АННОТАЦИЯ К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ ПО КУРСУ
«КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ МИ И МС»
Автор: Олейников ПС-466
При выполнениикурсового проекта были получены как теоретические на-
выки ( в Iсеместре 1996 года) , так и практические( во II семестре
1997 года).
Изучилисобственно разработанный технологический процесс на практике
в лаборатораных условиях от начала до конца, а именно :
1. Расчетэлементов гибридной ИМС.
2. Разработкатопологии гибридной ИМС.
При разработкетопологии учитывают особенности тонкопленочной техно-
логии, конструктивные и технологические ограничения.
Разработаннаятопология должна :
— cоответсвоватьпринципиальной электрической схеме;
— yдовлетворятьвсем предъявленным конструктивным требованиям;
— быть составлена таким образом, чтобы дляизготовления микросхемы
требоваласьнаиболее простая и дешевая технология;
— oбеспечитьзаданный тепловой режимы и возможность проверки элемен-
тов в процессеизготовления;
3. Составлениетаблицы координат пленочныхэлементов ГИС ,
( и введение вкомпьютер).
4. Созданиефотооригинаов с помощью координатографа.
(5. Созданиефотошаблонов (в НИИ). )
6. Напылениеподложки с помощью установки вакуумного напыления.
На платупервоначально напыляется сплошная пленка резистивного мате-
риала , а поверхнее сплошная пленка проводникового матeриала. Затем
наносится фоторезист, который экспонируется черезфотошаблон, проявля-
ется изадубливается. Через окна в фоторезисте травителем удаляются
участки одновременно проводниковой и резистивной пленкитам, где в со-
ответствии с топологическим чертежом поверхность платыостается свобо-
дной.
Далее проводитсявторая фотолитография, в результате которой селек-
тивным травителем с поверхности резистивной пленкиудаляется проводни-
ковая пленка в тех местах, где должны быть резисторы.
Резистивные пленки играют роль подслоя для улучшенияадгезии токоп-
роводящих пленок к плате.
Диэлектрикипленочного конденсатора напыляются и проводниковая плен-
ка верхней обкладки напыляются через маски. Этообъясняется отсутстви-
ем надежныхселективных травителей, которыевоздействовали бы только
на диэлектрические пленки, не повреждая нижележащиепроводниковые.
7. Создание масокдля диэлектрического слоя и слоя верхней обкладки
конденсатора.
8. Двойнаяфотолитография резистивного слоя и слоя нижней обкладки
конденсатора.
9. Напыление спомощью масок остальных слоев (кроме защитного).
10. Нанесениезащитного слоя с помощью фотолитографии.
Эти основные 10операций были успешно освоены при проведении практи-
ческой части курсового проекта.
Задачи и целикурсового проекта выполнены :
Задачей курсовогопроекта являлась разработка конструкции ИМС в соо-
тветствии сзаданной в техническом задании принципиальной электричес-
кой схемой и схемы технологического процесса сборкиданной микросхемы.
Целью работы над курсовым проектом являлосьприобретение практичес-
ких навыков решения инженерной задачи создания конкретногомикроэлект-
ронного изделия, атакже закрепление, углубление и обобщение теорети-
ческих знаний, приобретенных на предыдущих этапахобучения. (В допол-
нение в концекурсового проекта приведена схема выбранного технологи-
ческого процесса.)
Подводя итоги проделанной работы, важно отметить, что конструкция
данной микросхемы была разработана по материалам,предложенным в мето-
дической литературе по курсовому проектированию.
Примененые конструктивно-технологические решения должны, на наш
взгляд обеспечить необходимые электро-техническиепараметры пленок.
— 1 -
СОДЕРЖАНИЕ: стр.
Задание накурсовой проект и исходные данные к проекту............1а
ВВЕДЕНИЕ ИПОСТАHOВКА ЗАДАЧИ......................................2
АНАЛИЗ ТРЕБОВАНИЙТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ............................2
ВЫБОР МАТЕРИАЛОВ
Подложки ГИС иее размеры.......................................3
Пленочныеэлементы: резисторы и конденсаторы...................4
Проводники иконтактные площадки................................4
Выбор навесныхэлементов для ГИС................................5
Kраткиехарактеристики основных методов формирования
конфигураций элементовтонкопленочных ГИС........................5
РАСЧЁТ РЕЗИСТОРОВПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ.............................6
РАСЧЁТСОПРОТИВЛЕНИЙ КОНТАКТНЫХ ПЕРЕХОДОВ ТИПА
«РЕЗИСТОР — ПРОВОДНИК»............................................10
РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХКОНДЕНСАТОРОВ...............................11
РАЗРАБОТКАТОПОЛОГИИ ИМС..........................................13
Топологическиерасчеты..........................................13
СХЕМАТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕСА....................................16
ГРАФИЧЕСКОЕПРИЛОЖЕНИЕ (СПИСОК СХЕМ, ЧЕРТЕЖЕЙ И Т.П.)
Маршрутныекарты технологического процесса… П1
Схемаэлектрическая принципиальная… П2
Расчетырезисторов… П3
Расчетыконденсаторов… П4
Топологическиечертежи слоев… П5
Чертежсовмещённой топологии… П6
Сборочныйчертёж микросхемы… П7
Чертёжплаты… П8
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.......................................................20
СПИСОКЛИТЕРАТУРЫ................................................21
— 2 -
ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНOВКА ЗАДАЧИ
Интегральнаямикросхема (ИМС) — это конструктивно законченое изделие
электронной техники, выполняющее определенную функциюпреобразования и
содержащее совокупность электрически связанных между собой электрора-
диоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в единомтехнологическом цикле. Ра-
зличают полупроводниковые и пленочные ИМС.
— Полупроводниковая ИМС — та микросхема, все элементы и межэлементные
соединения которой выполнены в объеме и на поверхностиполупроводника.
— Пленочная ИМС — та микросхема, все элементы и межэлементные которой
выполнены в виде пленок.
Гибридная ИМСсодержит, кроме пленочных элементов, также компоненты.
В зависимости от толщины пленок и способа их получения пленочные и
гибридные микросхемы подразделяют на тонко- итолстопленочные.
— ТонкопленочнаяИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок до 1
мкм, элементы которой изготавливаются преимущественнометодами вакуум-
ного распыления и осаждения .
— ТолстопленочнаяИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок
10-70 мкм, элементы которой изготавливаются методами фарентной печати
(сеткография).
В нашем случае мы будем изготавливать гибриднуютонкопленочную ИМС,
так как последняя представляет собой комбинацию пленочных пассивных
элементов ЭРЭ(резисторы, конденсаторы) с миниатюрнымибескорпусными
дискретными активными приборами (транзисторы и т.п.)
Краткаяклассификация ИМС представлена на рис. 1 [3]
┌────────────────────────┐
│ Интегральные микросхемы│
└────────────┬───────────┘
┌──────────────────┬──┬┴────────┬─────┬────────┐
│Полупроводниковые │ │Гибридные│ │ Прочие │
└─┬────────────────┘ └─────────┘ └────┬───┘
┌─────────┴─┐ ┌─────────┬───────┬─────────┬┴─┬────────────┐
│Совмещенные│---------│Пленочные│ │Вакуумные│ │Керамические│
└───────────┘ └─────────┘ └─────────┘ └────────────┘
рис. 1
Элементы ИМС располагаются на небольшой площади плотнодруг к другу
и формируются одновременно. Это обуславливает малый технологический
разброс ихпараметров . При разработке ИМСстремятся выбрать схемное
решение с минимальным количеством пасствныхэлементов, так как резис-
торы и конденсаторы занимают значительную площадь платыИМС. К тому же
технологмческие возможности создания этих элементов сдостаточной точ-
ностью номиналов ограничены.
АНАЛИЗТРЕБОВАНИЙ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
МикросхемаК2УС261А обладает широкими функциональными возможностями.
Она может быть использована как дифференциальныйусилитель, широкопо-
лосный усилитель сэмиттерным повторителем и т.п. Напряжение питания
12.6 В +/- 10%, потребляемая мощность не более 23мВт. ИМС К2УС261А
предназначена дляиспользования в коротковолновой и ультракоротковол-
новой радиоаппаратуре на частотах до 200 МГц.
Срокслужбы.........................................15000 ч
Максимальнаярабочая температура....................120 С
— 3 -
Анализируя схемуэлектрическую принципиальную, можно утверждать, что
данная ИМС является микросхемой 2-й степениинтеграции. При ее произ-
водстве можно использовать различные методы формированияэлементов. В
случае массовогопроизводства лучше применить фотолитографический ме-
тод. При серийноми мелкосерийном производстве больше подходит масоч-
ный метод [1]. Для упрощения технологического процесса мыбудем приме-
нять комбинированный метод: резисторыи проводники изготовим двойной
фотолитографией, а конденсаторы — методом свободноймаски.
Задачи и целикурсового проекта :
Задачей курсовогопроекта является разработка конструкции ИМС в соо-
тветствии сзаданной в техническом задании принципиальной электричес-
кой схемой и схемы технологического процесса сборкиданной микросхемы.
Целью работы над курсовым проектом являетсяприобретение практичес-
ких навыков решения инженерной задачи создания конкретногомикроэлект-
ронного изделия, атакже закрепление, углубление и обобщение теорети-
ческих знаний, приобретенных на предыдущих этапахобучения. (В допол-
нение в концекурсового проекта приведена схема выбранного технологи-
ческого процесса.)
ВЫБОР МАТЕРИАЛОВ
Подложки ГИС и ее размеры [2]
*************************
Подложки в ГИС служат диэлектрическим и механическимоснованием для
расположения активных и пассивных элементов, а такжепленочных и наве-
сных элементов. Подложка изолирует отдельныеэлементыГИС и является
теплоотводным элементом конструкции . Поэтому подложка должна иметь
гладкую и плоскую поверхность, высокое объемноесопротивление, химиче-
скую инертность к нанесенным пленкам, высокую электрическую и механи-
ческую прочность, высокую рабочую температуру и небольшуюстоимость.
Выбор того илииного материала зависит от наличия. Мы в качестве по-
дложки будем использовать либо СИТАЛЛ, либо ПОЛИКОР. Это наиболее де-
шевые материалы , коме того, они имеют наименьший коэффициент линей-
ного расширения, что может определять стабильностьпараметров ГИС. СИ-
ТАЛЛЫ представляют собой аморфно-кристаллические стекла.Они допускают
обработку поверхности до высокого классачистоты , обладают высокой
механической прочностью и удовлетворительнойтеплопроводностью. Эти
материалы используются в основном в маломощных ГИС, таккак имеют ма-
лую теплопроводность.
Габаритные размеры подложек стандартизированы. Размеры подложек из
ситалла и поликора преимущественно 48 х 60 мм, толщина0.5-0.6 мм.
Платытонкопленочных ГИС должны быть дешевыми, иметь высокую2 меха-
ническую прочность, теплопроводность, термостойкость ихимическую сто-
йкость.
Высокая механическаяпрочность керамики позволяет использовать плату
в качестве детали корпуса с отверстиями, пазами, авысокая теплопрово-
дность дает возможность изготовлять мощные микросхемы.
Самую высокуютеплопроводность имеет бериллиевая керамика, но в мас-
совом производстве ее не используют из-за высокой токсичности окиси
бериллия. Керамику типа «поликор»и «ситалл» применяют длясоздания
многослойных тонкопленочных ИМС.
Точностьизготовления пассивной части микросхемы в значительной мере
зависит от плоскотностии шероховатости платы. Максимальнаякривизна
поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкмна 1 мм. Шеро-
ховатость (микронеровность) рабочейповерхности платы должна быть не
ниже 8-го класса (высота неровностей 0,32-0,63 мкм). Болеевысокая чи-
стота обработки поверхности платы, так как агдезия толстых пленок к
шероховатой поверхности лучше, а влияние микронеровностей мало сказы-
вается на свойствах пленок толщиной 10-70 мкм.
— 4 -
Размеры плат определяются конкретной конструкциейкорпуса. Толщина
плат 0,6-1,0 мм. С учетом выбранного металлостеклянного корпуса
1206(153.15-1) и топологических расчетов размер платыбудет 16,0 х 15,0
мм.
Пленочные элементы: резисторы и конденсаторы [2]
*********************************************
ТонкопленочныеРЕЗИСТОРЫ являются наиболее распространенными элемен-
тами ИМС и могут быть изготовлены из разныхматериалов: из металлов и
их сплавов, из смесей металлов и полупроводников, изсмесей металлов и
диэлектрических материалов . Чаще всего используется ХРОМ ГОСТ
5905-67, имеющий сопротивление квадрата пленки от 200 до 600 Ом/■ и
обладающий мощностью рассеяния около 10 мВт/мм^2. Приэтом он довольно
стабилен вовремени. Тонкопленочные резисторырасполагают на гладкой
поверхности защитного диэлектрика, не содержащей ступенек. Основными
параметрами резистивных материалов являются удельное сопротивление
квадрата резистивной пленки , температурный коэффициент сопротивления
и допустивная мощность рассеяния.
Наилучшим материалом для обкладок КОНДЕНСАТОРОВ является алюминий,
который, однако имеет плохую адгезию к подложке. Обкладки конденсато-
ров должны иметь высокую проводимость, коррозионную стойкость, техно-
логическую совместимость с материалом подложки идиэлектрика конденса-
тора: ТКЛР, близкие к ТКЛР подложки и диэлектрика,хорошую адгезию к
подложке и диэлектрику, высокую механическую прочность.
Материалдиэлектрика должен иметь хорошую адгезию к подложке и мате-
риалу обкладок, обладать высокой электрической прочностьюи малыми по-
терями, иметь высокую диэлектрическую проницаемость иминимальную гиг-
роскопичность, не разлагаться в процессе формированияпленок. При из-
готовлении пленочных конденсаторов рекомендуется применятьмоноокись
кремния или моноокись германия, как наиболеетехнологичные. Для созда-
ния ГИС неоходимы резистивные пленки с удельнымповерхностным сопроти-
влением Ps (ro) от десятков до десятков тысяч ом на квадрат. Чем
меньше толщтна пленок, тем выше Рs.
Проводники и контактные площадки [2]
********************************
ПРОВОДНИКИ. Элементы ИМС электрически соединены междусобой с по-
мощью алюминиевой разводки толщиной до 0.8 мкм.
КОНТАКТНЫЕПЛОЩАДКИ. Контактные площадки (КП),располагаемые обычно
по периферии полупроводникового кристалла, служат для создания полуп-
роводниковой схемы с выводами с помощью золотых илиалюминиевых прово-
лочек (методом термокомпрессии). Для КП используют тот же материал,
что и для создания разводки (обычно алюминий).
Проводники и контактные площадки должны иметь малоеудельное сопро-
тивление , хорошуюадгезию к подложке высокую коррозионную стойкость.
Для изготовления проводников и контактных площадок могут быть ис-
пользованы различные металлы, отличающиесядруг от друга по величине
электропроводности и по прочности сцепления с подложкой.Первоначально
на подложку наносится пленка материала , имеющего хорошую адгезию к
подложке (нихром или титан), затем — материал с высокой удельной про-
водимостью (алюминий, медь и др.), после чего — пленкаиз материала,
обеспечивающего условия для припайки или приваркипроволочных или дру-
гих выводов, атакже защиту проводниковой дорожки от внешних воздейс-
твий.
Металлы , обладающие высокой электропроводностью,имеют, как прави-
ло, неудовлетворительную прочность сцепления сподложкой. И лишь АЛЮ-
МИНИЙ используетсябез подслоя в качестве материала для проводников и
контактных площадок. Остальные металлы применяют с подслоем для повы-
шения адгезии проводников к подложке.
— 5 -
Выбор навесных элементов для ГИС [2]
********************************
Использованиенавесных элементов в ГИС чаще определяется соображени-
ями экономии места на плате или связано с трудностямиобеспечения тре-
буемых точностных характеристик пленочных элементов. В нашем случае в
качестве навесных элементов ГИС применяем бескорпусныетранзисторы.В
гибридных пленочных микросхемах широкоприменяют в качестве навесных
элементов миниатюрные полупроводниковыеприборы: транзисторы, диоды, и
т.д.
Важнейшимитребованиями, предъявляемыми к этимкомпонентам ГИС, яв-
ляются малыегабариты и вес. Недостатком приборов сгибкими выводами
является трудностьавтоматизации процессов их сборки и монтажа в кор-
пусе ГИС. Применение приборов с шариковыми выводамизатрудняет конт-
роль процеса сборки. Приборы с балочными выводами дороги,но позволяют
автоматизировать сборку, увеличивать плотность монтажа.
Kраткиехарактеристики основных методов формирования
конфигураций элементов тонкопленочных ГИС [1]
*****************************************************
Для формированияконфигураций проводящего, резистовного и диэлектри-
ческого слоев используют различные методы:
1. Масочный — соответствующие материалы напыляют на подложку через
съемные маски
2. Фотолитографический — пленку наносят на всюповерхность подложки, а
затемвытравливают с определенных участков
3. Электроннолучевой — некоторые участки пленки удаляют позаданной
программе сподложки испарением под воздействием электронного луча.
4. Лазерный — аналогичен электроннолучевому, тольковместо электроного
применяют луч лазера.
Наибольшеераспространение получили два первых способа , а также их
комбинации.
МАСОЧНЫЙМЕТОД.(кратко)
Последовательностьнапыления для масочного метода:
1. Резисторов;
2. Проводников иконтактных площадок;
3. Межслойнойизоляции;
4. Проводников;
5. Нижнихобкладок конденсаторов;
6. Диэлектрика;
7. Верхнихобкладок конденсаторов;
8. Защитногослоя;
(При отсутствииконденсаторов исключаются операции 5-7, а при отсутс-
твии пересечений — операций 3,4)
ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОД. При этом методе используют два варианта
технологии.
Первый вариант :
1. Напылениематериала резистивной пленки;
2. Напылениематериала проводящей пленки;
3. Фотолитографияпроводящего слоя;
4. Фотолитографиярезистивного слоя;
5. Нанесениезащитного слоя;
Второй вариант :
1. Напылениематериала резистивной пленки;
2. Напылениематериала проводящей пленки;
3. Фотолитографияпроводящего и резистивного слоев;
4. Фотолитографияпроводящего слоя;
5. Нанесениезащитного слоя;
— 6 -
КОМБИНИРОВАННЫЙМАСОЧНЫЙ И ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОДЫ.
При этом методетакже используют два варианта технологии.
Первый вариант :
1. Напылениерезисторов через маску;
2. Напылениепроводящей пленки на резистивную;
3. Фотолитографияпроводящего слоя;
4. Поочередноенапыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и
верхнихобкладок конденсаторов;
5. Нанеснениезащитного слоя;
Второй вариант :
1. Напылениерезистивной пленки;
2. Напылениепроводящей пленки на резистивную;
3. Фотолитографияпроводящего и резистивного слоев;
3. Фотолитографияпроводящего слоя, напыление через маску нижних
обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;
4. Нанеснениезащитного слоя;
Подробнее рассмотреть этапы метода ФОТОЛИТОГРАФИИ — см. СХЕМА ВЫБ-
РАННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕСА.
РАСЧЕТРЕЗИСТОРОВ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ
Как было ужесказано выше, изготовление пленочныхрезисторов и про-
водников будет осуществляться в два этапа: напыление пленок необходи-
мых материалов, азатем будет произведено двойное селективное травле-
ние. Ниже представлены основные технологические параметрыэтих процес-
сов, удельноесопротивление контакта (Rкп) взято из условия, что про-
цесс напыления пленок происходит без разгерметизациирабочей камеры.
Погрешностьширины резистора дb........................0.01 мм
Погрешность длинырезистора дl.........................0.01 мм
Погрешностьр■.........................................2.5 %
Удельноесопротивление контакта, Rкп...................0.2 Ом мм¤
Погрешностьсовмещения (дельта совм)...................0.1 мм
Минимальнаядопустимая длина резистора lmin............0.1 мм
Минимальнаядопустимая ширина резистора bmin...........0.1 мм
Характеристикаматериала:
ХРОМ.
Сопротивлениер■.......................................500 Ом/■
Температурныйкоэфф. сопротивления, ТКС................6.10-5 Ом/ С
Погрешностьстарения, ст...............................0.1 %/час
Исходнми даннымидля расчета пленочных резисторов служат номинальное
сопротивление R, рассеиваемая мощность Р, допустимая погрешность соп-
ротивления Vr. ( Вкачестве дополнительных ограничений могут быть за-
даны рабочее напряжение Uраб, частота fраб и др.
Вообще, расчет резистора начинают с выбора резистивного материала.
При этом необходимо учитывать , что коэффициент формы тонкопленочного
резистора прямоугольной конфигурации должен находиться в пределах
0.1
учитывать, что прирасчете группы тонкопленочных резисторов, входящих
в состав одной ИМС и располагаемых на одной плате , крайне нежела-
тельно одинаковую толщину пленочных резисторов.
— 7 -
Для нашеговарианта исходные данные представлены в таблице.1
Tаблица.1
┌──┬───────┬────────┬──────────────┐ а также :
│No│Номинал│ Допуск │Рассеиваемая │ — максимальнаярабочая темпе-
│ │R, Ом │ +/- % │ мощность │ ратура Тmax = +60 ...+120 С,
├──┼───────┼────────┼──────────────┤ — длительность работы микрос-
│1 │ 100 │+/- 14 │ 1*10^-14 │ хемы t = 12000… 15000 ч,
│2 │ 100 │+/- 14 │ 1*10^-14 │ — массовое производство,
│3 │ 1200 │+/- 20 │ 0.3 │ — шаг координатнойсетки 0.01
│4 │ 30000 │+/- 14 │ 3 │ мм (в зависимости от координато-
│5 │ 11000 │+/- 20 │ 3 │ графа)
│6 │ 4300 │+/- 20 │ 8 │ - температурный коэффициент
│7 │ 24000 │+/- 20 │ 2 │ сопротивления а RT,
│8 │ 11000 │+/- 20 │ 1 │ - относительная погрешность
│9 │ 4300 │+/- 20 │ 21 │ старения на заданное число ча-
└──┴───────┴────────┴──────────────┘ сов Vст.
Примечание :
Все расчеты были проведены на компьютере сиспользованием программ-
ного пакета «MathCAD 2.0 ver.» по методике,указанной в [2].
Результатырасчетов указаны ниже, а также в приложении.
Итак,
1. Определяемудельное (оптимальное) сопротивление р■:
n
Ri
i=1
р■= -------- , где n — общее количество резисторов,
n 1
----
i=1 Ri
Для нашеговарианта резистивный материал — ХРОМ, для которого р■ от
50 .... 600Ом. Поэтому дальнейший расчет будемпроизводить для р■ =
= 500 Ом/■.
2. Коэффициентформы каждого резистора:
Кф = R /p■ ,
Если коэффициентыформы разные , то есть их значения от10.
А это значит, что у резисторов :
┌───┐ ┌───┐
│ ─┼───┼─ -│--- | l |
│ |│ │ | │ ┌───┐ ┌───┐
│ |│ │ | │ │ ─┼────────────┼─ │--
│ |│ │ | │ b │ | │ │ | │ b
│ |│ │ | │ │ ─┼────────────┼─ │--
│ |│ │ | │ └───┘ └───┘
│ ─┼───┼─ -│--- (Б)
└───┘ l└───┘
(А)
— 8 -
| L |
| ┌───┐
| ┌────────────┐ ┌───────┼─-│----
| │ +--------+ │ │ +-----│-| │
| │ |┌────┐ | │ │ |┌───┼─ │
| │ | │ a │ | │ │ | │ └───┘
| │ | │ │ | │ │ | │ B
┌───┐ │ | │ │ |│ │ | │ lcp
│ ─┼───┘ | │ │ | └---─┘ |│
│|-│-----+ │ │ +-- b---+ │
│ ─┼───────┘ └────---─────┘------------
└───┘ (В)
рис.2
- R1 и R2 (Кф
- R3, R6 и R9 (1 ширины b, (рис.2 (Б))
- R4, R5, R7 и R8 (Кф > 10) — форма меандра(змейка), (рис.2 (В))
3. Относительноеизменение сопротивления при наибольшей рабочей тем-
пературе:
Vт = a RT (Tmax — 20 ) 100% ,
4. Максимальнодопустимое значение относительной погрешности коэффи-
циента формырезистора:
Vк.ф.доп = Vr- Vp■ — Vт — Vст — Vкп, — где
Vr — допуск,
Vp■ — относительная погрешность воспроизведениявеличины удельного
поверхностного сопротивления (в зависимости отвыбранного техпроцес-
са),
Vкп = 2 Rкп / R, задается при расчетах 2...3 %.
5. Один из минимальных размеров каждого резистора ( для различных
коэффициентовформы — по-разному ), исходя из полученного значе-
ния Vк.ф.доп:
Найдем для R1и R2 (Кф
b + l/Kф
bmin [V] =----------- ,
Vк.ф.доп
Найдем размерыдля R3, R6 и R9 (1 ширины b),
(рис.2 (Б))
l + b/Kф
lmin [V] =----------- ,
Vк.ф.доп
Найдемгеометрические размеры для R4, R5, R7 и R8 (Кф > 10)
(форма меандра), (рис.2 (В))
6. Один из минимальных размеров каждого резистора ( для различных
коэффициентовформы — по-разному ), исходя издопустимой рассе-
иваемоймощности Р:
При Кф > 1 :
P
bmin [P]= ------ , где Р0 — удельная рассеиваемая мощность.
P0 + Kф
— 9 -
При Кф
P + Kф
bmin [P]= ------ , где Р0 — удельная рассеиваемая мощность.
P0
7. Определяемодин из минимальных размеров:
bmin = max { bmin [V], bmin [P],bmin [m] }, или
lmin = max { lmin [V], lmin [P], lmin [m]},
где bmin [m], lmin [m] — минимально допустимые размеры элемента,
обусловленные технологическим процессом.
8. Полученныезначения bmin (lmin) округляем до ближайшего большего
размера,кратного шагу координатной сетки, равному 0.01 мм.
9. Определяемвторой размер резистора:
l = bо Kф, или b = lо Kф .
10.Округляем полученные величины доближайшего большего значения,
кратного шагукоординатной сетки и определяем площадь, занимае-
муюр