передатчик радиовещательный

Введение Идея однополосной модуляции (ОМ) и передачи сообщения по каналам связи с помощью однополосно - модулированных колебаний относится к 1914 году, когда М. В. Шулейкин, рассматривая вопрос о роли боковых полос амплитудно-модулированного колебания, показал, что каждая боковая полоса содержит полную информацию о модулирующем сигнале. В будущем были разработаны и построены первые модуляторы однополосно- модулированных сигналов.

Однополосная модуляция обладает уникальной особенностью: ширина спектра колебания с ОМ почти равна ширине спектра исходного модулирующего сигнала, в 2 раза уже, чем при АМ, и в несколько раз уже, чем при ЧМ и ФМ. Эта особенность явилась причиной преимущественного использования ОМ в системах радиосвязи, работающих в наиболее загруженном диапазоне декаметровых волн (10…100 м). Реализация радиоустройств с ОМ в нашей стране началась в конце 30-х годах.

В1940 году под руководством В. А. Котельникова была построена опытная КВ радиолиния Москва-Хабаровск с использованием ОМ. В 60-х годах МККР принял рекомендацию отказаться от амплитудной модуляции и перейти к ОМ на всех системах КВ радиосвязи. В связи с этим были разработаны однополосные устройства различного назначения с передатчиками мощностью 0,1 Вт…1000 кВт.

В последнее десятилетие передатчики с ОМ совершенствовались в основном с целью повышения их надежности путем внедрения микропроцессорных устройств, подсистем для управления, контроля показателей и диагностики. С начала 80-х годов в нашей стране и ряде других стран при содействии МККР проводились поисковые работы для выяснения возможности применения ОМ в системах информационного вещания в диапазонах

КВ и СВ. Благоприятные результаты дали основания МККР рекомендовать следующий план внедрения КВ вещательных передатчиков с ОМ. На первом этапе при наличии огромного парка вещательных приемников для приема передач с однополосной амплитудной модуляцией (излучение А3Е) будут постепенно внедряться вещательные передатчики для работы с одной боковой полосой и ослабленной (против АМ на 6 дБ) несущей (излучение Н3Е). На втором этапе (вероятно, после 2015 года), когда парк

вещательных приемников существенно обновится за счет новых приемников с синхронным детектором и автоподстройкой частоты, будет совершен переход к работе с еще более ослабленной (на 12 дБ) несущей (излучение R3Е). 1.Анализ технического задания По данному техническому заданию нужно разработать радиопередатчик с однополосной модуляцией (ОМ) с рабочей частотой 6 МГц. Допустимая нестабильность частоты 5·10-7.

Требуемую нестабильность частоты можно получить только при кварцевой стабилизации. Сигнал с микрофона нужно усилить. Для этого используем простой низкочастотный усилитель низкой частоты на транзисторах, который обеспечить требуемое усиление. Тип сигнала передатчика - однополосный, поэтому требуется включать в схему однополосный модулятор (ОМ ), где происходит выделение НБП и ВБП. Выходная мощность передатчика

Р=100 Вт. Для этого используем мощный низкочастотный транзистор КТ944А. Оконечный каскад обязательно требуется согласовать с фидером антенны, для этого ставится согласующая цепь. Для обеспечения уровня нелинейных искажений -60 дБ, поставим цепь с улучшенной фильтрацией. 2.Выбор структурной схемы устройства В данном курсовом проекте передатчик с однополосной модуляцией сигналов реализуется по схеме приведенной в приложении .

Сигнал звуковой частоты, снятый с микрофона проходит через контакт 3 переходной платы и на усилитель низкой частоты 1, попадает на ОМ. Сигнал теряет форму и сильно садится, посаженный сигнал усиливается усилителем промежуточной частоты (УПЧ ).Далее проходит через полосовой фильтр. Полученный сигнал усиливается в усилителе мощности. Из-за ослабления полезного сигнала при прохождении фильтров и однополосных модуляторов, возникает необходимость

в усилении сигнала промежуточной частоты. Для этой цели на выходе ставятся два промежуточных усилителя (ПУ1 и ПУ2) и два усилителя мощности (УМ1 и УМ2). В итоге сигнал через цепь согласования попадает в антенну. 3 Синтез функциональной схемы. Сигнал, снятый с микрофона поступает на модулятор, для выделения ВБП и НБП используем ОМ, на вход которого с генератора подается опорное напряжение с частотой 6.0 МГц. УПЧ и применяют для усиления амплитуды сигнала и

ПФ фильтрация от нужных гармоник. В ФНЧ происходит компенсация частоты и высших гармоник, чтобы они не попали в диапазон рабочих частот. Полученный сигнал усиливается и подается на колебательную систему, где происходит согласование антенны с передатчиком. Схема электрическая функциональная приведена в приложении . 4.Выбор функциональных блоков 1.Усильтель низкой частоты.

Все предложенные схемы будут использованы в курсовом проекте с некоторыми коррективами и дополнениями, о которых будет изложено ниже. Рисунок 1 УНЧ Для усиления сигналов используется усилитель низкой частоты выполненный на двух транзисторах, включенных по схеме с ОЭ. резисторы R9 и R11 устанавливают отрицательную обратную связь. Схема УНЧ приведена на рисунке 4.2 Однополосный модулятор

ОМ На рис. 2 приведена схема формирования однополосного сигнала на частоте 500 кГц с использованием диодного балансного модулятора и электромеханического фильтра. Примененные в этой схеме балансные модуляторы на двух диодах питаются двумя напряжениями опорной частоты, сдвинутыми по фазе на 180º, которые снимаются с фазоинвертора, собранного на транзисторе VT6, VT7. Схема приведена на рисунке 2 Рисунок 2 схема электрическая принципиальная балансных[ модуляторов.

Для формирования следующих используем два балансных модулятора. Балансные модуляторы реализованы на интегральной микросхеме К174ПС. Микросхема представляет собой двойной балансный смеситель для частот до 200 МГц и предназначена для преобразования частот УКВ – диапазона в радиоприемной и связной аппаратуре. Параметры микросхемы приведены в приложении 4.3. Опорный генератор 500 кГц

Частота генерируемых колебаний у этих генераторов определяется примененным кварцевым резонатором и при правильно выбранной схеме практически не зависит от стабильности остальных ее элементов. Автогенератор с ёмкостной трёхточкой и кварцевой стабилизацией частоты приведён на рисунке 3. Данный автогенератор представляет собой емкостную трёхточку, которая образована транзистором VT1, кварцевым резонатором ZQ1, выполняющим роль индуктивности, и конденсаторами

С1 и С5. Резисторы R1, R2, R3, R4 обеспечивают внешнее и автоматическое смещение для транзистора. Конденсатор С4 служит для блокировки резистора R4 на рабочей частоте, что исключает отрицательную обратную связь. Дроссель Lк включен для того, чтобы не зашунтировать трёхточку через источник питания Eпит. Схема генератора опорной частоты на 500 кГц приведена на рис.3. Рисунок 3 схема генератора опорной частоты на 500 кГц 4.4.

Сумматор. Сумматор выполним стандартный резистивный. На рис.4 изображена схема сумматора. Оценка согласования с балансным модулятором, где на входе стоит резистор R=1кОм и из условия, что сопротивление на выходе сумматора должно быть меньше, выбираем сопротивление элемента сумматора R=1кОм. Добиться уровня подавления несущей на 3 дБ можно, включив последовательно с выходом резистор-делитель. Рисунок 4 схема сумматора.

4.5 УПЧ Усилитель промежуточной частоты построим по упрощенной схеме простой на БТ с ОЭ. Рисунок 5 схема УПЧ 4.6 Полосовой фильтр и усилитель мощности На рисунке 6а изображен полосовой фильтр, который будет применен в схеме. На рисунке 6б приведена схема используемого усилителя мощности на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Схема отличается простотой. Рисунок 6а полосовой фильтр.

Рисунок 6б усилитель мощности. 4.7 Блок питания Блок питания будет использоваться универсальный блок питания БП-31(У) со стабилизированным напряжением +12В, +24В и выходным напряжением, которое изменяется в пределах от +36В до +48В. Блок питания подсоединяется к передатчику через кабель длинной 0.5метров. Схема и перечень элементов приведен в приложении. 5 Расчет основных узлов и блоков 5.1 Расчет кварцевого автогенератора

Рассчитаем автогенератор, рабочая частота которого . Принципиальная электрическая схема кварцевого автогенератора изображена на рисунке 10 Рисунок 7 – Схема принципиальная электрическая кварцевого автогенератора В качестве активного элемента в схеме автогенератора применим биполярный транзистор МП11А т.к. он обеспечивает требуемую выходную мощность и может работать на рассчитываемой частоте.

Параметры транзистора rнас=0,7 Ом; h21ЭО=50; fТ=60 МГц; Ск=60 пФ; Сэ=80 пФ; Еэ= 4 В; Екэ= 8 В τк=12 пс; Θ=600; fr=1мГц; Рвых=0.150Вт; Iк0=0.02А Исходные данные Ек снижено на 0,5 В по сравнению с Еп и составило Ек=8,5 В Расчет автогенератора по постоянному току 1.Тогда сопротивление автосмещения в эмиттерной цепи найдется следующим образом:

2.Ток базы находится по формуле , 3.Зададим ток делителя напряжения цепи фиксированного смещения по формуле , где . 4.Выбрав , получим . 5.Сопротивление делителя напряжения . 6.Определим напряжение смещения на базе транзистора: . 7.Найдем значения сопротивлений R1 и R2: , . 8.Выбираем стандартные значения сопротивлений R1 и R2: . Расчёт по переменному току 1.Определим крутизну транзистора по формуле , где – высокочастотное

сопротивление базы, – сопротивление эмиттерного перехода. 2.Высокочастотное сопротивление базы , где – постоянная времени цепи обратной связи, – ёмкость коллекторного перехода. 3.Крутизна транзистора . 4.Зададим коэффициент регенерации и определим управляющее сопротивление: . 5.Определим – сопротивление кварцевого резонатора, которое находится так: , где и – емкость и добротность кварцевого резонатора соответственно. 6.Зададим коэффициент обратной связи автогенератора и вычислим

реактивное сопротивление емкости С3: 7.Найдем емкость конденсаторов С1 и С5: . Стандартное значение: . 8.Вычислим ёмкость блокировочного конденсатора . Стандартное значение: . 9.Далее рассчитаем индуктивность блокировочного дросселя: . 10.Определим необходимость дросселя из условия . 11.Если оно не выполняется, то дроссель необходим. Проверка: , . Таким образом, условие выполняется, следовательно, дроссель не нужен.

Энергетический расчёт автогенератора 1.Амплитуда импульса коллекторного тока: . 2.Определим амплитуду первой гармоники коллекторного тока: . 3.Рассчитаем амплитуду напряжения на базе транзистора: . 4.Вычислим модуль коэффициента обратной связи: . 5.Найдем амплитуду напряжения на коллекторе: . 6.Определим мощность, потребляемую от источника коллекторной цепью: .

7.Мощность, рассеиваемая кварцевым резонатором: 8.Мощность, рассеиваемая транзистором, 9.Проверяем условие , где – допустимая мощность рассеиваемая транзистором: . 10.Оценим величину допустимого сопротивления нагрузки: 11.Из условия, что будет потребляться мощность 12.Тогда КПД автогенератора 5.2 Расчет усилителя мощности Рассчитаем оконечный каскад транзисторного усилителя

мощности, принципиальная электрическая схема которого показана на рисунке 9. Рисунок 8. Электрическая принципиальная схема оконечного каскада усилителя мощности Применим параллельную цепь питания, то есть через элементы цепи согласования проходят полезные переменные составляющие выходного тока. Благодаря блокировочным элементам Cбл1 и Lбл исключаются потери мощности высокой частоты в источнике питания и устраняется нежелательная

связь между каскадами передатчика через источник питания. Разделительная емкость Ср в параллельной схеме нужна для развязки по постоянному току активных элементов данного и последующего каскадов. Блокировочная емкость Cбл1 совместно с элементами Lбл и Ср образует колебательный контур, резонирующий на частоте, существенно меньшей рабочей частоты усилителя. При наличии высокочастотных колебаний активный элемент эквивалентен

отрицательному сопротивлению на резонансной частоте контура, что может привести к возбуждению в нем колебаний. Чтобы исключить их применяют антипаразитный резистор Rап. Напряжение смещения есть сумма фиксированного смещения от источника питания, пересчитанного через делитель R1R2, и автосмещения, образованного протеканием постоянной составляющей тока эмиттера Iэ0 через сопротивление Rсм, а также постоянной составляющей базового тока

Iб0 через параллельно соединенные сопротивления R1, R2. Цель расчета состоит в определении токов и напряжений в входной и выходной цепях транзистора, коэффициента усиления по мощности, определении номиналов элементов цепей питания и смещения, а также цепи согласования. Расчет выходной цепи транзистора За основу выберем КТ944А, кремневый транзистор планарный n-p-n перехода мощный высокочастотный, применяется для работы

в коротковолновых транзисторных передатчиках в диапазоне частот от 1.5МГц до 30МГц. Выберем угол отсечки , т. к. наш транзистор должен работать в критическом режиме. Определим коэффициенты Берга ; ; Расчет режима максимальной точки 1.Напряжение коллекторного питания в максимальном режиме 2.Амплитуда напряжения первой гармоники Uк1 на коллектор максимальное напряжение на коллекторе недолжно превышать допустимого:

3.Амплитуда первой гармоники коллекторного тока 4.Постоянная составляющая коллекторного тока 5.Максимальный коллекторный ток 6.Максимальная мощность, потребляемая от источника питания 5.КПД коллекторной цепи % 6.Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора 7.Номинальное сопротивление коллекторной нагрузки Из результатов расчета видно, что транзистор недоиспользуется по мощности, у схемы низкий КПД и выходное сопротивление ниже желаемого (равного входному сопротивлению фидера антенны) в 5 раз.

Увеличением напряжения питания можно добиться увеличения использования транзистора по мощности и, как следствие, увеличится КПД цепи, а так же можно добиться, что бы выходное сопротивление ОК совпало с входным сопротивлением фидера 1.Амплитуда первой гармоники напряжения Uk1 на коллекторе. 2.Амплитуда первой гармоники коллекторного тока 3.Постоянная составляющая коллекторного тока и максимальный коллекторные ток. 4.Требуемое напряжение питания.

В результате перерасчета транзистора исчезла необходимость в цепи согласования (выходное сопротивление передатчика стало равно входному сопротивлению фидера антенны), также увеличилось использование транзистора по мощности и увеличился КПД коллекторной цепи: Расчет входной цепи транзистора При расчете входной цепи транзистора в цепи включения с ОЭ предполагается, что между базовым и эмиттерным выводами транзистора по

ВЧ включен резистор , сопротивление которого 1.Амплитуда тока базы 2.Напряжение смещения на эмиттерном переходе при где 3.Максимальное обратное напряжение на базовом переходе 4.Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов 5.Определим барьерные ёмкости транзистора 6.В эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора на рис. , и находятся по формулам 7.Резистивная составляющая входного сопротивления Рисунок 9 – Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора 8.Входная мощность 9.Коэффициент

усиления по мощности 10.Максимальная мощность рассеиваемая на транзисторе в максимальном режиме Расчет цепей согласования Для согласования входа усилительного каскада с выходом предыдущего применяют цепи согласования (ЦС). Из большого разнообразия ЦС выберем П–образную ЦС с улучшенной фильтрацией. Рассчитаем цепь согласования (рисунок 11) оконечного каскада усилителя мощности с нагрузкой в виде коаксиального антенного кабеля.

Рисунок 10. Схема П–образной цепи согласования. Выходная ЦС представляет собой П-образную ЦС с улучшенной фильтрацией. Выходное сопротивление оконечного каскада (номинальное сопротивление коллекторной нагрузки) . Сопротивление потребителя. Рассчитаем элементы цепи согласования. 1.Характеристическое сопротивление цепи: . . 2.Зададим коэффициент улучшения фильтрации h = 65, тогда

Выберем номинальное значение конденсатора С2=10 нФ 3.Расчитаем индуктивность 4.Коэффициент фильтрации определяется выражением: 5.Для второй гармоники F2 = -90,06 дБ, для третьей F3 = -102,102 дБ Расчет цепей питания и смещения Рассчитаем элементы цепи питания. 1.Выбираем . 2.Выбираем 3.Рассчитаем элементы цепи смещения. ; 4.Рассчитаем резистивный делитель. Тогда получим: 5.3

Расчет фильтра нижних частот. В качестве выходного фильтра нижних частот (ФНЧ) выберем лестничный ФНЧ Чебышева. Расчет проведем по [1]. Фильтр должен удовлетворять следующим параметрам: Уровень побочных излучений = 60 дБ; Уровень нелинейных излучений излучений 1% Граничная частота полосы пропускания fD = 6 МГц; Граничная частота полосы задержания fS = 19.5 МГц. Введем нормированную частоту границы полосы задержания 2.

Задавшись максимальным затуханием в полосе пропускания и затуханием в полосе удержания по графикам в справочнике определим порядок фильтра, такие параметры Обеспечивает фильтр Чебышева 4-го порядка. .Значения нормированных элементов фильтра следующие: 4. Значения нормировочных коэффициентов определение номиналов элементов схемы фильтра. Значения элементов определяем по формула Индуктивности и емкость

Полученная схема фильтра нижних частот седьмого порядка показана на рисунке 11 Рисунок 11ФНЧ Конструкторская часть Тип аппаратуры—портативная стационарная, работающая в наземных сооружениях и на открытой местности. Для аппаратуры данного типа в соответствии с ГОСТ 16019-78 проводят следующие испытания: 1. Испытания на прочность при воздействии синусоидальной вибрационной частоте 1)частота 20Гц 2)амплитуда виброускорения 2g 3)время выдержки 0,5ч 2.Испытания

на воздействие повышенной влажности 1)относительная влажность 80% 2)время выдержки 48ч 3)температура 298К При таких условиях герметизация для устройства не требуется. 3. Испытания на воздействие пониженной температуре среды 1)предельная температура 233К 2)рабочая температура 278К 3)время выдержки при рабочей температуре 2-6ч 4. Испытания на воздействие повышенной температуре среды 1)предельная температура 328К 2)рабочая температура 313К 3)время выдержки при рабочей температуре 2-6ч

Нужно учитывать предельные температуры транзисторов устройства КТ312 и КТ304, они должны быть меньше предельной. В данном случае дополнительное охлаждение не требуется т.к. ТмахКТ312=398К, а ТмахКТ301=425К, что удовлетворяет условиям. 5. Испытания на прочность при транспортировке в упаковке длительность ударного импульса 5-10мс частота ударов в мин. 40-80 пиковая удароустойчивость 10g общее число ударов 10000 6.

Испытания на обнаружение резонансов конструкции диапазон частот 10-30Гц амплитуда виброперемещения 0,5-0,8мм время выдержки в каждом положении 4мин Для улучшения надежность рекомендуется использовать амортизаторы. Все испытания должны проводиться только в специально оборудованных помещениях и на специальном оборудовании. Данное устройство размещается на одной печатной плате в соответствии с электрической принципиальной схемой. Выбор типа и класса точности печатной платы

Исходя из того, что печатные платы 1-го и 2-го классов точности наиболее просты в исполнении, надежны в эксплуатации и имеют минимальную стоимость, выбор пал на 2-й класс точности, как самый оптимальный для установочной серии. Минимальная ширина проводника t и зазора s, мм 0,45 Предельное отклонение проводника с металлическим покрытием +0,15 0,1 мм Гарантийный поясок контактной площадки 0,2 мм Допуск на отверстие диаметром до 1 мм с металлизацией

d +0,1. -0,15 мм без металлизации +0,1 Допуск на отверстие диаметром свыше 1 мм с металлизацией d +0,15 0,2 мм без металлизации ±0,15 Отношение диаметра металлизированного отверстия к толщине платы 0,4 у Выбор внешних соединителей Внешняя коммутация обеспечивается с помощью непосредственного сочленения с использованием проводников, соединенных в жгут. Для исклю­чения влияний выходных цепей на входные, в разъеме их следует разнести. Для 2-го класса точности при расстоянии между отверстиями 3.54мм их

диаметр составляет 1.3 мм. Выбор вариантов установки навесных элементов на печатную плату В соответствии с ОСТом и требованиями, предъявляемыми к ФУ в качестве варианта для установки сопротивлений рекомендуется выбрать вариант 1а, который обеспечивает достаточную жесткость крепления. Для повышения устойчивости транзисторов к вибрации их дополнительно закрепить на радиаторах стандартным креплением. Выбор материала печатной платы

Повышенные требования к функциональному узлу, в связи с жесткими условиями эксплуатации, вынуждают использовать в качестве основания печатной платы стеклотекстолит фольгированный. Данный материал по сравнению с гетинаксом обладает более высокими электроизоляционными свойствами, лучшей механической прочностью, обрабатываемостью, стабильностью параметров при воздействии агрессивных сред и изменяющихся климатических условий. Длительно допустимая рабочая температура +160С0 (гетинакс

+85С°), допустимая влажность окружающей среды для платы без дополнительной влагозащиты до 98% при t<40C° (45% при t=15…32 C°), стеклотекстолит имеет меньший тангенс угла потерь 0.035 (0,07) и меньшую ди­электрическую проницаемость 5,5 (7,0), что уменьшает паразитную емкость; влагопоглощение при толщине 1.5мм 20мг против 80мг для гетинакса, прочность на отслаивание фольги после кондиционирования в гальваническом растворе 3,6Н (1,8Н), прочность на отрыв контактной площадки 6011 (50ЕГ).

Для наземной РЛС стоимость не является решающим фактором и им можно пренебречь. Наиболее полно отвечает требованиям стеклотекстолит марки СФ-1-35 (односторонний, толщина фольги 35 мкм.). Необходимая и достаточная толщина материала 1мм. (ГОСТ 10316-78). Расположение органов управления и разъёмов На переднюю панель блока передатчика выносятся: 1)разъём подключения микрофонов. 2)Гнездо «контроль 500кГц»

На задней панели: 1)разъём подключения антенны; 2)разъем для подключения питания; На переднюю панель блока питания выносятся: 3)индикатор неисправности блока, индикатор работа 4)тумблер включения питания На задней панели: 3)кабель с вилкой для подключения питания 220В 50гЦ; Заключение В результате выполнения курсового проекта разработан радиопередатчик, на фиксированной частоте 6 МГц, с однополосной модуляций-2(ОМ-2), с выходной 10

Вт,удовлетворяющий всем поставленным в техническом задании требованиям. Построены структурная, функциональная и электрическая принципиальная схемы. Произведен расчет автогенератора, усилителя мощности и ФНЧ Спроектированный радиопередатчик на фиксированной частоте 6 МГц, с однополосной модуляций с выходной 10 Вт. Список литературы 1.

Валитов Р.А Попов И.А. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. М.: Советское радио, 1973, 464 с. 2. Каганов В.И. Радиопередающие устройства: Учебник для сред. Проф. Образования – М.: Академия, 2002, 288 с. 3.Радиопередающие устройства: Учеб. для вузов/под ред. В.В. Шахгильдяна, В.А. Власов, и др 3-е издание перераб. и доп.

М.: Радио и связь, 1996 – 560 с.: ил. 4. Хавин М.Л. Схемотехника радиопередающих устройств М.: Энергия, 975 96 с. ПРИЛОЖЕНИЕ А Параметры транзистора МП11А Обратный ток эмиттера при Uэб = 15в 30 мкА; Напряжение насыщения коллектор – эмиттер 0.7 В; Статический коэффициент передачи тока в схеме с

ОЭ 50; Емкость эмиттерного перехода 80 пФ; Емкость коллекторного перехода 60 пФ; Максимально допустимые параметры постоянный ток коллектора 20 мА; импульсный ток коллектора 30 А; постоянное напряжение эмиттер – база 15 В; постоянное напряжение коллектор – база 10 В; постоянное напряжение коллектор – эмиттер 15 В; рассеиваемая мощность коллектора 150 мВт; Диапазон рабочих температур -60…+100&#730;С. Приложение

Б Параметры транзистора КТ944А Обратный ток эмиттера при Uэб = 15в 2А; Напряжение насыщения коллектор – эмиттер 0.7 В; Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 100; Емкость эмиттерного перехода 190 пФ; Емкость коллекторного перехода 2800 пФ; Максимально допустимые параметры постоянный ток коллектора 10А; постоянное напряжение эмиттер – база 40

В; постоянное напряжение коллектор – база 35 В; постоянное напряжение коллектор – эмиттер 60 В; Диапазон рабочих температур -60…+100 Приложение В К174ПС. Формирование ОБП производится фильтровым методом, для формирования сигнала на ПЧ используются три балансных модулятора. Балансные модуляторы реализованы на интегральной микросхеме К174ПС. Микросхема представляет собой двойной балансный смесительдля частот до 200

МГц и предназначена для преобразования частот УКВ – диапазона в радиоприемной и связной аппаратуре. Микросхема имеет следующие параметры: Ток потребления Iпот, мА не более 2,5 Крутизна преобразования S, мА/В, не менее 4,5 Коэффициент шума, дБ, не более 8 Верхняя граничная частота входного и опорного напряжения fгр, МГц 200 Напряжение питания Uп, В 4 – 15 Входное и опорное напряжение, не более,

В 1 ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Параметры транзистора КТ 927Б Обратный ток эмиттера при Uк = 3.5В 0.1 мА; Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при Iк = 10 А 0.5 В; Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте 5; Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 30; Емкость эмиттерного перехода 2300 пФ; Емкость коллекторногоперехода 150 пФ;

Максимально допустимые параметры постоянный ток коллектора 10 А; импульсный ток коллектора 30 А; постоянное напряжение эмиттер – база 3.5 В; постоянное напряжение коллектор – база 70 В; постоянное напряжение коллектор – эмиттер 70 В; рассеиваемая мощность коллектора 83.3 Вт; Диапазон рабочих температур -60…+100&#730;С.