На правах рукописиФранцев Дмитрий НиколаевичадаптивнАЯ системА управления процессАмИ роста кристаллов для методов Степанова и ЧохральскогоСпециальность 01.04.01 – "Приборы и методы экспериментальной физики"АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наукЧерноголовка – 2009 Работа выполнена в лаборатории управляемого роста кристаллов Учреждения Российской академии наук Института физики твердого тела РАН (ИФФТ РАН) и лаборатории роста кристаллов Экспериментального завода научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН)Научный руководитель: Доктор технических наук, член-корр. РАН Бородин Владимир АлексеевичОфициальные оппоненты: Доктор физико-математических наук Буляница Антон ЛеонидовичДоктор технических наук Брантов Сергей КонстантиновичВедущая организация: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-ПетербургЗащита диссертации состоится "05" июня 2009 г. в 15 часов на заседании диссертационного совета Д 002.034.01 при Учреждении Российской академии наук Институте аналитического приборостроения РАН по адресу: 190103, г. Санкт-Петербург, Рижский пр-т, д. 26.С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Учреждения Российской академии науки Института аналитического приборостроения РАН по тому же адресу.Автореферат разослан " " __________________2009 г.Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат физико-математических наук: Щербаков А.П. ^ Общая характеристика работы Актуальность темыПрогресс в области технологий получения монокристаллов из расплава в значительной степени определяется увеличением массы выращиваемых кристаллов и общим снижением издержек их производства, что требует совершенствования систем автоматического управления процессом роста кристаллов из расплава, и в особенности для методов Степанова и Чохральского. Современные установки для выращивания монокристаллов этими методами оснащены системами автоматического управления (САУ) технологическим процессом. Однако типы регуляторов и коэффициенты регулирования для них определяются эмпирическим путем и, как правило, жестко задаются для конкретного типа и размера кристалла, и применяемого теплового узла. Поэтому такие САУ не учитывают, что в ходе кристаллизации происходит изменение динамических характеристик системы кристалл-расплав. Это изменение существенно возрастает с увеличением массы выращиваемых кристаллов. В связи с этим создание систем автоматического управления процессом роста, обладающих способностью автоматически подстраивать законы регулирования и/или коэффициенты регулирования под изменяющиеся динамические характеристики системы расплав-кристалл (т.е. создание адаптивных систем управления), является весьма актуальной задачей.В 1985 г. сотрудниками Института физики твердого тела АН СССР был предложен новый метод, обеспечивающий непрерывное управляемое изменение формы боковой поверхности выращиваемого кристалла. Это достигается за счет того, что в ходе кристаллизации осуществляется относительное горизонтальное перемещение локального формообразователя и оси вращения вытягиваемого кристалла. Технология получила название метода локального динамического формообразования. До настоящего времени остается актуальной задача автоматизации этого метода выращивания.^ Целью работы является разработка методов адаптивного управления процессами роста кристаллов из расплава методами Степанова и Чохральского, а также разработка метода управления процессом выращивания тел вращения методом локального динамического формообразования.Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:1. разработать методику вычисления опорного сигнала для системы автоматического управления, использующей косвенный метод наблюдения – метод взвешивания растущего кристалла;2. исследовать динамические характеристики ростовых процессов, выполняемых методами Чохральского и Степанова;3. разработать алгоритмы работы регуляторов и методы их адаптации на основе полученных экспериментальных данных о динамических характеристиках ростовых процессов;4. исследовать вклад шумов в исходном информационном сигнале, и предложить схему цифровой фильтрации;5. разработать алгоритмы автоматизации технологических этапов процессов выращивания кристаллов, такие как: разогрев и плавление шихты, затравливание, разращивание кристалла, рост кристалла, отрыв кристалла и охлаждение установки;6. для выбора оптимальных параметров ростовых процессов провести математическое моделирование распределения примеси в мениске расплава при выращивании кристаллов методом Степанова;7. провести производственные испытания разработанного программного обеспечения.^ Новизна и научная значимость работы1. Экспериментально показано, что при выращивании кристаллов алюмоиттриевого граната методом Чохральского и кристаллов сапфира методом Степанова с поперечным сечением сопоставимым с сечением тигля динамические характеристики объекта управления (ОУ) существенно меняются в ходе процесса роста, что подтверждает необходимость применения адаптивной системы автоматического управления. Обнаружено, что переходные процессы ОУ в случае метода Степанова различаются для разного знака изменения управляющего воздействия. При увеличении нагрева время установления переходного процесса больше на 20-30%, чем время установления при снижении нагрева. Такое поведение ОУ свидетельствует о необходимости применения нелинейного адаптивного регулятора для управления этим методом кристаллизации.3. Разработана новая методика автоматической настройки ПИД регулятора, состоящая из трех этапов: накопление экспериментальных данных об ОУ в ходе управления процессом при помощи релейного регулятора, вычисления коэффициентов модели объекта управления и определения коэффициентов ПИД регулятора на основе построенной математической модели и заданного эталонного переходного процесса. На этапе определения коэффициентов регулятора используется безусловный метод минимизации Нелдера-Мида. Это позволяет вводить дополнительные условия при выборе коэффициентов ПИД регулятора, такие как: ограничение на управляющее воздействие и скорость его нарастания, наличие зоны нечувствительности и насыщения.4. Предложено объяснение причины образования характерного дефекта профилированных кристаллов сапфира – слоя газовых включений вблизи их боковой поверхности. Проведенный для метода Степанова расчет распределения примеси показал, что в мениске возникают компактные области с концентрацией примеси, превышающей более чем на порядок исходную концентрацию примеси в расплаве . Образование таких областей происходит у фронта кристаллизации, на расстоянии 25-45 мкм от боковой кромки кристалла. Показано, что увеличение высоты мениска существенно снижает максимальную величину . Увеличение скорости вытягивания кристалла приводит к росту . Изменение ширины капилляра формообразователя не приводит к существенному изменению . Практическая значимость1. Впервые при вычислении опорного сигнала для системы автоматического управления для метода Степанова, использующей метод взвешивания растущего кристалла, учтены члены, ответственные за вклад гидростатических сил. Данные силы являются доминирующими на этапе разращивания кристалла.2. Впервые разработан программный адаптивный регулятор для управления выращиванием кристаллов методами Степанова и Чохральского, состоящий из автонастраиваемого ПИД регулятора, автонастраиваемого предиктора-корректора управляющего воздействия и релейного регулятора.3. Разработан алгоритм автоматического затравливания для группового способа выращивания кристаллов методом Степанова.4. Разработаны алгоритмы управления двигателями горизонтального и вертикального перемещения и вращения верхнего штока, а также двигателем вращения тигля для автоматизированного выращивания сапфировых полусфер методом локального динамического формообразования при использовании формообразователей различной геометрии.5. Впервые выращены полые изделия из монокристаллического сапфира методом локального динамического формообразования в виде полусфер диаметром 100 мм.^ Внедрение и реализация результатов работыРазработанная адаптивная САУ для процессов выращивания монокристаллов тугоплавких окислов методами Чохральского, Степанова и локального динамического формообразования внедрена Экспериментальным заводом научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН) на выпускаемой установке роста кристаллов "Ника-С".^ Апробация работыРезультаты проведенных исследований докладывались на Тринадцатой международной конференции по росту кристаллов (ICCG-13, 30 июля-4 августа 2001 г., Киото, Япония), на всероссийском совещании "Выращивание кристаллических изделий способом Степанова, пластичность и прочность кристаллов" (2004 г., Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С.–Петербург), на Четырнадцатой международной конференции по росту кристаллов (ICCG-14, август 2004 г., Гренобль, Франция), на Пятнадцатой международной конференции по росту кристаллов (ICCG-15, август 2007 г., Солт Лэйк Сити, США), Х национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2002, 24-29 ноября 2002 г., Москва), на ХI Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2004, 14-17 декабря 2004 г., Москва), на ХII Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2006, 23-27 октября 2006 г., Москва).ПубликацииОсновное содержание диссертации отражено в 13 публикациях, в том числе в 4 изданиях, внесенных в перечень ВАК.^ Основные положения, выносимые на защиту:1. методика и результаты эксперимента по определению переходных процессов объекта управления при выращивании кристаллов методами Чохральского и Степанова;2. методика вычисления опорного сигнала для метода Степанова, дополнительно учитывающий вклад гидростатических сил;3. новый тип регулятора - асимметричный релейный регулятор, имеющий зону нечувствительности по рассогласованию и по времени;4. методика автоматической настройки ПИД регулятора с использованием метода безусловной минимизации Нелдера-Мида и модели объекта управления, коэффициенты которой определяются при управлении релейным регулятором;5. методика настройки предиктора-корректора на основе данных об совокупном изменении управляющего воздействия при управлении релейным регулятором;6. структура программного адаптивного регулятора для управления выращиванием кристаллов методами Степанова и Чохральского, состоящая из блока "Супервизор", автонастраиваемого ПИД регулятора, автонастраиваемого предиктора-корректора управляющего воздействия и асимметричного релейного регулятора;7. алгоритм автоматического затравливания для группового процесса выращивания кристаллов методом Степанова;8. алгоритмы для управления двигателями перемещения и вращения штока и тигля ростовой установки для автоматического выращивания кристаллов в виде тел вращения;9. методика диагностики неисправности механических узлов ростовой установке, базирующаяся на основе анализа спектра сигнала с датчика веса;10. интерпретация причины возникновение характерного дефекта – слоя газовых включений вблизи боковой поверхности кристаллов, выращиваемых методом Степанова, на основе результатов расчета полей концентрации примеси в мениске расплава.^ Объем и структура работыДиссертационная работа состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы из 129 наименований. Работа содержит 158 страницы, включая 56 иллюстраций, 6 таблиц.^ ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИВведениеВо введении излагается актуальность выбранной темы, ее научная новизна и значимость, излагается структура диссертации.^ Глава 1. Литературный обзорВ первой главе, являющейся литературным обзором, дана краткая характеристика особенностей методов Степанова и Чохральского, приведены работы, касающиеся устойчивости этих методов кристаллизации. Уделено внимание проблеме автоматизации метода Чохральского с применением датчиков веса кристалла, вытягиваемого из расплава. Рассмотрены результаты работ по автоматизации метода Степанова. Отмечено, что в литературе отсутствует информация о создании автоматической системы управления, способной осуществлять процесс от затравливания до охлаждения получаемого кристалла без внесения в ходе выращивания корректировок программы управления или параметров процесса. Показано, что литературные данные свидетельствуют о возможности изменения динамических характеристик системы кристалл-расплав для метода Степанова в ходе процесса кристаллизации. В конце главы рассмотрены работы, касающиеся основ адаптивного управления. Обзор литературы завершается формулировкой задач диссертационной работы. ^ Глава 2. Исследование объекта управления и проектирование адаптивной системы управления. В начале второй главы приведена разработанная методика вычисления опорного сигнала для системы автоматического управления выращивания кристаллов методами Степанова и Чохральского. Целью управления является получение кристалла с минимальным отклонением от заданного продольного профиля. Данная цель достигается, при условии обеспечения системой автоматического управления минимального отклонения площади поперечного сечения растущего кристалла от мгновенного опорного значения площади сечения в каждый момент ростового процесса. Иными словами, основной задачей САУ является обеспечение роста кристалла с заданным поперечным сечением.Разрабатываемая система автоматического управления использует косвенный метод наблюдения за объектом управления - метод взвешивания растущего кристалла. Для формирования сигнала управления необходимо вычисление опорного значения силы в каждый момент времени ростового процесса, которое в случае метода Чохральского определяется весом кристалла и весом мениска расплава, а случае метода Степанова еще и вкладом гидростатических и гидродинамических сил. Для вычисления опорного значения силы в случае метода Чохральского используется известное уравнение Бардсли: (1)где плотности расплава и кристалла, радиус кристалла, – угол роста, - мгновенное значение угла продольного профиля кристалла к оси вытягивания, скорость кристаллизации, высота мениска, коэффициент поверхностного натяжения расплава, и - ускорение свободного падения. Для вычисления опорного значения силы в случае метода Степанова используется уравнение (2):, (2)где - скорость вытягивания кристалла, - площадь сечения кристалла, - периметр поперечного сечения кристалла, - высота подъёма расплава по капилляру над уровнем расплава в тигле.Цель управления достигается при стабилизации производной измеряемой силы , т.е. производной сигнала с датчика веса, которая косвенным образом характеризует текущее сечение растущего кристалла.Таким образом, для рассматриваемых методов выращивания объектом управления является производная силы . Управляющим воздействием является мощность нагрева . Была проведена серия экспериментов, направленных на определение переходных процессов (определения динамических характеристик объекта управления) - производной сигнала датчика веса при изменении мощности нагрева . Эксперименты проводились на ростовой установке "Ника-С".Методика экспериментов заключалась в том, что на стадии стационарного роста кристалла, проводились ступенчатые изменения мощности нагрева в виде меандра () и осуществлялась регистрация сигнала (см. рис 1). Рис. 1. График производной силы и график мощности нагрева при выращивании пакета из 6 сапфировых лент 37x3.5 мм методом Степанова. Объект управления показывает различие переходных процессов для разного знака изменения сигнала управления.Измерения проводились три раза в ходе одного процесса роста: на начальной стадии после выхода кристалла на заданный поперечный размер, в середине процесса и в конце процесса выращивания. Переходной процесс регистрировался как массив пар значений . Предварительно из экспериментальных данных удалялся линейный тренд. Затем массив анализировался при помощи специального инструментария "System identification toolbox" математической программы "MATLAB", позволяющего строить математические модели переходного процесса. Динамические характеристики объекта управления для метода Чохральского изучались при выращивании монокристаллов алюмоиттриевого граната. Было показано, что переходной процесс (т.е. динамическая характеристика объекта управления) меняется с течением времени. Было установлено, что переходные процессы для метода Чохральского можно аппроксимировать линейной авторегрессионой моделью (ARX) второго порядка. Динамические характеристики объекта управления для метода Степанова изучались на примере выращивании монокристаллов сапфира, как при выращивании одиночных кристаллов, так и в случае группового роста. Условия экспериментов приведены в табл. 1. Таблица 1 № Вид ростового процесса Геометрия, мм Скорость вытягивания штока, мм/мин Скорость подъема тигля, мм/мин 1 Рост цилиндрического стержня Ø4.3 1.5 0 2 Рост 30 стержней Ø 4.3 1.5 0.16 3 Рост пластины 37 x 3.5 0.79 0 4 Рост 6 пластин 37 x 3.5 0.79 0.19 Установлено, что переходные процессы для метода Степанова и Чохральского изменяются в ходе роста (рис. 2 а,б ). a) б) Рис. 2 а) Переходные процессы производной силы , ее фильтрованного значения и отклика авторегрессионой модели второго порядка (толстая линия) при выращивании кристалла методом Чохральского. б) Переходные процессы производной силы , ее фильтрованного значения при выращивании пакета из 6 сапфировых лент 37x3.5 мм методом Степанова. 1 – переходной процесс в начале кристалла, 2 – в середине, 3 – конце. Переходные процессы соответствуют ступенчатому снижению мощности нагрева на 0.2%.Чем больше масса растущих кристаллов, тем более существенные изменения претерпевает динамическая характеристика объекта управления. С течением времени происходит уменьшение постоянной времени переходного процесса и увеличение коэффициента усиления. При выращивании кристаллов методом Степанова наблюдается существенное различие переходных процессов ОУ в зависимости от знака изменения мощности нагрева. Так время установления переходного процесса при увеличении нагрева больше на 20-30% времени установления при снижении нагрева. Кроме того, переходной процесс метода Степанова обладает значительной величиной перерегулирования (200-500%). Это свидетельствует о том, что ПИД регулятор будет не эффективен при управлении процессом выращивания кристаллов методом Степанова.Кроме исследования динамических характеристик ОУ было проведено исследование характера изменения управляющего воздействие - мощности нагрева (t) по мере вытягивания кристаллов. Было обнаружено, что мощность нагрева увеличивается в ходе роста практически по линейному закону, за исключением начального и конечного участков роста; причем, чем больше площадь боковой поверхности кристаллов, тем больше увеличение мощности. Это позволило предложить использовать в контуре управления предиктор управляющего воздействия.Полученные экспериментальные данные позволили разработать адаптивный регулятор для методов Степанова и Чохральского (рис. 3). Данный регулятор является полностью программным. Рис. 3 Блок-схема унифицированного адаптивного регулятора для управления процессами выращивания кристаллов из расплава методами Степанова и Чохральского.Основной контур регулирования содержит три альтернативных блока формирования сигнала управления : ПИД регулятор, асимметричный релейный регулятор с зоной нечувствительности и предиктор-корректор управляющего сигнала. За работой основного контура управления следит блок "Супервизор", выполняющий, функции контура адаптации, обеспечивающий безопасность процесса регулирования и осуществляющий переключение блоков формирования сигнала управления. Регулятор использует разную стратегию управления для процессов выращивания кристаллов методами Степанова и Чохральского. При выращивании кристаллов методом Чохральского задействуются ПИД регулятор и релейный регулятор. Для метода Степанова, применяются предиктор управляющего сигнала и релейный регулятор.Формирование сигнала управления ПИД регулятора осуществляется по следующему итерационным закону:, (3)где - коэффициенты настройки, - рассогласование, - период квантования сигналов. Формирование сигнала управления асимметричного релейного регулятора с зоной нечувствительности определяется следующим выражением:, (4)где , - величина управляющего воздействия на текущем и предыдущем такте управления регулятора, - рассогласование, - границы зоны нечувствительности по рассогласованию, - время нечувствительности, в течение которого регулятор не реагирует на переходной процесс в системе. В случае выращивания кристаллов методом Чохральского используется ПИД регулятор (3). За его работой следит блок "Супервизор", который отслеживает рассогласование между сигналом с датчика веса и опорным сигналом, вычисляемым программно исходя из продольного профиля кристалла. Если рассогласование выходит из заранее заданного интервала , то считается, что ПИД регулятор не справился с управлением вследствие резкого возмущения или неточности своей настройки. "Супервизор" отключает ПИД регулятор от управления, и подключает к входу объекта управления релейный регулятор, который является грубым, однако более устойчивым. Во время управления релейным регулятором происходит накопление данных о сигналах на входе и выходе объекта управления. Специальный программный блок осуществляет вычисление новых коэффициентов ПИД регулятора. Для этого вычисляются коэффициенты линейной авторегрессионой модели (ARX):, (5)используя метод наименьших квадратов при подстановке экспериментальных данных в (5): (6)Задача (6) является линейной и приводит к системе линейных уравнений, решаемых методом Ньютона. После определения неизвестных массивов коэффициентов математической модели (5) объекта управления происходит вычисление коэффициентов цифрового ПИД регулятора (3). Коэффициенты ПИД регулятора определяются из условия обеспечения системой управления заданного эталонного переходного процесса, заданного в виде набора точек . Задача минимизации для нахождения коэффициентов ПИД регулятора:, (7)где - критерий качества управления. Задача минимизации (7) является нелинейной, поэтому для нахождения минимума используется метод Нелдера-Мида совместно с методом Монте-Карло. Критерием останова процесса минимизации служит достижение заданного количества итераций поиска или . После останова минимизации проводится проверка полученных коэффициентов регулятора. Критерий качества не должен превышать заданную величину . При выполнении этого условия найденные коэффициенты передаются в ПИД регулятор, и управление переключается на него. В противном случае продолжается управление релейным регулятором с последующим повторным определением коэффициентов ПИД регулятора. При выращивании кристаллов методом Степанова основным регулятором является линейный предиктор-корректор управляющего воздействия, который предсказывает изменение мощности нагрева вследствие изменения тепловых условий в ростовой камере. (8)где - тангенс угла наклона линейного тренда.За безопасностью функционирования предиктора-корректора следит блок "Супервизор", который при обнаружении выхода рассогласования из заранее заданного интервала , производит переключение управление на релейный регулятор. Спустя заданное количество срабатываний релейного регулятора происходит вновь вычисление коэффициента линейного тренда управляющего сигнала, и блок "Супервизор" возвращает управление предиктору.^ Глава 3. Исследование шумов в канале датчика веса и выбор метода цифровой фильтрацииДля системы автоматического управления необходимо иметь достоверный информационный сигнал об объекте управления. Предварительные замеры показали, что амплитуда шума в сигнале с датчика веса при однократном измерении составляет до 3*10-3 Н, что на два порядка превышает полезную составляющую - изменение веса кристалла за секунду.В третье главе представлена оригинальная методика, с помощью которой были определены характерные спектры шумов от всех механических узлов ростовой установки. Было показано, что большая часть энергии этих шумов лежит в частотном диапазоне выше Гц, что находится около верхней граничной частоты информационной составляющей. Это позволяет использовать низкочастотный (НЧ) фильтр для эффективного подавления шумов.Была предложена схема цифровой фильтрации сигнала с датчика веса с использованием двух перестраиваемых НЧ фильтров с бесконечной импульсной характеристикой (БИХ). Исходный сигнал с датчика веса проходит предварительную НЧ фильтрацию с частотой среза десятые Гц. Полученный сигнал используется для отображения графиков и автоматизации режима затравливания. Далее этот сигнал проходит через второй НЧ фильтр с частотой среза сотые Гц. Сигнал со второго фильтра используется непосредственно для автоматизации режима выращивания кристалла. Вследствие того, что границы диапазонов полезного сигнала и шума лежат в непосредственной близости важно следить за исправностью механических узлов ростовой установки, которые в случае неполадок могут вызывать дополнительный шум. Для этого был разработан метод диагностики неполадок механических узлов ростовой установки на основе спектрального анализа сигнала с датчика веса в режиме реального времени.^ Глава 4. Математическое моделирование распределения примеси в мениске расплава при росте профилированных кристаллов сапфираПроведено математическое моделирование распределения концентрации примеси в мениске расплава при различных геометрических параметрах мениска и скоростях роста кристалла. Для расчета распределения примеси использовалось совместное решение стационарного уравнения диффузии с конвективными членами и стационарного уравнения Навье-Стокса.Показано что в мениске возникают компактные области с концентрацией примеси, превышающей более чем на порядок исходную концентрацию примеси в расплаве. Образование таких областей происходит вблизи фронта кристаллизации, на расстоянии 25-45 мкм от боковой границы мениска, где присутствует горизонтальный противоток расплава.Полученное распределение примеси в мениске ( отношение С/, где концентрация примеси в расплаве) показано на рис. 4 в зависимости от скорости вытягивания. Коэффициент диффузии примеси в сапфире был выбран м2/с, который характерен для основных примесей сапфира. Для расчётов коэффициент распределения примеси был принят за . Показано, что увеличение высоты мениска существенно снижает максимальную величину концентрационного пересыщения, с увеличением скорости вытягивания кристалла происходит повышение пересыщения расплава. Увеличение ширины капилляра формообразователя приводит к незначительному снижению концентрационного пересыщения. Рис. 4. Распределения отношения С/С0 по объёму мениска при различных скоростях вытягивания. Шаг изолиний равен единице. На основании результатов моделирования даны рекомендации по оптимизации режимов выращивания профилированных кристаллов сапфира и выбору конструкции формообразователя. Результаты моделирования хорошо согласуются с известными экспериментальными данными по формированию слоистых скоплений газовых включений в приповерхностной области сапфировых пластин и трубок.^ Глава 5. Программно-технический комплекс (ПТК) для установки роста кристаллов из расплава "НИКА-С"В пятой главе приводится описание структуры созданного программного обеспечения "АУРА". Это ПО, обеспечивающее автоматическое адаптивное управление процессами роста методами Степанова и Чохральского заменила прежнее программное обеспечение, включавшее только ПИД регулятор с жестко заданными коэффициентами настройки. Приводится структура ПТК установки "НИКА-С".Приводятся алгоритмы управления для автоматизированного роста кристаллов методом Чохральского, включая расплавление загрузки в тигле, разращивание кристалла до заданного диаметра, рост цилиндрической части, создание обратного конуса, отрыв от расплава и охлаждение кристалла. Приведены разработанные алгоритмы управления для сквозного автоматизированного роста профилированных кристаллов сапфира методом Степанова, включая расплавление загрузки в тигле, затравливание и разращивание кристаллов, рост с заданным поперечным сечением, отрыв кристаллов от формообразователя и их охлаждение. Представлен разработанный алгоритм управления ростом произвольных тел вращения, получаемых методом локального динамического формообразования, в том числе и сапфировых полусфер.^ Глава 6. Результаты лабораторных и производственных испытаний адаптивной системы управленияВ шестой главе представлены результаты испытаний адаптивной системы управления при групповом выращивании сапфировых пластин методом Степанова и кристаллов алюмоиттриевого граната методом Чохральского. Приведены результаты по выращиванию сапфировых полусфер в автоматическом режиме методом локального динамического формообразования.Испытание адаптивной САУ для метода Чохральского проведено на примере выращивания нелегированных кристаллов алюмоиттриевого граната. Качество автоматической настройки САУ, и ее работы в целом, оценивалось по величине отклонения продольного профиля выращенного кристалла от исходного программного профиля. Максимальная величина отклонения реального диаметра кристалла от заданного составила мм для конуса расширения и мм для основного цилиндра. На рис. 5а представлены выращенные кристаллы.Производственные испытание адаптивной САУ для выращивания кристаллов методом Степанова проводилось на примере выращивания сапфировых лент толщиной 2.3 – 2.5 мм и шириной 34 – 37 мм в пакете из 10 штук. В течение 3 месяцев было проведено 664 процесса. САУ обеспечило автоматическое выращиван