«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»

ALL LIST PUBLICATIONS (RUS)(ENG) ( Standard of the American Physical Society)Antimatter and POSITRONics, positron ANNIHILATION, PHYSICS OF COMPLEX SYSTEMS, synergetics, MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, nanotechnology, OTHER ADJACENT PROBLEMS (Научные статьи, монографии, тезисы докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов, статьи и доклады, отчеты)( Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses, papers and reports)№ п/п В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы е+Н-. Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий». М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6. В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах. Физика твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.48. Вып.4. С.1155-1158. Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа // В кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочно-галоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.282-289. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // В кн.: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.70. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с. 19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.464-466. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425. Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.2770-2772. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Н- в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1967. Т.3. Вып.4. С.471-477. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967. Т.9. Вып.7. С.1266-1268. Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. №2. С.450-451. Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.2079-2087. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.1904-1910. Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. 1970. №1. С.227-230. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции позитронов для исследования процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809. Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе // Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560-563. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы О2-е+ в кристаллах // Физика твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964. Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.11. С.3194-3198. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl // Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3. С.715-717. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т.14. С.588-590. Прокопьев Е.П. О свойствах F+ - центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599. ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2. С.361-367. Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ. №59-74 Деп., 47 с. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1974. №4. С.38-40. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79. Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18. С.776-779. Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799. 52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1975. №6. С.147-148. 53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. М., 1975. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454. РИ.75.3800. 54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999. Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1422. РИ.75.09.2278. Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795. Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457. РИ.75.15.3796.Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.275. Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9. С.50-55. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1978. №1. с.76-80. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.118-122. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor, Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475. Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23 Всесоюзная конференция по люминесценции”. Кишинев: Штиница. 1976. С.5. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. М., 1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717. РИ.76.12.3940. Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167. Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.100-103. Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с глубокими примесными центрами // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.95-100. Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.550. Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.101. Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.552. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280. Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов // В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976. С.333. Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // В кн.: “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания “Физика и технические применения полупроводников А2В6 “. Киев: Наукова Думка, 1976. С.165. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А2В6”. Киев: Наукова Думка, 1976. С.166. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977. Т.19. С.1339-1344. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. М.,1977. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542. Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412. Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”. Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А3В5 // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.11. С.3339-3344. Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.1. С.64-67. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977. Вып.2. С.114-116. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.152-153. Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5. С.891-894. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках”. Киев: Наукова Думка. 1977. С.88. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118-120. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39. Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. С.803-806. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.153-155. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.1. С.278-280. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных дефектов (пленка-подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов “5 Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1978. С.157. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников // Известия вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония // Известия вузов. Физика. 1979. №5. С.66-70. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Радиационные дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции позитронов в соединениях А3В5 // В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений А3В5”. Л.: Изд.-во ЛПИ, 1978. С.43. Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.409. Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258. Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978. Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367. Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al2O3 методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “20 Всесоюзное совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3. “Cверпроводимость”. С.77. Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №28. 1979. Сер. “ЭР”. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32. Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. С.1810-1815. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A2B6 // Физика твердого тела. 1979. Т.21. С.2452-2454. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. М., 1979. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. Вып.5. С.62-66. Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 600 дислокациями в полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.145. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.143-144. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.554. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.7. С.1271-1275. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В кн.: “Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22. Вып.4. С.1252-1253. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208.Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22. P.208. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4. С.1892-1922. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. 1980. Т.25. С.1396-1398. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в полупроводникапх п- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1980. Вып.1. С.71-74. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р-п перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.1414-1418. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.569. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3135. М., 1981. 6 с. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов. Физика. 1981. №4. С.16-17. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная промышленность. 1980. №11-12. С.20-22. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. 1981. Т.51. С.1938-1941. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.2. С.32-34. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs п-типа, методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.556. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.552. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. М.: Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A3B5, облученных гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ ИТЭФ, 1980. 18 с. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23. С.1542-1545. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1981. Вып.3. С.95-97. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.9. С.47-48. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитронов при низких температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.82-84. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной аннигиляции // Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.314-315. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.313. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “7 Совещание по стеклообразному состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР, 1981. С.46. Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука, 1981. С.601. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.515. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As2S3 и As2Se3 // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.11. С.2163-2166. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.40-43. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982. С.50-54. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “6 Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок”. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76. Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovic-Н и р-. М., 1991. С.55-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и космическая гамма-астрономия. М., 1991. С.58-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и проблема суператомов в полупроводниковых сверхструктурах. М., 1991. С.62-65. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в квантовых ямах полупроводниковых сверструктур. М., 1991. С.66-67. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях. М., 1991. С.68 - 69. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр атома позитрония в малых сферических частицах. М., 1991. С.70-71. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактическо