Альтернативные носители информации

Реферат По дисциплине электроника По теме: «Альтернативные носители информации» Введение Современный человек не в состоянии жить без информации. Но ин-формации имеет такую особенность — ее надо где–то хранить. Систем хра-нения информации сейчас довольно много. Ее можно хранить на магнитных носителях, можно хранить на оптических и магнитооптических носителях.

Но перед человеком в наше время также стоит довольно важная проблема — перенос информации из одного места в другое, а также не менее важная про-блема хранения информации, и как следствие, надежность носителей. Имен-но поэтому так быстро развивались технологии, связанные с хранением ин-формации. Но именно здесь встает несколько проблем. Первая — это энергопо-требление. Современная техника, такая как карманные компьютеры или

MP3-плееры, обладает довольно ограниченными энергетическими ресурса-ми. Память, обычно используемая в ОЗУ компьютеров, требует постоянной подачи напряжения. Дисковые накопители могут сохранять информацию и без непрерывной подачи электричества, зато при записи и считывании дан-ных тратят его за троих. Поэтому требовался носитель, который будет энер-гонезависимым при хранении и малопотребляющим энергию при записи и считывании информации.

И тут хорошим выходом стала флэш–память. Но-сители на ее основе называются твердотельными, поскольку не имеют дви-жущихся частей. И это еще одно преимущество данного типа памяти. Сегодня флэш-память можно найти в самых разных цифровых устрой-ствах. Её используют в качестве носителя микропрограмм для микрокон-троллеров HDD и CD-ROM, для хранения BIOS в ПК. Флэш-память исполь-зуют в принтерах,

КПК, видеоплатах, роутерах, брандмауэрах, сотовых теле-фонах, электронных часах, записных книжках, телевизорах, кондиционерах, микроволновых печах и стиральных машинах список можно продолжать бесконечно. А в последние годы флэш становится основным типом сменной памяти, используемой в цифровых мультимедийных устройствах, таких как mp3-плееры и игровые приставки. А все это стало возможным благодаря соз-данию компактных и мощных процессоров.

Так что же такое Flash память, каковы ее преимущества и недостатки? Типы электронной памяти Компьютерные программы или данные — это совокупность битов ин-формации, представленных в виде последовательности логических нулей и единиц. Для организации хотя бы кратковременного хранения информации необходимо устройство, которое запоминало бы некие состояния, распозна-ваемые системами компьютера (или любого портативного цифрового уст-ройства,

которое, по сути, тоже компьютер), как логические нули и единицы. Понятно, что это должны быть электрические сигналы, раз уж современный компьютер является электронным, а не механическим устройством. Самый быстродействующий тип электронной памяти — энергозависи-мая динамическая память. Именно она применяется в компьютерах и других цифровых устройствах в качестве оперативной памяти — ОЗУ. Или RAM — память с прямым доступом. Информационная ячейка такой памяти представляет собой миниатюр-

ный конденсатор — пару проводников, отстоящих друг от друга на неболь-шом расстоянии и способных накапливать и удерживать в течение некоторо-го времени электрический заряд. Наличие заряда в ячейке памяти интерпре-тируется компьютером, как логическая единица, отсутствие заряда — как ло-гический нуль. Время удержания заряда невелико и исчисляется миллисекундами. Да-же современные материалы, из которых изготавливают разделяющие про-водники изоляторы, не увеличивают

времени саморазряда микроконденсато-ров. Слишком уж невелики физические размеры ячеек и слишком невелики электрические заряды между парами проводников. Для поддержания уровня зарядов и, соответственно, сохранения ин-формации в ячейках микросхемы контроллер памяти постоянно подзаряжает конденсаторы. При обновлении содержимого памяти одни пары проводников разряжаются, другие, наоборот, получают заряд. Процесс происходит непре-рывно, динамически и до тех пор, пока не отключено питание компьютера.

Соответственно, и информация в микросхемах оперативной памяти сохраня-ется только пока компьютер не обесточен. Остается добавить, что каждая ячейка электронной памяти, независимо от ее типа, имеет строго фиксированный системный адрес. Но доступ к лю-бой ячейке — прямой, компьютеру не приходится последовательно прове-рять состояние всех ячеек, чтобы считать нужный бит информации. От ROM к Flash Флэш-память исторически произошла от полупроводникового

ROM, однако ROM-памятью не является, а всего лишь имеет похожую на ROM ор-ганизацию. Множество источников (как отечественных, так и зарубежных) зачастую ошибочно относят флэш-память к ROM. Флэш никак не может быть ROM хотя бы потому, что ROM (Read Only Memory) переводится как "память только для чтения". Ни о какой возможности перезаписи в ROM ре-чи быть не может!

Небольшая, по началу, неточность не обращала на себя внимания, од-нако с развитием технологий, когда флэш-память стала выдерживать до 1 миллиона циклов перезаписи, и стала использоваться как накопитель общего назначения, этот недочет в классификации начал бросаться в глаза. Среди полупроводниковой памяти только два типа относятся к "чисто-му" ROM - это Mask-ROM и PROM. В отличие от них EPROM,

EEPROM и Flash относятся к классу энергонезависимой перезаписываемой памяти (анг-лийский эквивалент - nonvolatile read-write memory или NVRWM). ROM: • ROM (Read Only Memory) - память только для чтения. Русский эквивалент - ПЗУ (Постоянно Запоминающее Устройство). Если быть совсем точным, данный вид памяти называется

Mask-ROM (Масочные ПЗУ). Память устроена в виде адресуемого массива ячеек (матрицы), каждая ячейка кото-рого может кодировать единицу информации. Данные на ROM записывались во время производства путём нанесения по маске (отсюда и название) алю-миниевых соединительных дорожек литографическим способом. Наличие или отсутствие в соответствующем месте такой дорожки кодировало "0" или "1". Mask-ROM отличается сложностью модификации содержимого (только путем

изготовления новых микросхем), а также длительностью производст-венного цикла (4-8 недель). Поэтому, а также в связи с тем, что современное программное обеспечение зачастую имеет много недоработок и часто требу-ет обновления, данный тип памяти не получил широкого распространения. Преимущества: 1. Низкая стоимость готовой запрограммированной микросхемы (при больших объёмах производства). 2. Высокая скорость доступа к ячейке памяти. 3. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость

к электро-магнитным полям. Недостатки: 1. Невозможность записывать и модифицировать данные после изго-товления. 2. Сложный производственный цикл. PROM - (Programmable ROM), или однократно Программируемые ПЗУ. В качестве ячеек памяти в данном типе памяти использовались плавкие пе-ремычки. В отличие от Mask-ROM, в PROM появилась возможность кодировать ("пережигать") ячейки при наличии специального устройства для записи (программатора).

Программирование ячейки в PROM осуществляется разрушением ("прожигом") плавкой перемычки путём подачи тока высокого напряжения. Возможность самостоятельной записи информации в них сделало их пригодными для штучного и мелкосерийного производства. PROM практически полностью вышел из употребления в конце 80-х годов. Преимущества: 1. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к электро-магнитным полям.

2. Возможность программировать готовую микросхему, что удобно для штучного и мелкосерийного производства. 3. Высокая скорость доступа к ячейке памяти. Недостатки: 1. Невозможность перезаписи 2. Большой процент брака 3. Необходимость специальной длительной термической тренировки, без которой надежность хранения данных была невысокой NVRWM: • EPROM Различные источники по-разному расшифровывают аббревиатуру

EPROM - как Erasable Programmable ROM или как Electrically Programmable ROM (стираемые программируемые ПЗУ или электрически программируе-мые ПЗУ). В EPROM перед записью необходимо произвести стирание (соот-ветственно появилась возможность перезаписывать содержимое памяти). Стирание ячеек EPROM выполняется сразу для всей микросхемы посредст-вом облучения чипа ультрафиолетовыми или рентгеновскими лучами в тече-ние нескольких минут.

Микросхемы, стирание которых производится путем засвечивания ультрафиолетом, были разработаны Intel в 1971 году, и носят название UV-EPROM (приставка UV (Ultraviolet) - ультрафиолет). Они со-держат окошки из кварцевого стекла, которые по окончании процесса стира-ния заклеивают. EPROM от Intel была основана на МОП-транзисторах с лавинной ин-жекцией заряда (FAMOS -

Floating Gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor, русский эквивалент - ЛИЗМОП). В первом приближении та-кой транзистор представляет собой конденсатор с очень малой утечкой заря-да. Позднее, в 1973 году, компания Toshiba разработала ячейки на основе SAMOS (Stacked gate Avalanche injection MOS, по другой версии - Silicon and Aluminum MOS) для EPROM памяти, а в 1977 году

Intel разработала свой ва-риант SAMOS. В EPROM стирание приводит все биты стираемой области в одно со-стояние (обычно во все единицы, реже - во все нули). Запись на EPROM, как и в PROM, также осуществляется на программаторах (однако отличающихся от программаторов для PROM). В настоящее время EPROM практически полностью вытеснена с рынка EEPROM и Flash. Достоинство: Возможность перезаписывать содержимое микросхемы.

Недостатки: 1. Небольшое количество циклов перезаписи. 2. Невозможность модификации части хранимых данных. 3. Высокая вероятность "недотереть" (что в конечном итоге приведет к сбоям) или передержать микросхему под УФ-светом (т.н. overerase - эффект избыточного удаления, "пережигание"), что может уменьшить срок службы микросхемы и даже привести к её полной негодности. •

EEPROM (E?PROM или Electronically EPROM) - электрически стираемые ППЗУ были разработаны в 1979 году в той же Intel. В 1983 году вышел первый 16Кбит образец, изготовленный на основе FLOTOX-транзисторов (Floating Gate Tunnel-OXide - "плавающий" затвор с туннелиро-ванием в окисле). Главной отличительной особенностью EEPROM (в т.ч.

Flash) от ранее рассмотренных нами типов энергонезависимой памяти является возможность перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине микропроцессорного устройства. В EEPROM появилась возможность произ-водить стирание отдельной ячейки при помощи электрического тока. Для EEPROM стирание каждой ячейки выполняется автоматически при записи в нее новой информации, т.е. можно изменить данные в любой ячейке, не за-трагивая остальные.

Процедура стирания обычно существенно длительнее процедуры записи. Преимущества EEPROM по сравнению с EPROM 1. Увеличенный ресурс работы. 2. Проще в обращении. Недостаток: Высокая стоимость • Flash (полное историческое название Flash Erase EEPROM): Изобретение флэш-памяти зачастую незаслуженно приписывают

Intel, называя при этом 1988 год. На самом деле память впервые была разработана компанией Toshiba в 1984 году, и уже на следующий год было начато произ-водство 256Кбит микросхем flash-памяти в промышленных масштабах. В 1988 году Intel разработала собственный вариант флэш-памяти. Во флэш-памяти используется несколько отличный от EEPROM тип ячейки-транзистора. Технологически флэш-память родственна как

EPROM, так и EEPROM. Основное отличие флэш-памяти от EEPROM заключается в том, что стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхе-мы, либо для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер такого блока составляет 256 или 512 байт, однако в некоторых видах флэш-памяти объём блока может достигать 256КБ. Следует заметить, что существуют микросхемы, позволяющие работать с блоками

разных размеров (для оптимизации быстродействия). Стирать можно как блок, так и содержи-мое всей микросхемы сразу. Таким образом, в общем случае, для того, чтобы изменить один байт, сначала в буфер считывается весь блок, где содержится подлежащий изменению байт, стирается содержимое блока, изменяется зна-чение байта в буфере, после чего производится запись измененного в буфере блока. Такая схема существенно снижает скорость записи небольших объё-мов данных в произвольные области памяти,

однако значительно увеличива-ет быстродействие при последовательной записи данных большими порция-ми. Преимущества флэш-памяти по сравнению с EEPROM: 1. Более высокая скорость записи при последовательном доступе за счёт того, что стирание информации во флэш производится блоками. 2. Себестоимость производства флэш-памяти ниже за счёт более про-стой организации. Недостаток: Медленная запись в произвольные участки памяти.

Технология Flash Изобретателем flash–памяти можно считать компанию Toshiba, которая в 1984 году уже начала производство микросхем. Четыре года спустя компа-ния Intel «изобрела» свой «флэш–вариант», и теперь очень многие незаслу-женно считают изобретателем именно ее. До сих пор неизвестно происхождение термина Flash, так как это слово имеет три различных перевода.

Соответственно, существует три версии на-звания памяти: • Flash переводится как «короткий кадр». Компания Toshiba дала такое название из–за короткого по времени процесса стирания данных (In da Flash — в мгновение ока). • Flashing можно перевести как прожиг, засвечивание. Flash–память по–прежнему прожигается, как и ее предшественники. •

Третье значение этого слова — блок, кадр. Запись/стирание такой памяти осуществляется блоками. По устройству чип флэш–памяти отдаленно напоминает микросхему динамической энергозависимой памяти, только вместо конденсаторов в ячейках памяти установлены полупроводниковые приборы — транзисторы. При подаче напряжения на выводы транзистора он принимает одно из фик-сированных положений — закрытое или открытое. И остается в этом поло-жении до тех пор, пока на выводы транзистора не будет подан электрический

заряд, изменяющий его состояние. Таким образом, последовательность логи-ческих нулей и единиц формируется в этом типе памяти подобно ПЗУ — за-крытые для прохождения электрического тока ячейки распознаются как ло-гические единицы, открытые — как логические нули. Таким образом, в самом простом случае ячейка Flash состоит из одного полевого транзистора. Элемент включает в себя специальную электрически изолированную область, называемую «плавающим затвором».

Этот термин возник из–за того, что потенциал этой области не является стабильным, что позволяет накапливать в ней электроны (именно здесь и хранится вся инфор-мация памяти). Выше «плавающего» находится управляющий затвор, кото-рый является неотъемлемой частью при процессе записи/стирания данных памяти. Эта область напрямую соединена с линией слов. Перпендикулярно этой линии располагается линия битов, которая соединена со стоком (при за-писи данных

из этой области транзистора появляется поток электронов). Сток разделяется с истоком специальной подложкой, которая не проводит электрический ток. В начале развития Flash каждая ячейка памяти хранила один бит ин-формации и состоила из одного полевого транзистора. Прогресс не стоит на месте, через несколько лет после выпуска чудо–микросхемы были проведены успешные испытания флешек, в которых ячейка хранила уже два бита.

Есте-ственно, что на такую память можно было записать в два раза больше ин-формации. В настоящее время уже существуют теоретические разработки памяти с четырехбитными ячейками. Как же устроена такая ячейка? Ведь теоретически наличие заряда в ячейке памяти означает 1, отсутствие 0, остальные значения представить не-возможно. Но на самом деле, в микросхеме с MLC существует различие ве-личин заряда, которые накапливаются на «плавающем» затворе.

Благодаря этому различию, информация в ячейке может быть представлена различными битовыми комбинациями. Величину заряда на затворе можно определить из-мерением порогового (максимального) напряжения транзистора и по итогам этого измерения представить битовую комбинацию. Перезапись и стирание Flash значительно изнашивает микросхему, по-этому технологии производства памяти постоянно совершенствуются, вне-дряются оптимизирующие способы записи микросхемы, а также алгоритмы,

направленные на равномерное использование всех ячеек в процессе работы. Преимущества флэш-памяти в независимости от наличия или отсутст-вия электрического питания, в долговременности хранения информации (производители гарантируют сохранность данных на протяжении 10 лет, но на практике должно быть больше) и в высокой механической надежности (в накопителях на базе флэш–памяти нет никаких механических устройств, сле-довательно, нечему ломаться).

Недостатки — в высокой сложности устрой-ства (транзисторы имеют микронные размеры), в невысоком быстродействии (время изменения состояния транзистора больше, чем время заряда–разряда конденсатора) и в относительно высокой стоимости микросхем (опять же из–за сложности устройства и серьезных финансовых вложениях производите-лей в развитие технологии). Флэш-память быстро прогрессирует. За последние несколько лет поя-вились новые типы микросхем — был осуществлен массовый переход с 5-вольтовой

технологии питания на 3,3–вольтовую, были применены новые типы полупроводниковых приборов, разработаны и внедрены в производство механизмы ускорения процедуры записи–чтения информации. Кроме того, производство флэш–памяти находится под жестким прессингом конкурен-ции. Для нас, пользователей цифровых устройств, это несомненный плюс, поскольку позволяет надеяться на снижение цен на карты флэш–памяти. Хотя Flash и лидирует на компьютерном рынке, ее могут вытеснить другие новые

технологии. Например, новейшая память на кремниевых на-нокристаллах. Отличие такой памяти от Flash в следующем: подложка между стоком и истоком теперь состоит из кремниевых нанокристалльных сфер. Такая прослойка предотвращает передачу заряда с одного нанокристалла на другой, повышая, таким образом, надежность — один дефект не ведет к пол-ному сбою, как в нынешней энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающим затвором. Первый в мире работоспособный образец такой памя-ти был

предоставлен компанией Motorola. Организация flash-памяти Ячейки флэш-памяти бывают как на одном, так и на двух транзисторах. В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной областью ("плавающим" затвором - floating gate), способной хранить заряд многие годы. Наличие или отсутствие заряда кодирует один бит информа-ции.

При записи заряд помещается на плавающий затвор одним из двух спо-собов (зависит от типа ячейки): методом инжекции "горячих" электронов или методом туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие заряда с "плавающего" затвора) производится методом тунеллирования. Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается как логиче-ский "0", а его отсутствие - как логическая "1". Современная флэш-память обычно изготавливается по 0,13- и 0,18-микронному

техпроцессу. Общий принцип работы ячейки флэш-памяти. Рассмотрим простейшую ячейку флэш-памяти на одном n-p-n транзи-сторе. Ячейки подобного типа чаще всего применялись во flash-памяти с NOR архитектурой, а также в микросхемах EPROM. Поведение транзистора зависит от количества электронов на "плаваю-щем" затворе. "Плавающий" затвор играет ту же роль, что и конденсатор

в DRAM, т. е. хранит запрограммированное значение. Помещение заряда на "плавающий" затвор в такой ячейке производится методом инжекции "горячих" электронов (CHE - channel hot electrons), а сня-тие заряда осуществляется методом квантомеханического туннелирования Фаулера-Нордхейма (Fowler-Nordheim [FN]). При чтении, в отсутствие заряда на "плавающем" затворе, под воздействием по-ложительного

поля на управляющем затворе, образуется n-канал в подложке между исто-ком и стоком, и возникает ток. Наличие заряда на "плавающем" за-творе меняет вольт-амперные характеристики транзистора таким образом, что при обычном для чтения напряжении канал не появляется, и тока между истоком и стоком не возникает. При программировании на сток и управляющий затвор подаётся высокое на-пряжение (причём на управляющий затвор напряжение подаётся приблизительно в два раза выше). "

Горячие" электроны из канала инжектируются на плавающий затвор и изме-няют вольт-амперные характеристики тран-зистора. Такие электроны называют "горячи-ми" за то, что обладают высокой энергией, достаточной для преодоления потенциально-го барьера, создаваемого тонкой плёнкой ди-электрика. При стирании высокое напряжение подаётся на исток. На управляющий затвор (опционально) подаётся высокое отрицатель-ное напряжение.

Электроны туннелируют на исток. Эффект туннелирования - один из эффектов, использующих волновые свойства электрона. Сам эффект заключается в преодолении электроном по-тенциального барьера малой "толщины". Для наглядности представим себе структуру, состоящую из двух проводящих областей, разделенных тонким слоем диэлектрика (обеднённая область). Преодолеть этот слой обычным способом электрон не может - не хватает энергии. Но при создании опреде-лённых условий (соответствующее напряжение и т.п.) электрон

проскакивает слой диэлектрика (туннелирует сквозь него), создавая ток. Важно отметить, что при туннелировании электрон оказывается "по другую сторону", не проходя через диэлектрик. Такая вот "телепортация". Различия методов тунеллирования Фаулера-Нордхейма (FN) и метода инжекции "горячих" электронов: • Channel FN tunneling - не требует большого напряжения.

Ячейки, использующие FN, могут быть меньше ячеек, использующих CHE. • CHE injection (CHEI) - требует более высокого напряжения, по сравнению с FN. Таким образом, для работы памяти требуется поддержка двойного питания. • Программирование методом CHE осуществляется быстрее, чем методом FN. Следует заметить, что, кроме FN и CHE, существуют другие методы программирования и стирания ячейки,

которые успешно используются на практике, однако два описанных нами применяются чаще всего. Процедуры стирания и записи сильно изнашивают ячейку флэш-памяти, поэтому в новейших микросхемах некоторых производителей при-меняются специальные алгоритмы, оптимизирующие процесс стирания-записи, а также алгоритмы, обеспечивающие равномерное использование всех ячеек в процессе функционирования. Некоторые виды ячеек флэш-памяти на основе МОП-транзисторов с "плавающим" затвором: •

Stacked Gate Cell - ячейка с многослойным затвором. Метод сти-рания - Source-Poly FN Tunneling, метод записи - Drain-Side CHE Injection. • SST Cell, или SuperFlash Split-Gate Cell (Silicon Storage Technology - компания-разработчик технологии) - ячейка с расщеплённым затвором. Метод стирания - Interpoly FN Tunneling, метод записи -

Source-Side CHE Injection. • Two Transistor Thin Oxide Cell - двухтранзисторная ячейка с тон-ким слоем окисла. Метод стирания - Drain-Poly FN Tunneling, метод записи - Drain FN Tunneling. Другие виды ячеек: Кроме наиболее часто встречающихся ячеек с "плавающим" затвором, существуют также ячейки на основе SONOS-транзисторов, которые не со-держат плавающего затвора.

SONOS-транзистор напоминает обычный МНОП (MNOS) транзистор. В SONOS-ячейках функцию "плавающего" за-твора и окружающего его изолятора выполняет композитный диэлектрик ONO. Расшифровывается SONOS (Semiconductor Oxide Nitride Oxide Semiconductor) как Полупроводник-Диэлектрик-Нитрид-Диэлектр ик-Полупроводник. Вместо давшего название этому типу ячейки нитрида в бу-

дущем планируется использовать поликристаллический кремний. Многоуровневые ячейки (MLC - Multi Level Cell). В последнее время многие компании начали выпуск микросхем флэш-памяти, в которых одна ячейка хранит два бита. Технология хранения двух и более бит в одной ячейке получила название MLC (multilevel cell - много-уровневая ячейка). Достоверно известно об успешных тестах прототипов, хранящих 4

бита в одной ячейке. В настоящее время многие компании нахо-дятся в поисках предельного числа бит, которое способна хранить много-уровневая ячейка. В технологии MLC используется аналоговая природа ячейки памяти. Как известно, обычная однобитная ячейка памяти может принимать два со-стояния - "0" или "1". Во флэш-памяти эти два состояния различаются по ве-личине заряда, помещённого на "плавающий"

затвор транзистора. В отличие от "обычной" флэш-памяти, MLC способна различать более двух величин за-рядов, помещённых на "плавающий" затвор, и, соответственно, большее чис-ло состояний. При этом каждому состоянию в соответствие ставится опреде-ленная комбинация значений бит. Во время записи на "плавающий" затвор помещается количество заря-да, соответствующее необходимому состоянию. От величины заряда на "пла-вающем" затворе

зависит пороговое напряжение транзистора. Пороговое на-пряжение транзистора можно измерить при чтении и определить по нему за-писанное состояние, а значит и записанную последовательность бит. Основные преимущества MLC микросхем:  Более низкое соотношение $/МБ  При равном размере микросхем и одинаковом техпроцессе "обычной" и MLC-памяти, последняя способна хранить больше информации (размер ячейки тот же, а количество

хранимых в ней бит - больше)  На основе MLC создаются микросхемы большего, чем на основе однобитных ячеек, объёма Основные недостатки MLC:  Снижение надёжности, по сравнению с однобитными ячейками, и, соответственно, необходимость встраивать более сложный механизм кор-рекции ошибок (чем больше бит на ячейку - тем сложнее механизм коррек-ции ошибок)  Быстродействие микросхем на основе

MLC зачастую ниже, чем у микросхем на основе однобитных ячеек  Хотя размер MLC-ячейки такой же, как и у однобитной, допол-нительно тратится место на специфические схемы чтения/записи многоуров-невых ячеек Технология многоуровневых ячеек от Intel (для NOR-памяти) носит на-звание StrtaFlash, аналогичная от AMD (для NAND) – MirrorBit Архитектура флэш-памяти.

Существует несколько типов архитектур (организаций соединений между ячейками) флэш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее время являются микросхемы с организацией NOR и NAND. NOR (NOT OR, ИЛИ-НЕ) Ячейки работают сходным с EPROM способом. Интерфейс параллельный. Произвольное чтение и запись. Преимущества: быстрый произвольный доступ, возможность побайтной записи.

Недостатки: относительно медленная запись и стирание. Из перечисленных здесь типов имеет наибольший размер ячейки, а потому плохо масштабируется. Единственный тип памяти, работающий на двух разных напряжениях. Идеально подходит для хранения кода программ (PC BIOS, сотовые телефоны), идеальная замена обычному EEPROM. Основные производители: AMD, Intel, Sharp,

Micron, Ti, Toshiba, Fujitsu, Mitsubishi, SGS-Thomson, STMicroelectronics, SST, Samsung, Winbond, Macronix, NEC, UMC. Программирование: методом инжекции "горячих" электро-нов Стирание: туннеллированием FN NAND (NOT AND, И-НЕ) Доступ произвольный, но небольшими блоками (наподобие кластеров жёсткого диска).

Последовательный интерфейс. Не так хорошо, как AND память подходит для задач, тре-бующих произвольного доступа. Преимущества: быстрая запись и стирание, небольшой раз-мер блока. Недостатки: относительно медленный произвольный доступ, невозможность побайтной записи. Наиболее подходящий тип памяти для приложений, ориен-тированных на блочный обмен: MP3 плееров, цифровых ка-мер и в качестве заменителя жёстких дисков.

Основные производители: Toshiba, AMD/Fujitsu, Samsung, National Программирование: туннеллированием FN Стирание: туннеллированием FN AND (И) Доступ к ячейкам памяти последовательный, архитектурно напоминает NOR и NAND, комбинирует их лучшие свойст-ва. Небольшой размер блока, возможно быстрое мультиб-лочное стирание. Подходит для потребностей массового рынка.

Основные производители: Hitachi и Mitsubishi Electric. Программирование: туннеллированием FN Стирание: туннеллированием FN DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с разделёнными разрядными линиями) Тип памяти, комбинирующий свойства NOR и NAND. Дос-туп к ячейкам произвольный. Использует особый метод сти-рания данных, предохраняющий ячейки от пережигания (что способствует большей

долговечности памяти). Размер блока в DiNOR всего лишь 256 байт. Основные производители: Mitsubishi Electric, Hitachi, Motorola. Программирование: туннеллированием FN Стирание: туннеллированием FN Примечания: В настоящее время чаще всего используются память с архитектурой NOR и NAND. Hitachi выпускает многоуровневую AND-память с

NAND-итерфейсом (SuperAnd или AG-AND [Assist Gate-AND]) Доступ к флэш-памяти Существует три основных типа доступа: • обычный (Conventional): произвольный асинхронный доступ к ячейкам памяти. • пакетный (Burst): синхронный, данные читаются параллельно, блоками по 16 или 32 слова. Считанные данные передаются последователь-но, передача синхронизируется. Преимущество перед обычным типом досту-па - быстрое последовательное чтение данных.

Недостаток - медленный про-извольный доступ. • страничный (Page): асинхронный, блоками по 4 или 8 слов. Пре-имущества: очень быстрый произвольный доступ в пределах текущей стра-ницы. Недостаток: относительно медленное переключение между страница-ми. Примечание: В последнее время появились микросхемы флэш-памяти, позволяющие одновременную запись и стирание (RWW - Read While Write или Simultaneous R/W) в разные банки памяти.

Форматы карт Flash памяти Наиболее распространенные типы карт памяти: CompactFlash (CF) (I,II), MultiMedia Card, SD Card, Memory Stick, SmartMedia, xD-Picture Card, PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash). Существуют и другие портативные форм-факторы флэш-памяти, однако встречаются они намного реже перечисленных здесь. Флэш-карты бывают двух типов: с параллельным (parallel) и с последо-вательным

(serial) интерфейсом. Параллельный: • PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash) • CompactFlash (CF) • SmartMedia (SSFDC) Последовательный: • MultiMedia Card (MMC) • SD-Card (Secure Digital - Card) • Sony Memory Stick PC-Card (PCMCIA) или ATA Flash Интерфейс: параллельный Самым старым и самым большим по размеру следует признать

PC Card (ранее этот тип карт назывался PCMCIA [Personal Computer Memory Card International Association]). Карта снабжена ATA контроллером. Благодаря этому обеспечивается эмуляция обычного жесткого диска. В настоящее вре-мя флэш-память этого типа используется редко. PC Card бывает объемом до 2GB. Существует три типа

PC Card ATA (I, II и III). Все они отличаются толщиной (3,3 5,0 и 10,5мм соответственно). Все три типа обратно совместимы между собой (в более толстом разъеме всегда можно использовать более тонкую карту, поскольку толщина разъема у всех типов одинакова – 3,3мм). Питание карт - 3,3В и 5В. ATA-flash как правило отно-сится к форм фактору PCMCIA Type I. Тип Длина Ширина Толщина Использование

Type I 85,6 мм 54 мм 3,3 мм Память (SRAM, DRAM, Flash и т. д) Type II 85,6 мм 54 мм 5 мм Память, устройства ввода-вывода (модемы, сетевые карты и т. д) Type III 85,6 мм 54 мм 10,5 мм Устройства хранения данных, жёсткие диски PC-Card Flash бывают двух типов: PCMCIA Linear Flash Card и ATA Flash Card (Flash Disk). Linear встречается намного реже

ATA flash и не со-вместим с последним. Отличие между ними состоит в том, что ATA Flash со-держит в себе схему, позволяющую эмулировать обычный HDD, автоматиче-ски помечать испорченные блоки, и производить автоматическое стирание блоков. Compact Flash (CF) Интерфейс: параллельный, 50-ти контактный, соответствует стандарту PCMCIA ATA. Стандарт разработан компанией SanDisk в 1994 году.

Разработчики формата Compact Flash поставили цель: сохранить все преимущества карт ATA Flash, преодолев их основной недостаток - большие размеры. Конструкция карт CompactFlash обеспечивает эмуляцию жёсткого диска с АТА интерфейсом. Разъёмы Compact Flash расположены на торце карты, электрически и функционально повторяя назначение контактов PCMCIA. Таким образом, чтобы установить

CompactFlash в слот PCMCIA достаточно простейшего адаптера CF-PCMCIA, повторяющего своими размерами обычную PC-Card. Карты бывают двух типов: I и II (первого и второго типа). Карты типа II толще карт типа I на 2мм, других существенных отличий между этими кар-тами нет. CF I можно использовать в устройствах, снабженных разъемами

CF II и CF I. CF II можно использовать только в устройствах с разъемами CF II (т.е. CF II типа обратно совместим с CF I типа). Compact Flash II типа были разработаны тогда, когда возникла необходимость в картах большого объема. Сейчас необходимости в картах CF II отпала, так как CF I догнали по объему карты CF II, так что карты второго типа постепенно теряют популярность. "

Карты [CF-прим.ред.] могут работать в одном из трёх режимов: карт памяти PC Card, карт ввода-вывода PC Card, чистого IDE (ATA). В первых двух режимах карты работают с теми же интерфейсными сигналами, что и PC Card. В режиме IDE электрический интерфейс и система команд полно-стью совместимы со спецификацией ATA. Специально для флэш-"дисков" в систему команд

ATA введена целая группа команд, начинающихся с префик-са CFA (CompactFlash Association), ориентированных на специфику записи во флэш-память. Специфика заключается в том, что быстрее всего запись вы-полняется в чистый (стертый) блок ("сектор диска"), а перезапись требует относительно длительного стирания. ( ) Дополнительные команды позволя-ют определять состояние секторов (чистый ли, сколько раз перезаписанный),

выполнять стирание секторов и быструю запись в чистые секторы". (М. Гук, "Карты SD - твердотельные носители информации") Карты Compact Flash поддерживают два напряжения: 3.3В и 5В. В от-личие от карт SmartMedia, которые существуют в двух версиях (трёх- и пяти- вольтовой), любая карта CF способна работать с любым из двух видов пита-ния.

16 июня 2003 года была утверждена спецификация v2.0. Скорость пе-редачи данных согласно новой спецификации может достигать 16MB/s, при этом обеспечивается обратная совместим ость - карты, выпущенные по спе-цификации 2.0, будут работать в старых устройствах, но с меньшей скоро-стью. Произведенные по современным технологиям чипы флэш-памяти мо-гут оперировать на скоростях 5-7 MB/s, так что теоретический предел в 16

MB/s оставляет солидный запас для роста. В ближайшее время будут приняты дополнения, позволяющие CF ра-ботать в режиме DMA, а в 2004 году - Ultra DMA 33, что позволит работать картам CompactFlash с быстродействием до 33 MB/s. Сегодня теоретический предел емкости для CF составляет 137 GB. Следует заметить, что будущее CF вполне определенно благодаря то-му, что в этом типе карт реализовываются давние наработки

ATA, успешно прошедшие испытание временем на компьютерных жестких дисках. CF+ IBM Microdrive: Следует заметить, что существует устройство IBM Microdrive с интер-фейсом CF II. Физически Microdrive представляет собой обычный винчестер (только очень маленький). Достоинством IBM Microdrive является его цена (1 МБайт обходится в среднем в 2 раза дешевле, чем у обычных

CF). Недостат-ками IBM Microdrive является высокое энергопотребление и меньшая, чем у CF, надёжность. Со временем Microdrive начинает "сыпаться", и, соответст-венно, ёмкость его начинает падать. Кроме того, в связи с повышенным энер-гопотреблением IBM Microdrive работает не со всеми устройствами, предна-значенными для CF II. На рынке также представлено аналогичное по функ-циональности

IBM Microdrive устройство Iomega Click, однако, по ряду ха-рактеристик Iomega Click уступает IBM Microdrive. SmartMedia (SSFDC - Solid State Floppy Disk Card) Интерфейс: параллельный, 22-х контактный. Разработана в 1995 году компаниями Toshiba и Samsung. 8 из 22-х контактов карты используются для передачи данных, остальные используются

для питания микросхемы, управления и несут на себе другие вспомогательные функции. Толщина карты всего лишь 0,76мм. SmartMedia - единственный формат флэш-карт (из тех, которые мы здесь рассматриваем), не имеющий встроенного контроллера. Карты SmartMedia бывают как на одном, так и на двух чипах NAND. Существует две разновидности SmartMedia: 5-и и 3-х вольтовые (внешне отличаются маркировкой и

тем, с какой стороны у карты скошен угол: у 5В SmartMedia он скошен слева, а у 3,3В - справа). На карте имеется специальное углубление (в форме кружочка). Если в это место приклеить соответствующей формы токопроводящий стикер, то карта будет защищена от записи. По сравнению с другими картами флэш-памяти, в которых использует-ся полупроводниковая память, размещённая на печатной плате вместе с кон-троллером и другими компонентами,

SmartMedia устроена очень просто. Карта собирается без пайки и, кроме микросхемы NAND-памяти, не содер-жит в себе никакой другой микроэлектроники. xD-Picture Card Интерфейс: параллельный, 22-х контактный. Анонсирован в 30 июля 2002 года компаниями Fujifilm и Olympus. По словам разработчиков, XD следует расшифровывать как eXtreme

Digital. Теоретически емкость карт xD может достигать 8ГБ. Сообщается, что скорость записи данных на xD будет достигать 3 Мбайт/с, а скорость чтения - 5 Мбайт/с. Размеры карты: 20 х 25 х 1,7мм. Контакты у XD расположены, так же как и у SmartMedia, на лицевой части карты. На вопросы пользователей, не будет ли проблем с такими контактами,

представители компании объясняют, что с контактами такой конструкции нужно быть очень бережным и проти-рать их сухой тряпочкой в случае загрязнения или попадения на них влаги (единственные карты с таким "свойством", не считая SM). Как и SmartMedia, xD не содержит контроллера. Карта разработана в качестве замены SmartMedia и продается по срав-нимой со SmartMedia цене (возможно, из-за отсутствия встроенного контрол-лера), благо чипы для xD-

Picture Card производятся Toshiba. Теоретический предел емкости – 8GB. MMC (MultiMedia Card) Интерфейс: последовательный, 7-ми контактный. Разработана в 1997 году компаниями Hitachi, SanDisk и Siemens Semiconductors (Infineon Technologies). Карты MMC содержат 7 контактов, реально из которых используется 6, а седьмой формально

считается зарезервированным на будущее. По стандар-ту MMC способна работать на частотах до 20МГц. Карточка состоит из пла-стиковой оболочки и печатной платы, на которой расположена микросхема памяти, микроконтроллер и разведены контакты. Назначение контактов MMC: 1 контакт на передачу данных (в SPI - Data out) 1 контакт на передачу команд (в SPI -

Data in) 1 часы 3 на питание (2 земли и 1 питание) 1 зарезервирован (в SPI режиме - chip select) По протоколу MMC данные и команды могут передаваться одновре-менно. MultiMedia Card работает с напряжением 2.0В - 3.6В, однако специфи-кацией предусматриваются карты с пониженным энергопотреблением - Low Voltage MMC (напряжение 1.6В - 3.6В). Для совсем уж мобильных устройств Hitachi выпускаются укороченные карты

MMC длиной всего 18мм, вместо обычных 32-х. Карты MMC могут работать в двух режимах: MMC и SPI (Serial Peripheral Interface). Режим SPI является частью протокола MMC и использу-ется для коммуникации с каналом SPI, который обычно используется в мик-роконтроллерах Motorola и других производителей. Стандарт SPI определяет только разводку, а не весь протокол передачи данных. По этой причине в MMC SPI используется подмножество команд протокола

MMC. Режим SPI предназначен для использования в устройствах, которые используют небольшое количество карт памяти (обычно одну). С точки зрения приложения преимущество использования режима SPI состоит в возможности использования уже готовых решений, уменьшая затраты на разработку до минимума. Недостаток состоит в потере производительности на SPI системах, по сравнению с MMC. Кроме описанного нами обычного

MMC, существуют еще несколько стандартов карт MMC, такие как: RS-MMC, HS-MMC, CP-SMMC, PIN-SMMC. Утвержденный MMCA (MMC Association – ассоциация производителей MMC) в конце 2002 года стандарт RS-MMC (Redused Size MMC) отличается от обычной MMC только габаритами – карта приблизительно в два раза меньше обычного MMC. Размеры карт RS-MMC - 24 x 18 x 1.4мм, вес 0,8г.

HS -MMC – высокоскоростная (High Speed) MMC-карта у которой не 7, а 13 контактов. Размеры карты как у обычной MMC. В режиме x8 (52Mhz) скорость передачи данных в теории может достигнуть 52MBps. Форматы CP-SMMC и PIN-SMMC мы рассмотрим позднее, в разделе SDMI-совместимые карты памяти. SD Card Интерфейс: последовательный, 9-ти контактный. Формат разработан компаниями Matsushita,

SanDisk, Toshiba в 2000 году. SD-Card работает с напряжением 2,0В - 3,6В, однако спецификацией предусматриваются SDLV-карты (SD Low Voltage) с пониженным энергопо-треблением (напряжение 1,6В - 3,6В), кроме того, спецификацией преду-смотрены карты толщиной 1,4мм (как у MMC), без переключателя защиты от записи. Фактически карточки

SD являются дальнейшим развитием стандарта MMC. Флэш-карты SD обратно совместимы с MMC (в устройство с разъе-мом SD можно вставить MMC, но не наоборот). Основные отличия от MMC: • По сравнению с MMC, в SD на 2 контакта больше. Оба новых контакта используются как дополнительные линии передачи данных, а тот контакт, который в

MMC был декларирован как зарезервированный, в SD используется для передачи данных. Таким образом, по сравнению с MMC, где данные передаются по одному-единственному контакту, в SD данные мо-гут передаваться по 4-м контактам одновременно (число линий, по которым передаются данные, может быть равно 1, 2 и 4, причём количество исполь-зуемых линий можно динамически изменять). Эта особенность переводит карту из разряда карт с чисто последовательным интерфейсом в разряд карт

с последовательно-параллельным интерфейсом. • В отличие от MMC, SD изначально соответствует соглашениям SDMI (т.е. карты SD содержат т.н. механизм защиты авторских прав). Скорее всего, именно по этой причине карты и получили свое название: SD-Card - SecureDigital Card. Множество значений слова Secure находится в диапазоне глаголов [охранять, обезопасить, запирать, овладевать, достигать, брать

под стражу] и прилагательных [спокойный, безопасный, надёжный, застрахован-ный]. Digital, видимо, следует понимать как цифровой, а как правильно пере-вести всё вместе я предлагаю подумать вам самим. • На карточке присутствует переключатель защиты от записи - write protection switch (как на дискетах) • MMC по спецификации работает на частотах до 20МГц, SD на частотах до 25МГц. • В режиме SPI карты SD работают по протоколу

SD-Card, а не по протоколу MMC. • Добавлен один дополнительный внутренний регистр, часть ос-тальных несколько отличаются от аналогичных в MMC. • Обычно карточка несколько толще и тяжелее MMC. • За счёт более толстой пластиковой оболочки, улучшена стой-кость карты к статическим разрядам (ESD Tolerance). Несколько удивляет отсутствие прямой совместимости между этими двумя видами карт (т.е. то, что SD неспособна работать по протоколу MMC).

Если внимательно рассматривать спецификации обоих типов карт и не обра-щать внимания на то, что SD может быть толще MMC, то отсутствие такой совместимости даже удивляет, поскольку реализовать её было несложно, да и выглядело бы это очень естественно. Что наводит на мысль о том, что, хотя подобную совместимость можно было реализовать без особых трудностей, SD намеренно разработана не как расширение спецификации

MMC, а как от-дельный конкурирующий стандарт. Sony Memory Stick: Интерфейс: последовательный, 10-ти контактный. Разработана в 1998 году компанией Sony. Особенных технических инноваций в MemoryStick не заметно, разве что переключатель защиты от записи (Write Protection Switch) выполнен дей-ствительно грамотно, да контакты хорошо упрятали.

До недавнего времени голубые "палочки памяти" использовалась ис-ключительно в цифровой фото аудио- и видео- технике фирмы Sony. В на-стоящее время Sony активно продвигает свой формат, и лицензирует техно-логию другим производителям. На питание у MemoryStick отведено 4 из 10 контактов, еще 2 контакта зарезервированы, один контакт используется для передачи данных и команд, один для синхронизации, один для сигнализации состояния шины (может на-

ходится в 4-х состояниях), а один (sic!) для определения того, вставлена кар-та, или нет. Карта работает в полудуплексном режиме. Максимальная часто-та, на которой может работать карта - 20МГц. Зарезервированные контакты (по непроверенным данным) используют-ся в устройствах на базе интерфейса MemoryStick (фотокамерах для Clie [PEGA-MSB1], модулей GPS [PEGA-MSC1]и bluetooth [PEGA-MSG1]). Существует разновидность

Memory Stick - Memory Stick Magic Gate (сокращенно MG). От обычного Memory Stick, MG отличается лишь цветом (цвет карточки - белый) и поддержкой механизма "защиты авторских прав" - Magic Gate (об этой технологии подробнее будет сказано в разделе “SDMI-совместимые карты памяти”). Благодаря поддержке этой технологии карточ-ка и получила свое название. Механизм защиты, реализованной в MG, соот-ветствует соглашениям

SDMI. Пытаясь угнаться за малым весом и размерами конкурирующих форма-тов (SD/MMC), в 2000 году Sony разработала ещё один формат - Memory Stick Duo. От обычного MemoryStick, Duo отличается меньшими размерами и весом. При использовании MemoryStick Duo в устройствах, предназначенных для обычных MemoryStick, требуется специальный адаптер. Также существу-ет модификация этого формата флэш-памяти

- Memory Stick Duo MG. Кар-точки Duo появились в продаже с июля 2002 года. На январской выставке Consumer Electronics Show 2003 была представ-лена карта MemoryStick Pro, разработанная Sony совместно с SanDisk. Новая модификация карт Sony имеет те же размеры и такое же количество контак-тов, как и у обычных MemoryStick. Однако карта не совместима со старыми

MemoryStick (в разъеме, предназначенном для обычных MemoryStick, кар-точка MemoryStick Pro работать не будет, однако обратная поддержка реали-зована – в разъеме для карточек Pro, обычный MemoryStick читается). Технически карточки Pro отличаются от обычных MemoryStick тем, что работают на более высокой частоте (40MHz), а данные передаются по четы-рем линиям, вместо одной.

Кроме того, все карточки Pro “в нагрузку” под-держивают MagicGate. Пропускная способность интерфейса 160Mbps, или 20MB/s (4 линии x 40 MHz), однако с таким быстродействием карточка долго работать не может – на такой скорости способен работать только внутренний кэш, а по его заполнении карточка будет работать с пропускной способно-стью 15mbps. Совсем недавно, 15-го августа 2003 года появилась еще одна(!) моди-фикации

MemoryStick Pro Duo. Накопители на флэш-памяти с последовательным интерфейсом USB (USB - брелки) Могут поддерживать парольную защиту, содержать переключатель за-щиты от записи, могут быть загрузочными. Бывают с поддержкой USB 2.0. До сих пор существуют некоторые проблемы с драйверами для различ-ных ОС, так что иногда иногда приходится таскать с собой вместе с брелком и драйвер на CD, однако постепенно проблем с драйверами становится мень-ше.

Накопители информации на базе микросхем FLASH-памяти становятся всё более распространенными среди других носителей информации, и, нако-нец-то, начинают вытеснять прочие переносные носители типа дискет или CD-дисков. Многие используют их как переносные хранилища важной ин-формации, однако, в связи с постоянным удешевлением конструкции FLASH-накопителей, качество их изготовления также сильно падает. Поэто-му не удивительно, что на восстановление информации их стали приносить всё чаще.

Рассмотрим как устроен типовой USB FLASH DRIVE (далее UFD). Как правило, он состоит из печатной платы небольшого размера, к ко-торой припаян USB разъём. На печатной плате обычно находятся: 1. Контроллер, обеспечивающий связь между микросхемой NAND FLASH памяти и USB интерфейсом. 2. Собственно сама

FLASH-память. Она может выглядеть в виде одной или нескольких микросхем FLASH-памяти. 3. Индикатор активности UFD. 4. Переключатель защиты от записи. 5. Обвязки питания контроллера. В обвязку входят детали поддер-живающие питание контроллера и микросхем FLASH-памяти. Контроллеры, применяемые в UFD обычно изготавливаются несколь-кими довольно известными фирмами, и все остальные производители UFD их закупают.

Таким образом, в отличие от НЖМД, UFD могут, в принципе, производиться в любом подвале. Однако тут стоит отметить, что для удешев-ления продукции подобные «подвальные» фирмы могут применять не каче-ственную технологию пайки и дешёвые или отбракованные микросхемы FLASH-памяти. Соответственно качество таких изделий ниже, чем у извест-ных фирм. Для компьютера UFD «выглядит» также, как и НЖМД, т.е. в виде од-номерного массива секторов по 512 байт.

У старых UFD каждый сектор мик-росхемы FLASH-памяти соответствовал одному и тому же логическому сек-тору в массиве секторов, который видела операционная система как жёсткий диск. Однако выяснилось, что ячейки FLASH-памяти имеют тенденцию из-нашиваться и довольно быстро приходить в негодность. Причём в основном в тех местах, которые часто перезаписывались. Обычно, это область таблицы размещения файлов на диске.

Для того, что бы микросхемы FLASH-памяти изнашивались равномерно, была придумана следующая схема. В UFD ввели транслятор, т.е. при последовательной записи несколько раз в один и тот же логический сектор данные стали записываться каждый раз в другую физиче-скую ячейку в микросхеме FLASH-памяти. Установка соответствия логиче-ских секторов физическим обычно производится при помощи специальной таблицы трансляции. Это увеличивает срок службы

UFD, однако усложняет восстановление информации, поскольку приходится собирать сектора в правильную цепочку без помощи штатного контроллера UFD. Кроме того, в микросхеме FLASH-памяти записана ещё служебная информация, отвечающая за то, как будет определяться UFD в операционной системе. Принципы восстановления информации с UFD. На данный момент есть два способа восстановления информации с

FLASH дисков. Первый и наиболее простой способ – это ремонт UFD с по-следующим копированием с него информации. Перечислим наиболее часто встречающиеся неисправности в UFD в порядке вероятности их возникнове-ния: 1. Разломы и трещины пайки. Появляются из – за неаккуратного обращения с UFD.

Решаются данные проблемы обычно пропайкой печатной платы UFD 2. Сгорание предохранителей в цепи питания UFD - решается их заменой. 3. Сгорание стабилизатора напряжения из обвязки контроллера. Решается также его заменой. 4. Сгорание контроллера. Эта проблема уже довольно сложна т. к. контроллер обычно является нераспространённой деталью, уникальной

для данной серии UFD, и, нередко, для восстановления информации с UFD тре-буется использовать UFD донор – т. е. такой же UFD того же производителя. 5. Сгорание микросхемы FLASH-памяти - при данной неисправно-сти восстановить информацию обычно не возможно. Второй метод восстановления информации базируется на снятие мик-росхемы FLASH памяти с печатной платы и чтение её на специальном внеш-нем устройстве – программаторе.

Этот способ достаточно универсален и наиболее эффективен, но вместе с тем и достаточно сложен. Рассмотрим ос-новные сложности при реализации этого способа: 1. Не все программаторы корректно работают с микросхемами NAND FLASH. 2. Большая часть современных программаторов работает через ин-терфейс RS-232 и скорость их работы составляет в лучшем случае 115200 битс, таким образом,

UFD объёмом в один гигабайт будет читаться таким программатором порядка недели. 3. У каждого контроллера свой способ трансляции физических ад-ресов в логические, а так как контроллеров достаточно много то приходится постоянно заниматься исследованием новых типов контроллеров. 4. Кроме широко распространенного типа корпуса TSOP 48 есть менее распространённые типы корпусов VSOP и BGA. Панельки для уста-новки в программатор для них обычно купить невозможно, и их необходимо

изготавливать самостоятельно, что не так просто. Контактные головки под такие типы корпусов так же весьма дорогостоящи. Вывод «Война стандартов» на рынке флэш-карт продолжается уже не первый год, и конца ей не видно. Производители разрабатывают все новые форматы карт, в то время как старые до сих не желают исчезать. Практически можно говорить лишь о смерти устаревшего достаточно давно стандарта SmartMedia, хотя какая ж это смерть, если карты продолжают выпускаться (пусть и остановившись в развитии),

выходят новые устройства, рассчитан-ные именно на этот стандарт, да и старых на руках сохраняется немало. Од-нако некоторые тенденции уже просматриваются. В частности, продолжают терять свою долю карты CompactFlash: еще не так давно они (и поддержи-вающие их устройства) на рынке доминировали (по разным оценкам, доля формата составляла порядка 70-80%), в то время как сейчас они уже потеря-ли лидирующие позиции. Новым победителем, как многие и предсказывали, становится

SecureDigital. Эти карты меньше, что упрощает их применение, интерфейс проще, конструкция надежней, скорости постоянно растут. Един-ственное, что мешает SD одержать безоговорочную победу — ориентация многих производителей техники на свои форматы. Впрочем, что касается по-следнего, то наиболее ходовые объемы в 256-512 Мбайт производителями уже освоены, а широкое распространение карт емкостью 1

Гбайт и больше не за горами. Литература • Г93 Аппаратные средства IBM РС. Энциклопедия, 2-е. – СПб.: Питер, 2001 928 с.: ил. Автор – Михаил Гук • А. Жаров Ж35 "Железо IBM 2000" Москва: "МикроАрт", 352с.