Реферат по предмету "Коммуникации и связь"


Расчетная работа. КМОП схема И-НЕ

Министерство образования РФ. Московский Государственный Институт Электроники и Математики Технический университет . Факультет АВТ Курсовая работа По дисциплине Электроника на тему Расчет схемы И-НЕ на КМОП транзисторах Вариант 59 Преподаватель Выполнила Студентка группы С-43 Бондарева А.В. Москва,

2004 год. Задание на курсовую работу 1. Описать принцип работы схемы. 2. Выбрать и описать технологию изготовления схемы. 3. Нарисовать топологию и разрез схемы. 4. Рассчитать параметры элементов схемы. 5. С помощью программы P-Spice рассчитать а передаточную характеристику схемы б переходную характеристику схемы в статическую и динамическую мощности, потребляемые схемой.

6. Нарисовать топологию всей схемы. 7. Сравнить с аналогами, выпускаемыми промышленностью. Дано КМОП схема И-Не. Минимальный размер 3 мкм, толщина окисла 50 нм. Принцип работы схемы Пусть p-канальный МОП транзистор, подключенный к входу 1, будет T2, а к входу 2 Т2. Тогда n-канальный транзистор, подключенный к входу 1 T1, а к входу 2 Т1. P-канальные транзисторы Т2 и Т2 включены параллельно, следовательно, при подаче

на затвор только одного из них высокого потенциала U1 другой будет открыт и на выходе будет напряжение отличное от напряжения питания. Если подать на затворы обоих транзисторов высокий потенциал, то оба транзистора будут закрыты. N-канальные транзисторы T1 и Т1 включены последовательно, следовательно, при подаче на затвор одного из них низкого потенциала об транзистора будут закрыты, и откроются они лишь при подаче высокого потенциала

на оба затвора. Таким образом, при подаче на вход 1 или вход 2 или на оба низкого потенциала, по крайней мере один p-канальный транзистор будет открыт, а один n-канальный транзистор будет закрыт, следовательно, на выходе получаем напряжение отличное от напряжения питания. И только при подаче на оба входа высокого напряжения оба p-канальных транзистора будут закрыты, а два n-канальных транзистора открыты, следовательно, на выходе получим напряжение 0.

Вход 1Вход 2Выход001011101110 Расчет параметров. Для n-канального транзистора. Uпор Usi Uox-Uss-Uw Usi ln, где Nак 3,6 1016см-3 Usi 2 0,025 1,6 10-19 ln 3,6 1016 1,5 1016 0,76 В Uox , где Сох 0Si02 xd xd толщина подзатворного диэлектрика Сох 8,85 10-14 4 0,5 10-15 7,08 , тогда Uox 2 8,85 10-14 12 1,6 10-19 3,5 10-16 0,38 7,08 10-18 1,34 В , т.к. Uox 20SiO2gNак 2Фf Cox , а Фf поверхностный потенциал хар-т искривления уровня

Ферми Фf Usi 2 0.38 Uss Qss Cox падение напряжения на пов-ном заряде Qss 1,4 10-8 gt Uss 0,24 Uw Wз-о-Wsi-o напряжение работы выхода Wз-о WSi0 3,25В Фf з-о sio Фf затвора Si 0,025ln 1 10-19 1,5 10-10 0,53 Wз-о Si затвор 3,25 0,55-0,53 3,27 Wsio p подложка 3,25 0,55 0,38 4,18 Следовательно Uw 1 1,6 10-19 3,27-4,18 -0,91 Uпор 1,34 0,76-0,2-0,91 0,99

В Для p-канального транзистора. аналогично n-канальному Uпор Usi Uox-Uss Uw Usi ln, где Nак 2 1016см-3 USi -0,73 В Uox Qв Сох 2 8,85 10-14 12 1,6 10-19 2 10-16 -0,73 7,08 10-18 -0,99 В , т.к. Uss Qss Cox 0,2 В Uw Wз-о-Wsi-o 1,02 В Фf USi 2 -0,36 Wз-о 3,25 0,55 0,64 4,45, т.к. Фf затвора 0,025ln 1 10-21 1,5 10-10 0,64

В Wsio 3,25 0,55-0,366 3,43 Uпор -0,99-0,73-0,2 1,02 -0,9 В Расчет крутизн K Для n-канальногоДля p-канальногоM 500см2В-1с-1М 200 см2В-1с-1K 500 7,08 10-8 24 7K 200 7,08 10-8 60 7K 212,4 мкА В2K 212,4 мкА В2 Расчет емкостей Т.к. Kn Kp gt gt , т.к. Mns 500 см2В-1с-1, а Mps 200 см2В-1с-1, то пусть Wn 24 мкм gt Wp Wn Сзи Сзс CoxdперW Cзп CoxLW 1 Cип Ссп Wp n 0SiSp n

Wp n Wp n 20SiUp n gNподл Sp n W x xj 2w 2x 4xj2 Wx xj W x 2xxj2, где L длина канала, L Lзатвора-2dпер 7-2 1 5 мкм dпер-перекрытие затвором области стока истока Глубина залегания карманов hi 6 мкм Глубина залегания областей стоков и истоков xj 1,2 мкм Глубина залегания изолирующего слоя hd 2,5 мкм Ширина изолирующего слоя Wd 20 мкм Длина области стока истока X 3 min 9 мкм

Для n-канальногоДля p-канальногоСзи Сзс 7,08 10-10 1 10-4 24 10-4 16,992 10-15 фСзи Сзс 7,08 10-10 1 10-4 60 10-4 4,248 10-14 фСзп 7,08 10-8 5 10-4 24 10-4 0,24 0,24 1 14,16 10-15 фСзп 7,08 10-8 5 10-4 60 10-4 0,21 0,21 1 3,54 10-14 ф Wp n 2 8,8510-1212 1 10-6 1,6 10-19 3,5 1016 1,948 10-8 м2 Wp n 2 8,8510-1212 1 10-6 1,6 10-19 2 1016 2,576 10-8 м2Sp n 24 10-6 9 10-6 1,2 10-6 24 10-6 9 10-6 2 1,2 10-6 2 3,49 10-10 м2Sp n 60 10-6 9 10-6 1,2 10-6 60 10-6 9 10-6 2 1,2 10-6 2 8,09 10-10 м2Сип

Ссп 8,85 10-12 12 3,49 10-10 1,948 10-8 1,9 10-14 фСип Ссп 8,85 10-12 12 8,09 10-10 2,576 10-8 3,34 10-14 ф Коэффициент влияния подложки 2g0siNa Uлог1 Eпит 10В Для n-канальногоДля p-канального 2 1,6 10-9 8,85 10-14 12 3,5 1016 10 2 0,38 -2 0,38 7,08 10 10-8 0,24 2 1,6 10-9 8,85 10-14 12 2 1016 10 2 -0,366 -2 0,38 7,08 10 10-8 0,21 Расчет ВАХ Входная характеристика

Выходная характеристикаIc k Uz-Uпор 2 2 1 Ic Usi Триодная область до UотсПентодная область после UотсIc k Uz-Uпор Us- 1 Uc2 2 Ic k Uz-Uпор 1 Uотс Uz-Uпор 1



Не сдавайте скачаную работу преподавателю!
Данный реферат Вы можете использовать для подготовки курсовых проектов.

Поделись с друзьями, за репост + 100 мильонов к студенческой карме :

Пишем реферат самостоятельно:
! Как писать рефераты
Практические рекомендации по написанию студенческих рефератов.
! План реферата Краткий список разделов, отражающий структура и порядок работы над будующим рефератом.
! Введение реферата Вводная часть работы, в которой отражается цель и обозначается список задач.
! Заключение реферата В заключении подводятся итоги, описывается была ли достигнута поставленная цель, каковы результаты.
! Оформление рефератов Методические рекомендации по грамотному оформлению работы по ГОСТ.

Читайте также:
Виды рефератов Какими бывают рефераты по своему назначению и структуре.

Сейчас смотрят :

Реферат Закон об охране окружающей природной среды
Реферат Я убит подо Ржевом
Реферат Причины и особенности протекания процессов архаизации в произведении ЛН Толстого Детство
Реферат Программные средства Интернет
Реферат Лейбниц Готфрид Вильгельм
Реферат Выполнение природоохранных требований по обращению с опасными отходами в ООО "МашСталь" в соответствии с законодательством Российской Федерации
Реферат МЦ-125 ружье для генсека
Реферат Физическое развитие детей до года
Реферат Мирошниченко Ирина Петровна
Реферат Система развивающего обучения
Реферат Тайна элементарного
Реферат Організація середовища для моделювання змішаної системи освіти на прикладі Факультету мистецтв Криворізького 2
Реферат Реформи Петра Першого
Реферат Реализация принципов дидактики в ходе преподавания дисциплины Экономика в колледже ПТШ на примере 2
Реферат Государство Древнего Китая