«Дефектность структуры и свойства магниторезистивных манганит-лантановых перовскитов» В.П.Пащенко1, А.А.Шемяков1, В.К.Прокопенко1, А.В.Пащенко1, В.А.Турченко1, В.П.Дьяконов1,2, H.Szymczak2.1Донецкий физико- технический институт им. А.А. Галкина НАНУ 83114, г. Донецк, ул. Р.Люксембург 72.2Институт Физики Польской академии наук (г. Варшава). E-mail: pashchen@pashchen.fti.ac.donetsk.uaКомплексными исследованиями, выполненными рентгеноструктурным, пикнометрическим, магнитным, резистивным, ЯМР методами керамических и пленочных образцов самодопированных LaMnO3±δ и допированных (La0,7A0,3)MnO3±δ (A – Ca2+; Sr2+) и La0,6Sr0,2Mn1,2-xBxO3±δ (B – Cr; Fe; Co) установлено, что реальная перовскитовая структура содержит катионные и анионные вакансии и более сложные дефекты кластерного типа, концентрации которых увеличиваются при увеличении содержания избыточного марганца. Показано, что для керамических образцов, спеченных при пониженных температурах (1100 – 12000С) характерно увеличение магниторезистивного эффекта (), а для спеченных при более высоких температурах (1350 – 15000С) – уменьшение при повышении содержания марганца. На основе анализа всех полученных результатов, в том числе и энергии активации, предложена экситонная модель электропроводности в манганит-лантановых перовскитах. Различия температур фазовых переходов “метал-полупроводник” (Tms) и Кюри (Тс) объяснены различной нестехиометрией перовскитовой структуры. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn и 139La подтверждают высокую дефектность перовскитовой структуры и мезоскопическую неоднородность ее решетки с которыми связаны свойства магниторезистивных материалов.