1.Энергетические зоны и свободные носители заряда в твердых телах. Уровень Ферми и равновесная концентрация свободных носителей. Собственная и примесная проводимость полупроводников.2. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках.3. Неравновесное состояние и неравновесные носители заряда.4. Механизмы генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Уравнение генерации и рекомбинации.5. Уравнение непрерывности. Частные решения.6. Уравнение диффузии и его решение. Уравнение заряда.7. Поверхностные явления в полупроводниках.8. Эффект поля в полупроводниках. Уравнение Пуассона и его решение.9. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.10. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии. Инжекция и экстракция носителей.11. Вольт-амперная характеристика идеализированного p-n перехода.12. Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода.13. Пробой p-n перехода.14.Емкость p-n перехода.15. Переходные процессы в p-n переходе.16. Выпрямляющий контакт металл - полупроводник.17. Омический контакт металл – полупроводник.18. Структура металл – диэлектрик – полупроводник. Физические процессы в структуре и ее основные параметры.19. Гетеропереходы.20. Выпрямительные низкочастотные диоды.21. Выпрямительные высокочастотные и импульсные диоды. 22. Стабилитроны.23. Варикапы.24. Туннельные и обращенные диоды.25. Устройство и принцип действия биполярного транзистора.26. Токи и распределение носителей в биполярном транзисторе. Режимы работы. Статические характеристики транзистора.27. Физические параметры транзистора: коэффициенты передачи тока, дифференциальные сопротивления переходов, объемные сопротивления областей, коэффициент обратной связи, емкости переходов.28. Транзистор как линейный четырехполюсник. Система h-параметров29 Транзистор как усилитель малого сигнала.30. Моделирование транзистора. Модель Эберса-Молла.31. Работа транзистора на высоких частотах и в импульсном режиме.32. Принцип действия и статические характеристики МДП-транзисторов.33. Параметры МДП-транзисторов. Особенности работы на в.ч. сигналах.34. Транзисторы с управляющим p-n переходом и управляющим переходом металл-полупроводник.35. Тиристоры: устройство, режимы работы, принцип действия. Двухтранзисторная модель тиристора.36. Фотопроводимость полупроводников. Фоторприемники на основе эффекта фотопpоводимости и p-n перехода. Основные характеристики фотоприемников.37. Фотоэлектрические приборы: фотодиоды (p-i-n, лавинно-пролетные, Шоттки и др.), фототранзисторы, фоторезисторы, солнечные преобразователи.38. Светодиоды: принцип действия и основные характеристики. Типы светодиодов. Оптоэлектронные пары.39. Физические основы эмиссионной электроники.40. Физические процессы в двухэлектродной лампе (диоде).41. Характеристики и параметры ламповых диодов.42. Трехэлектродные лампы: физические процессы, характеристики и параметры.43. Работа триода с нагрузкой в анодной цепи.44. Элементарные процессы в газовых разрядах. Типы разрядов. 45. Газоразрядные приборы: стабилитроны, тиратроны.