MOSFET транзисторы в компактном корпусе для SMD монтажа QFN3333 от компании NXPКомпания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET транзисторов в новом компактном корпусе для SMD монтажа QFN3333, размером всего 3,3х3,3х1 мм. Линейка транзисторов, включающая в себя 12 элементов, выполнена по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon 3,6+ мОм и малым зарядом затвора QGD. Транзисторы рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30-220 В, ток (ID) до 40 А и рабочий диапазон температур -50…150 °C. Комбинация технологии Trench 6 с компактным корпусом QFN3333 обеспечивают большую надежность транзисторов, позволяет уменьшить площадь печатной платы и расширить разработчикам границы применения.Основные преимущества: - высокая эффективность при применении в силовых схемах переключения благодаря низкому сопротивлению RDSon открытого канала, низкого заряда затвора QGD, и использованию новых технологий 6 поколения Trech 6 - высокая скорость переключения до 500 кГц - маленький размер корпуса оптимален для применений в компактных устройствах - высокие тепловые характеристики Rth(j-mb) - уменьшенные пиковые значения при переключении - нормированные лавинные параметры, протестированные на заводе-изготовителе, дающие гарантию высокой надежностиВ таблице приведен краткий перечень и характеристики MOSFET транзисторов в корпусе QFN333: