Украина, Харьков21-26 апреля, 2003ХарьковскаянаучнаяассамблеяПосвящается 75-летию Национального научного центра«Харьковский физико-технический институт»6-я Международная конференция«ВАКУУМНЫЕ ТЕХНОЛОГИИИ ОБОРУДОВАНИЕ»15-й Международный симпозиум«ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ»Международный научно-технический симпозиум«ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПОКРЫТИЯ НА СТЕКЛАХ»9-й Международный симпозиум^ «ВЫСОКОЧИСТЫЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ»Школа молодых ученых и специалистов по технологиямтонких пленок и покрытий^ НАЦИОНАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР «Харьковский физико-технический институт»ОРГАНИЗАТОРЫ И СПОНСОРЫ: Министерство образования и науки Украины Национальная академия наук Украины Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт» Glas Trösch Holding AG Ассоциация материаловедов и термистов Украины Национальный технический университет «Харьковскийполитехнический институт» Государственный НИИ вакуумной техники им. С.А.Векшинского Физико-технический институт низких температур НАНУ Научно-технологический центр в Украине Сумский государственный университет Украинское вакуумное общество Харьковский Дом науки и техники^ Уважаемые коллеги,Оргкомитет Харьковской научной ассамблеи, в рамках которой пройдут 6-я Международная конференция «Вакуумные технологии и оборудование» (ICVTE-6), 15-й Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» (ISTFE-15), Международный научно-техничсекий симпозиум «Функциональные покрытия на стеклах» (FCG-1), 9-й Международный симпозиум «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы» (ISPM-9), а также Школа молодых ученых и специалистов по технологиям тонких пленок и покрытий, приглашает Вас принять участие в ее работе. Данные мероприятия будут проходить 21-26 апреля 2003 года в г. Харькове. Конференции и симпозиумы по данной тематике имеют 25-летнию историю, являются традиционными и собирают широкий круг участников.Харьковская научная ассамблея 2003 года посвящена 75-летию Национального научного центра «Харьковский физико-технический институт». Основная тематика Ассамблеи связана с достижениями вакуумной науки и техники, истоки которой уходят в далекие 30-е годы ХХ века. В то время в ННЦ ХФТИ были начаты исследования и разработки отечественных диффузионных паромасляных насосов. Эти исследования во второй половине 40-х годов завершились созданием самых мощных в мире по производительности насосов (до 40 000 л/с).^ ННЦ ХФТИ колыбель криовакуумной техники. Здесь же были разработаны многочисленные модификации заливных криогенных вакуумных насосов и криовакуумных комплексов.Одним из крупнейших результатов исследований по термоядерному синтезу стала разработка самых производительных в мире электродуговых вакуумных насосов, а также разработка технологии «Булат», которая дала импульс широкому распространению во всем мире вакуумно-дуговых и ионно-плазменных технологий для упрочнения поверхностей.Всемирную известность имеет Харьковская научная школа по тонким пленкам и покрытиям — это исследования свойств микро- и наноструктурных материалов, это пионерские работы по технологиям получения TiN, DLC, композиционных и др. покрытий.^ Давние традиции ННЦ ХФТИ имеет в области исследования высокочистых веществ.Вакуумные технологические системы и комплексы, разработанные, изготовленные и эксплуатируемые в ННЦ ХФТИ, в ряде случаев не имеют аналогов в мире.Участвуя в Харьковской научной ассамблее, Вы получаете доступ к новейшей информации по исследованиям, технологиям и разработкам, а также возможность общения с известными учеными и ведущими специалистами в данных областях. Сборники докладов издаются по международным полиграфическим стандартам.^ ВИДЫ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ДОКЛАДОВ:пленарныесекционныестендовыеАдрес для переписки: 61108, Украина, Харьков, а/я 10363 E-mail: vacuum_org@kipt.kharkov.uav.shulayev@kipt.kharkov.uaТел. (0572) 35-64-32, 35-63-23Тел./факс 35-25-45, 35-35-29Основные направления работыхарьковской научной ассамблеи6-я Международная конференция^ «ВАКУУМНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЕ»Наука о вакуумединамика разреженных газов и их потоков;химические и физические явления в вакууме, на поверхности твердых тел, в металлических газопоглотителях и газопроницаемых мембранах;вакуумные свойства материалов;метод механической безмасляной откачки;новейшие методы получения низких и экстремально низких давлений;вакуумные измерения и испытания.Элементы вакуумных системматериалы вакуумных систем;вакуумные герметичные соединения;запорно-регулирующая аппаратура;вакуумные камеры;конструкционные элементы вакуумных камер;вакуумные насосы;системы глубокой очистки инертных газов.Вакуумные установки, системы и комплексыпромышленные вакуумные установки, системы и технологические комплексы;комплексы имитации факторов космического пространства;газоструйные источники вакуумного ультрафиолета и мягкого рентгеновского излучения.Вакуумная металлургиясверхвысокий вакуум в металлургических технологиях;термомеханическая обработка в вакууме (прокатка, прессование, волочениеи т. д.);вакуумные технологии в машиностроении (сварка, пайка, спекание, дегазацияи т.д.).Криовакуумная техникакриоконденсация, криосорбция и криозахват;расчет крионасосов;практическое исполнение крионасосов;применение криовакуумной техники.Разработка и использование вакуумных технологийв промышленностивакуумные технологии получения тонкопленочных функциональных материалов;вакуумные технологии получения специальных и декоративных покрытий;вакуумные технологии для ускорительных и термоядерных исследований;практические вопросы использования вакуумных технологий в различных отраслях промышленности.15-й Международный симпозиум^ «ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ»Тонкие пленки, поверхности моделирование образования тонких пленок; термодинамика образования тонких пленок, фазовые диаграммы; механизм роста и структура тонких пленок; структура межфазных границ в тонких пленках; физико-механические свойства тонких пленок; вакуумные методы получения тонких пленок (PVD- и CVD-технологии); изготовление тонких пленок (конкретные способы); многослойные пленки.Методы обработки поверхностей термохимические процессы; технологии использование ионных пучков; модифицирование поверхностей с использованием лазерного излучения; технология использования электронных пучков; легирование.Нанотехнологии наноразмерные пленки, наноструктуры, квазикристаллические пленки; получение поверхностей с заданной структурой; изучение свойств кластеров, полученных газоструйными методами.Методы описания структурных и физических свойств,тесты функционирования пленочных структур микроскопические методы; методы сканирующей туннельной микроскопии; анализ с помощью электронных пучков; анализ с помощью ионов и атомов; анализ по рентгеновским лучам; анализ с помощью ИК излучения и видимого света; ядерные методики; механические и термические исследования; электрические и магнитные методы; тесты на коррозию; специальные методики контроля.^ АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИИ ПЛЕНКИ РОДСТВЕННЫХ МАТЕРИАЛОВОсаждение и рост тонких алмазных пленоки пленок родственных материалов(алмазоподобных, фуллеренов, нитридов и т. д.) синтез при высоком и низком давлении, включая: микроволновый, радиочастотный, горяче-нитевой, горения пламени и плазменно-факельный, CVD, PVD, лазерно-индуцированное осаждение, процессы модификации пленочных материалов (поверхностей) и гибридные процессы; моделирование механизмов роста.^ Легирование, модификация и обработка пленок исследование естественного, синтетического и CVD-алмаза, с использованием оптического поглощения и методов люминесценции, Раман - спектроскопии, электронной и рентгеновской дифракции и топографии, электронно-спинового резонанса, EELS, TEM; исследование эффекта Холла и электрической проводимости; исследование включений в естественном и синтетическом алмазе; исследование твердости, трения и износа; полировка, размол и адгезия; прилипание, сопротивление коррозии; дефекты, произведенные радиационным повреждением; изотопный и элементный анализ.Применение пленок активные полупроводниковые устройства, оптоэлектронные переключатели, тепловые субстраты, тепловое управление; антиотражающие покрытия, защитные покрытия, светоизлучающие устройства, литографические маски, режущий инструмент, абразив, сверла.Тенденции развития освещение возможных направлений развития алмазной технологии; оценка существующих рынков и перспектив для будущих применений и рыночного роста; новые применения алмаза.Международный научно-практический симпозиум^ «ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПОКРЫТИЯ НА СТЕКЛАХ»Прогрессивные технологии вакуумного напыления на стеклахвысокоскоростное магнетронное напыление металлов на большие площади поверхностей стекол;вакуумно-дуговое напыление, источники питания и дуговые гасители;импульсное магнетронное напыление;модулированное высокочастотное напыление;различные модификации ионно-плазменного напыления;CVD, усиленное плазмой;реактивное напыление;оборудование, экономические и экологические аспекты нанесения функциональных покрытий;контроль технологических процессов в режиме in-situ.Нанесение функциональных покрытийпри атмосферном давлениихимическое осаждение покрытий;пиролитическое осаждение покрытий;золь-гель и органические покрытия (погружение, прокатка, распыление и др.);экономические и экологические аспекты технологий нанесения покрытий при атмосферном давлении.Пред- и пост- обработка поверхностей стеколочистка поверхностей стекол больших площадей;специальная обработка поверхностей для экранов и т.д.;тепловая обработка (закалка с последующим отпуском стекол с нанесенными покрытиями);травление, раскрой;взаимодействие с органическими материалами;хранение, упаковка, транспортировка.Контроль параметров и испытаниядиэлектрические, проводящие, металлические и многофункциональные материалы покрытий;новые материалы для напыления;нанокомпозиты и «умные» материалы;новые материалы для распылительных мишеней при вакуумном плазменном нанесении покрытий;влияние параметров нанесения на свойства покрытий;физико-химические свойства покрытий.Напыленные пластики как альтернатива стеклудиффузионные барьерные слои на прозрачных пластиках;твердые покрытия на офтальмологических линзах;твердые покрытия на прозрачных пластиковых листах;фотохромные покрытия;многофункциональные покрытия на прозрачные пластики.Применение и тенденции развития(инжиниринг, производительность и производство в областях)архитектура (теплоотражающие, светоотражающие, самомоющиеся, фотокаталитические, фотохромные, упрочняющие, термостойкие и др. покрытия);автомобилестроение (антизапотевающие, антиистирающиеся, электрохромные и др. покрытия);светопрохождение (ИК-отражение, холодное зеркало и т.д.);связь и информация (прозрачный электрод, светоотражающие покрытия и т.д.).9-й Международный симпозиум^ «ВЫСОКОЧИСТЫЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ»Методы глубокой очисткихимические методыдистилляционные методы;кристаллизационные методы;метод термодиффузии.Получение высокочистых металлов и их сплавовглубокая очистка металлов;получение монокристалловтехнологии производства.Высокочистые полупроводниковые материалы в электроникематериалы электронного приборостроения особой чистотыглубокая очистка вспомогательных материалов технологий электронного приборостроения.^ Высокочистые металлы и сплавы в ядерной и термоядернойэнергетикеВысокочистые металлы и их изотопы в медицинеФизические и ядерно-физические методы элементногоанализа примесей в металлах и сплавах высокой чистотыОсобенности структуры и физические свойства металлови сплавов высокой чистоты^ Школа молодых ученых и специалистовпо технологиям тонких пленок и покрытийУчастникам Школы будут прочитаны обзорные лекции по технологиям тонких пленок известными учеными и специалистами-практиками. Проведение Школы предусмотрено параллельно с проведением конференции и симпозиумов. Слушатели Школы получат полные комплекты сборников научных докладов. Цель Школы – ознакомить молодых ученых и специалистов с успехами в области плазменных и вакуумных технологий получения тонких пленок, обработки поверхностей, полупроводников и микроэлектроники.ПубликацииК началу работы Харьковской научной ассамблеи будут изданы сборники полных текстов докладов, которые будут выдаваться участникам.Рабочие языки Харьковской научной ассамблеи – русский и английский.^ Требования к содержанию докладовВ докладах должны содержаться не публиковавшиеся ранее экспериментальные или теоретические результаты либо обзорная информация. Присланные доклады рецензируются. Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать ^ 5-ти машинописных страниц, обзорные доклады – 10-ти страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов к участию в Харьковской научной ассамблее не принимаются. Один участник ассамблеи может быть автором (соавтором) не более двух докладов.^ Требования к оформлению докладовРукописи должны представляться в 2-х экземплярах, оформленных по прилагаемой схеме, и должны быть подготовлены к непосредственному воспроизведению. На втором экземпляре должны быть подписи всех авторов. Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. В представленной рукописи должна быть отражена авторская оценка предшествующих работ, сформулирована цель исследования (работы), содержаться оригинальная часть и выводы, обеспечивающие понимание сути полученных результатов и их новизну. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений. К рукописи необходимо приложить дискету формата 1,44 Мб с записью доклада, выполненной в редакторе Microsoft Word, включая таблицы и рисунки. Вместо дискеты доклад может быть направлен по электронной почте (данный вариант предпочтительней). Рабочий язык сборника докладов – русский. Название доклада, фамилии авторов, название организации и города, а также аннотация к докладу должны быть переведены на английский язык и помещены в конце текста доклада (после списка литературы). Доклады также могут быть представлены на английском языке. При этом необходимо продублировать в конце доклада название доклада, фамилии авторов, название организации и города на русском языке, а также перевести на русский язык и аннотацию. Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены по тексту статьи. Построение чертежей и диаграмм допускается в Corel Draw (версия 10 и ниже), AutoCAD (версия 2000 и ниже), Microsoft Word, Microsoft Excel. Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор Microsoft Equation (версия 3.0 и ниже). Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается. Доклады, не соответствующие перечисленным требованиям, для участия в конференции не принимаются. Присланные материалы не возвращаются. Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное оформление, несоответствие тематике, отсутствие новизны, а также задержка с представлением доклада, что обусловлено сжатыми сроками представления сборников докладов в печать.^ Представление материаловВ Оргкомитет Харьковской научной ассамблеи до 31 декабря 2002 года должны быть направлены следующие материалы: доклад с указанием фамилии основного докладчика, оформленный в соответствии с приведенным образцом; экспертное заключение (разрешение на открытое опубликование статьи); сведения об авторах: (ФИО, год рождения, название организации, должность, ученая степень и звание, домашний и служебный адреса с индексами, телефоны, факс, E-mail). заявочная форма участника (прилагается на отдельном листе и направляется в адрес Оргкомитета для предварительной регистрации).^ Обращаем ваше внимание на то, что доклад необходимо высылать только с экспертным заключением.Просим передать эту информациюВашим коллегам^ Адрес для переписки: 61108, Украина, Харьков, а/я 10363 E-mail: vacuum_org@kipt.kharkov.ua v.shulayev@kipt.kharkov.ua (0572) 35-64-32, 35-63-23 Тел./факс 35-25-45, 35-35-29^ Зам. председателя Оргкомитета: Шулаев Валерий Михайлович Тел 35-63-23, 35-25-45, факс 35-35-29Ученый секретарь Оргкомитета: Кутний Елена Анатольевна Тел 35-64-32, факс 35-35-29^ Схема построения доклада(оформляется как научная статья) УДКНазвание статьиА. А. ИвановНазвание организации, г. Город, СтранаАннотация (на языке основного текста статьи, объем до 100 слов): шрифт – Times New Roman (Cyr); размер шрифта -^ 10 пт; начертание – обычное курсивное; расположение – по ширине; отступ первой строки абзаца – 0,6 см. Наименование подзаголовка первого уровняНаименование подзаголовка второго уровняФормат листа: А4 (2129,7 см). Шрифт статьи – Times New Roman (Cyr). Название и подзаголовки набираются заглавными буквами. Название статьи, авторы, название организации и аннотация располагаются в одну колонку. Основной текст располагается в две колонки одинаковой ширины, ширина колонки – 7,7 см, расстояние между колонками – 0,6 см. Допускается расположение крупных рисунков, формул и таблиц в одну колонку.^ Параметры страницы: (отступы от края страницы) слева – 3 см, справа – 2 см, сверху – 3 см, снизу – 3 см.УДК: размер шрифта - 9 пт; начертание – обычное; отступов нет; расположение – по левому краю.Название статьи: размер шрифта - 14 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – центрированное.^ Автор и название организации: размер шрифта - 12 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – центрированное.Текст статьи: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное; межстрочный интервал – одинарный; отступ первой строки абзаца – 0,6 см; расположение – по ширине. Между значением величины и единицей ее измерения ставится жесткий пробел (Ctrl+Shift+пробел).^ Подрисуночная подпись: размер шрифта – 10 пт; начертание – обычное курсивное; отступов нет; расположение – центрированное.Наименование подзаголовка первого уровня: размер шрифта -11 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет; расположение – центрированное. ^ Рис.1. Подпись под рисункомНаименование подзаголовка второго уровня: размер шрифта -10 пт; начертание – жирное курсивное; отступов нет расположение – центрированное.Литература: размер шрифта -10 пт; начертание – обычное; отступов нет расположение – по ширине. Не допускаются ссылки на неопубликованные материалы.литературА А.А. Иванов. Название работы. М.: "Наука", 1989, Т. 11, №2, С. 175. А.М. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: "Физматгиз", 1961.Н.М.Рыжов и др. МиТОМ. 2000, №6, с.26-30.^ REPORT TITLEА.А.IvanovOrganization, City, CountryAbstract (maximum size 100 words). Times New Roman font; size 10 pt; normal italic outline; justified alignment; paragraph first line indent 0,6 cm). ХАРЬКОВСКАЯ НАУЧНАЯАССАМБЛЕЯ^ Украина, г. Харьков, 21-26 апреля, 2003 ЗАЯВКА на участие в качестве докладчика(направляется в адрес Оргкомитета до 31 декабря 2002 года) 1. Фамилия, имя, отчество автора (авторов) 2. Название доклада 3. Форма участия (пленарный, секционный или стендовый доклад) 4. Основной докладчик (фамилия, имя, отчество) 5. Число, месяц, год рождения 6. Должность, звание,ученая степень 7. Организация 8. Адрес организации(с указанием почтового индекса) 9. Адрес домашний(с указанием почтового индекса) 10. Телекоммуникации: тел. раб. тел. дом. факс E-mail 11. Пожелания об адресе для переписки (домашний или рабочий) и наиболее удобном телекоммуникационном средстве контакта Отметьте «галочкой» мероприятие, в котором хотите принять участие: 6-я Международная конференция «Вакуумные технологии и оборудование» 15-й Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» Международный научно-технический симпозиум «Функциональные покрытия на стеклах»9-й Международный симпозиум «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы» Школа молодых ученых и специалистов по технологиям тонких пленок и покрытийХАРЬКОВСКАЯ НАУЧНАЯАССАМБЛЕЯ^ Украина, г. Харьков, 21-26 апреля 2003 ЗАЯВКА на участие в качестве слушателя(направляется в адрес Оргкомитета до 31 декабря 2002 года) 1. Фамилия, имя, отчество 2. Число, месяц, год рождения 3. Должность, звание,ученая степень 4. Организация 5. Адрес организации(с указанием почтового индекса) 6. Адрес домашний(с указанием почтового индекса) 7. Телекоммуникации: тел. раб. тел. дом. факс E-mail 8. Пожелания об адресе для переписки (домашний или рабочий) и наиболее удобном телекоммуникационном средстве контакта Отметьте «галочкой» мероприятие, в котором хотите принять участие: 6-я Международная конференция «Вакуумные технологии и оборудование» 15-й Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» Международный научно-технический симпозиум «Функциональные покрытия на стеклах»9-й Международный симпозиум «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы» Школа молодых ученых и специалистов по технологиям тонких пленок и покрытийАдрес для переписки: 61108, Украина, Харьков, а/я 10363 E-mail: vacuum_org@kipt.kharkov.ua v.shulayev@kipt.kharkov.ua Тел. (0572) 35-64-32, 35-63-23 Тел./факс 35-25-45, 35-35-29