Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1

УПИ УГТУ Кафедра радиопримные устройства. Контрольная работа 1 по дисциплине Элементная база радиоэлектронной аппаратуры . Вариант 17 Шифр Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс 3 Работу не высылать. УПИ УГТУ Кафедра радиопримные устройства. Контрольная работа 1 по дисциплине Элементная база радиоэлектронной аппаратуры . Вариант 17

Шифр Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Диод 2Д510А Краткая словесная характеристика диода. Диод кремниевый эпитаксиально- планарный. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды маркируются цветным кодом одной широкой и одной узкой полосами зелного цвета со стороны вывода катода. Масса диода не более 0,15 г. Паспортные параметры. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при не Iпр 200 мА более при 298 и 398 К 1,1 В при 213 К 1,5 В Постоянный обратный ток при Uпр 50 В, не более при 298 и 213

К . 5 мкА при 398 К 150 мкА Заряд переключения при Iпр 50 мА, Uобр,и 10 В, не более . 400 пКл Общая мкость диода при Uобр 0 В, не более 4 пФ Время обратного восстановления при Iпр 50 мА, Uобр,и 10 В, Iотсч 2 мА не более 4 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное, импульсное обратное напряжение любой формы и периодичности 50

В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса на уровне 50 В не более 2 мкс и скважности не менее 70 В Постоянный или средний прямой ток при температуре от 213 до 323 К 200 мА при 393 К 100 мА Импульсной прямой ток при фи 10 мкс без превышения среднего прямого тока при температуре от 213 до 323 К 1500 мА при 393 К 500 мА Температура перехода 423 К Температура окружающей среды .

U6 48 В, R6 U6 I6 48 4,00 мкА 12 МОм I7 5,00 мкА, U7 50 В, R7 U7 I7 50 5,00 мкА 10 МОм ДI1 0,25 мкА, ДU1 3 В, r1 ДU1 ДI1 3 0,25 мкА 12 МОм ДI2 0,50 мкА, ДU2 2 В, r2 ДU2 ДI2 2 0,50 мкА 4 МОм ДI3 1,00 мкА, ДU3 2 В, r3 ДU3 ДI3 2 1,00 мкА 2 МОм ДI4 1,00 мкА,

ДU4 2 В, r4 ДU4 ДI4 2 1,00 мкА 2 МОм ДI5 1,00 мкА, ДU5 2 В, r5 ДU5 ДI5 2 1,00 мкА 2 МОм ДI6 1,00 мкА, ДU6 2 В, r6 ДU6 ДI6 2 1,00 мкА 2 МОм Зависимость сопротивления постоянному току R от обратного напряжения Uобр R, МОм160140120100 806040 20 0510152025303540 U14550 U7Uоб,В Зависимость сопротивления переменному току r от обратного напряжения

Uобр r, МОм1210 864 2 0510152025303540 U14550 U7Uоб,В 2 График зависимости мкость Собр от обратного напряжения Сд, пФ4321 020406080UобрВ Определение величин температурных коэффициентов. Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр. Iпр,мА200 16012080 4000,20,40,60,81,0 1,2

U11,41,6 U2Uпр,В I 200 мА, U1 1,5 B, U2 1,1 B, T1 298 K, T2 213 K Iобр,мкА 150 I2125100755025 I1010203040 50 U60UобрВ U 50 B, I1 5 мкА, I2 150 мкА, Т1 298 К, Т2 398 К Определение сопротивления базы. Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах Т298К Iпр,мА500 I2400300200 I110000,20,40,60,81,0 1,2

Uпр,В Тепловой потенциал По вольтамперной характеристике определяем U1 1,1 В, U2 1,2 В, I1 200 мА, I2 500 мА Малосигнальная высокочастотная схема диода и величины е элементов. Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении Величины элементов схемы при Uобр 5 В Библиографический список. 1 Электронные приборы учебник для вузов Дулин В.Н

Аваев Н.А Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. Энергоатомиздат, 1989 г 2 Батушев В.А. Электронные приборы учебник для вузов М. Высш.шк 1980г. 3 Справочник Полупроводниковые приборы диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы М. Энергоатомиздат, 1987г 4 Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов методические указания к лабораторной работе по курсу Электронные приборы

Свердловск, 1989г