянного напряжения на выходе трансформатора соединим последовательно все вторичные обмотки. Соединим выводы 12 и 15, 16 и 19, 20 и 13, 14 и 17, 18 и 21. Обмотки коммутируются подобным образом для того, чтобы можно было вывести среднюю точку (выводы 13 и 20). Выходное напряжение снимается с выводов 11 и 22. После трансформатора ставится диодный мост. В качестве диодов VD1-VD4 выбираем диоды 2Д220А, параметры которых Iпр max=6А, Uобр max=400 В, Uпр=1 В. на выходе диодного моста для сглаживания пульсаций поставим емкость. Для обеспечения коэффициента пульсаций Кп=0.05 необходима емкость С»600 мкФ. В качестве этой емкости выберем 3 параллельно соединенных алюминиевых оксидно-электрических конденсатора К50-20-100В-220мкФ.
На выходе получаем постоянное напряжение Uп1=±21±1В. от этого напряжения будет питаться усилительный каскад. Для питания остальных узлов устройства необходимы напряжения Uп2=±10 В и Uп3=±5 В. Для этого подключим к Uп1=±21В каскад, изображенный на Рисунке 22.
/>
Рисунок 22 — Цепь питания маломощных устройств.
Рассчитаем цепь питания, изображенную на Рисунке 22. Выберем стабилитроны VC1 и VC2 – 2С215Ж с напряжением стабилизации 15 В и током стабилизации 4.7мА, VC3 и VC4 – 2С147Г с напряжением стабилизации 5 мА.
Сопротивления R3 и R4 выбираем из условия
/>.
Тогда можно найти емкость С2:
/>.
Выбираем конденсатор К50-6-16В-50 мкФ±5%.
Сопротивления R1 и R2 выбираем из условия:
/>.
Тогда можно найти емкость C1:
/>.
Выбираем конденсатор К50-6-16В-50 мкФ±5%.
7. Разработка и описание печатной платы
Основная цель конструирования – создание коммутационного устройства для объединения всех элементов в функциональную схему с обеспечением требуемых технических и электрических параметров в заданном диапазоне характеристик при минимальных затратах.
Для этого необходимо выбрать тип печатной платы, определить класс точности, установить конфигурацию и габаритные размеры.
При конструировании печатных плат необходимо особое внимание обращать на выбор материала платы. Для печатных плат, эксплуатируемых при малых механических нагрузках, рекомендуется использовать гетинакс, при больших – стеклотексолит.
Габаритные размеры, конфигурацию и место крепления печатной платы выбирают в зависимости от того, где эти платы будут использоваться. В нашем случае будем разрабатывать печатные платы простой прямоугольной формы.
Размещение элементов конструкции печатных плат рекомендуется условной координатной сеткой.
Для удобства расположим каждый отдельный узел на отдельной печатной плате: УМ на одной плате, источник питания на другой.
Заключение
В данной работе спроектирован бестрансформаторный низкочастотный усилитель мощности, соответствующий заданным параметрам.
В ходе работы разработана принципиальная электрическая схема этого усилителя, с указанием причин выбора именно такой конфигурации. По каждому из каскадов отдельно также дается краткое описание.
В данной работе представлен расчет каждого из каскадов усилителя и преведены используемые в процессе расчета характеристики.
Также приведен расчет нелинейных искажений, создаваемых оконечным каскадом, работающим в режиме класса АВ. Нелинейные искажения предварительных каскадов очень малы, поэтому при расчете общего коэффициента нелинейных искажений не учитывается.
К данному курсовому проекту прилагается чертеж, выполненный на бумаге формата А1 и представляет собой принципиальную электрическую схему спроектированного усилителя, вид разработанной печатной платы со стороны проводящего рисунка и крепление элементов на печатной плате.
Список использованной литературы
Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник. Под общ. ред. Н.Н.Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 744с.
Интегральные микросхемы. Справочник. Под ред. Б.В. Тарабрина. — М.: Радио и связь, 1983г -528с.
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н.Н.Горюнова. — М.: Энергия, 1976г -744с.
Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под ред. Б.Л.Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981г -656с.
Лукашенков А.В. Электронные устройства автоматики и телемеханики. Лабораторная работа №16. Расчет и исследование бестрансформаторных усилителей мощности. Методические указания. — Тула.: ТулПИ, 1988г -32с.
Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств. — М.: Высшая школа, 1989г -223с.
Александров К.К, Кузьмина Е.Г. Электротехнические чертежи и схемы. — М.: Энергоатомиздат, 1990г-228с.