Зміст
1.Розробка структурної схеми пристрою
1.1Вибір навантаження
1.2 Вибірсхеми підсилювача потужності
1.3 Вибіртипу транзисторів
1.4 Визначеннязагального коефіцієнта підсилення пристрою по потужності
1.5Розрахунок співвідношення сигнал/шум
1.6Розрахунок частотних спотворень каскадів
1.6.1Розрахунок частотних спотворень в області низьких частот
1.6.2Розрахунок частотних спотворень в області високих частот
1.7Розрахунок нелінійних спотворень
1.8Розробка структурної схеми пристрою на дискретних елементах
1.9Розробка структурної схеми пристрою на інтегральних мікросхемах
2.Електричний розрахунок
2.1Розрахунок регулятора гучності
2.2Розрахунок підсилювача потужності на ІМС
2.3Розробка блоку живлення
3. Моделюванняпідсилювального каскаду
3.1 Вибірмоделюючої програми
3.2 Розробкамоделі та дослідження підсилювача
3.3 Аналізотриманих даних
Висновок
1. Розробка структурної схемипристрою
За данимиіндивідуального завдання визначається вхідна за такою формулою
/>, (1.1)
де Uвх– напруга вхідного сигналу;
Rвх– опір джерела сигналу
Для для тогощоб визначити потужності потрібно розрахувати напруги вхідного та вихідногосигналів за такими формулами
/>, (1.2)
/>. (1.3)
Таким чином.визначаються напруги вхідного та вихідного сигналів за формулами, відповідно, (1.2)і (1.3) :
/>;
/>.
По закінченнювизначення напруг вхідного сигналу та вихідного, визначаються вхідна та вихіднапотужність за формулою (1.1), відповідно:
/>;
/>.
Оскількинапруга виходу занадто велика застосуємо трансформатор з коефіцієнтомтрансформації n=5, тоді:
/>.
1.1Вибір навантаження
В даній системі у ролі навантаженнявиступає гучномовець або акустична система. Її необхідно обрати виходячи з умовномінальної вихідної потужності, смуги робочих частот, номінального опору такоефіцієнту гармонік. Визначимо номінальну потужність за формулою:
/> (1.4)(1.1)
де />-вихідна потужність підсилювача.
Так як підсилювач має великувихідну потужність в 150 Вт, то коефіцієнт дорівнює 5. Відповідно визначимовихідну номінальну потужність за формулою (1.4):
/>
1.2Вибір схеми підсилювача потужності
Розраховується джерелонапруги за такою формулою:
/>
(1.5)
(1.1)
де /> -залишкова напруга, що визначає запас по напрузі в роботі транзисторів (длявеликої вихідної потужності />).
Підставляються значення у формулу (1.5):
/>
Оскільки підсилювач маєвелику вихідну потужність та значну напругу живлення, тому необхідно обратисхему трансформаторного підсилювача потужності з додатковою симетрією плеч,оскільки вона має поліпшені характеристики та розрахована на велику вихіднупотужність.
1.3 Вибір типу транзисторів
Першим кроком є визначення корисної потужності, щовиділяється кожним транзистором кінцевого каскаду БПП за такою формулою:
/>
Транзистори всіх каскадів обираються за такимипараметрами як максимальна напруга між колектором та емітером, максимальнийструм колектора, потужність, що розсіюється на колекторі, максимальна робочачастота. Для розрахунку каскадів необхідно визначати вищевказані параметри.
Визначається потужність, що розсіюється на колекторі.За умовою, що каскад працює в режимі АВ, тоді його ККД = 50%. Отже, визначимошукане значення за формулою:
/> (1.6)
Отже за формулою (1.6):
/>
Наступним кроком є визначення значення амплітудимаксимального струму колектора:
/>
Оскільки транзистор працює в режимі АВ, то через ньоготече певне значення постійного струму. Визначимо дане значення за формулою:
/>
/>
Максимальний струм колектора дорівнює:
/>
/>
Максимально допустима напруга колектор-емітеррозраховується за формулою:
/>
/>
Оскільки вихідні транзистори мають бути розраховані нависоку вихідну потужність, значний струм та напругу джерела, то необхідновикористовувати імпортні транзистори, оскільки вони є більш сучасними та маютьзначно кращі характеристики.
Визначивши необхідні параметри транзистора можназдійснити його пошук. Таким чином обирається пара транзисторів 2SC4237-2SC4238з таким робочими параметрами [2]:
Максимально допустима напруга колектор-емітер: 600 В;
Максимально допустимий струм колектора: 10 А;
Максимально допустима потужність на колекторі: 150 Вт;
Гранична частота підсилення: 15 МГц;
Значення /> 100.
Параметри обраного транзистора цілком задовольняютьнеобхідні параметри, тому транзистор обрано вірно. За частотними параметрамитранзистор також цілком задовольняє:
/>
Розраховується КП транзистора, враховуючи, що вінвключений за схемою спільний колектор:
/>
Визначається потужність, що подається на вхід каскадуза формулами:
/>
/>
Знаходиться значення потужності, що виділяється напередкінцевому каскаді:
/>
/>
Далі необхідно знайти струм, що подається на базу транзисторівкінцевого каскаду. Цей струм відповідає струмові, що виходить з передкінцевогокаскаду:
/>
/>
/>
/>
Визначивши всі вимоги до транзисторів передкінцевогокаскаду, є змога виконати їх вибір. Таким чином обирається транзисторів: 2 SC1096-2SC1097з такими параметрами [2]:
Максимально допустима напруга колектор-емітер: 800 В;
Максимально допустимий струм колектора: 3 А;
Максимально допустима потужність на колекторі: 10 Вт;
Гранична частота підсилення: 60 МГц;
Значення /> 40.
Перевіряються частотні параметри транзистора:
/>
Отже за усіма основними параметрами транзистор єзадовільним, для використання у даній схемі, тому можна зробити висновок, щойого обрано вірно. Визначається КП транзисторів:
/>
Визначимо значення потужності та струму на входітранзистора передкінцевого каскаду за формулою :
/>
/>
Визначається величина потужності, що розсіюється наколекторі транзистора VT3, та необхідна величина його коллекторного струму:
/>
/>
Після визначення основних параметрів транзистор можнавибрати певний транзистор. Таким чином, обирається транзистор 2SC3117 зі схемоювключення СЕ. Його параметри [2]:
Максимально допустима напруга колектор-емітер: 400 В;
Максимально допустимий струм колектора: 2 А;
Максимально допустима потужність на колекторі: 10 Вт;
Одинична частота підсилення: 120 МГц;
Значення /> 100.
Для схеми включення спільний емітер необхідновизначити граничну частоту підсилення:
/>
/>
За проведеними розрахунками можна зробити висновок, щотранзистор забезпечує значний завал на ВЧ (/>),але оскільки за ТЗ необхідно забезпечити 3 дБ, то такий транзистор задовольняєтакій умові. Слід врахувати також, що пристрій охоплюється глибоким ВЗЗ, щозменшує частотні спотворення, що вносить транзистор. Тому транзистор обрановірно.
ЗнайдемоКП даного каскаду:
/>
Визначимо значення потужності та струму на входу транзисторів2каскаду каскаду:
/>
/>
Визначається величина потужності, що розсіюється наколекторі транзистора VT2, та необхідна величина його коллекторного струму:
/>
/>
Після визначення основних параметрів транзистор можнавибрати певний транзистор. Таким чином, обирається транзистор 2SC1473 зі схемоювключення СЕ. Його параметри [2]:
Максимально допустима напруга колектор-емітер: 400 В;
Максимально допустимий струм колектора: 0,07 А;
Максимально допустима потужність на колекторі: 0,5 Вт;
Одинична частота підсилення: 50 МГц;
Значення /> 30.
Для схеми включення спільний емітер необхідновизначити граничну частоту підсилення:
/>
/>
ЗнайдемоКП даного каскаду:
/>
Визначається потужність, що подається на вхід каскадуза формулами:
/>
/>
Знаходиться значення потужності, що виділяється напередкінцевому каскаді:
/>
/>
Далі необхідно знайти струм, що подається на базу транзисторівкінцевого каскаду. Цей струм відповідає струмові, що виходить з передкінцевогокаскаду:
/>
/>
/>
/>
Визначивши всі вимоги до транзисторів передкінцевогокаскаду, є змога виконати їх вибір. Таким чином обирається транзистор: 2SC1473з такими параметрами [2]:
Максимально допустима напруга колектор-емітер: 400 В;
Максимально допустимий струм колектора: 0,07 А;
Максимально допустима потужність на колекторі: 0,5 Вт;
Гранична частота підсилення: 50 МГц;
Значення /> 30.
Перевіряються частотні параметри транзистора:
/>
Отже за усіма основними параметрами транзистор єзадовільним, для використання у даній схемі, тому можна зробити висновок, щойого обрано вірно. Визначається КП транзисторів:
/>
1.4 Визначення загальногокоефіцієнта підсилення пристрою по потужності
Загальний коефіцієнт потужності визначається заформулою:
/>(1.6)
де /> - поправочний коефіцієнт,що враховує охоплення каскадів зворотнім зв’язком;
/> - поправочний коефіцієнт, щовраховує введення регулятора тембру;
/> - потужність, що виділяється навході першого каскаду.
Перший поправочний коефіцієнт визначається як квадратглибини зворотного зв’язку, яким охоплений пристрій. Визначимо коефіцієнт, якщоглибина зворотного зв’язку А=11:
/>
Підставимо знайдені значення у формулу (1.6) тавизначимо необхідний КП:
/>
Визначимо КП, що забезпечують транзистори, як суму їхКП:
/>
Таким чином пристрій дає запас по потужності в 3 дБ.Отже всі транзистори обрано вірно і вони забезпечують необхідний коефіцієнтпідсилення.
1.5 Розрахунок відношеннясигнал / шум
Для проектування багатокаскадних пристроїврозраховують лише напругу шуму першого каскаду. Рівень шуму першого каскадувизначає відношення сигнал/шум усього пристрою. Напругу шуму біполярноготранзистора визначають за формулою:
/> [мкВ] (1.7)
де />-еквівалентний вхідний опір (/>=300 Ом);
/> - смуга пропускання (/>);
/> — коефіцієнт шуму (для транзистора 2SC1473/>).
Підставляються дані параметри до формули (1.7):
/>
Знаходиться відношення сигнал/шум за формулою:
/>
Отже підсилювач забезпечує необхідне значеннясигнал/шум.
1.6 Розрахунок частотнихспотворень каскадів
Для області низьких та високих частот розрахунок будепроводитись окремо.
1.6.1 Розрахунок частотнихспотворень в області низьких частот
На НЧ ні транзистор, ні схема його ввімкнення невносять частотних спотворень у АЧХ, отже даними спотвореннями можна знехтувати.Але необхідно забезпечити завал на НЧ в 3 дБ. Для цього обираються такірозділові конденсатори, щоб сума їх спотворень дорівнювала 3 дБ. Отже на входісистеми ставиться конденсатор, що забезпечує завал в 1 дБ, після регулятора гучностіта на виході пристрою конденсатори будуть забезпечувати завал в 1 дБ. Такимчином буде забезпечуватись сумарний завал у 3 дБ.
1.6.2 Розрахунок частотнихспотворень в області високих частот
В області ВЧ необхідно враховувати частотніспотворення АЧХ транзистора. Ці спотворення розраховуються за формулою:
/>
Знайдемо частотні спотворення, що вносить кожентранзистор:
/>
/>
/>
/>
/>
В залежності від схеми включення транзисторамивносяться такі спотворення:
Для схеми спільний емітер: />
Для схеми спільний колектор: />
За формулою (1.33) знаходяться частотні спотворення:
/>
Оскільки пристрій охоплений зворотнім зв’язком, точастотні спотворення зменшуються. Визначимо частотні спотворення з урахуваннямВЗЗ:
/>
Для того, щоб на ВЧ відбувався завал у 3 дБ, необхіднона у колі зворотнього зв’язку ввести коректувальний конденсатор, що забезпечитьзавал на 1,87 дБ.
1.7 Розрахунок нелінійнихспотворень
В залежності від ввімкнення транзистора та режиму йогороботи нелінійні спотворення мають різне значення. Всі транзистори у схеміпрацюють у режиму великих струмів. В таблиці 1.1 наведена залежністькоефіцієнту гармонік від схеми ввімкнення транзистора [4].
Таблиця 1 – Залежність коефіцієнту нелінійнихспотворень від схеми увімкненняСхема Коефіцієнт гармонік Спільний емітер 3-10 % Спільний колектор 1-3 %
В пристрою застосовуються дві комплементарні пари натранзисторах, що ввімкнені по схемі спільний колектор та два транзистора всхемі спільний емітер. Тому їх загальний коефіцієнт нелінійних спотвореньдорівнює 6%. Оскільки пристрій охоплений зворотнім зв’язком, то коефіцієнтнелінійних спотворень зменшується. Визначимо коефіцієнт гармонік з урахуваннямВЗЗ:
/>
Отже сумарній коефіцієнт нелінійних спотвореньскладатиме 0,8%.
1.8 Розробка структурноїсхеми пристрою на дискретних елементах
Після виконання розрахунків є можливість скластиструктурну схему пристрою на дискретних елементах. Регулятор підсиленнярозміщується після першого каскаду. Структурна схема підсилювача наведена нарисунку 1.1.
1.9 Розробка структурної схеми пристрою на інтегральнихмікросхемах
Длятого, щоб зменшити та спростити розрахунки, підвищити ремонтопридатністьпристрою, зменшити габарити та кількість елементів пристрою замість схеми надискретних елементах буде використовуватись операційний підсилювач. Бажановикористовувати імпортні ІМС, оскільки вони мають кращі властивості та простішіу використанні.
Визначимокоефіцієнт підсилення ОП:
/>
/>
Необхіднообрати підсилювач з такими параметрами:
/> /> /> /> /> />
Таким чином обирається інтегральна мікросхема PA04A[5]. Дана інтегральна мікросхема призначена для використання в якостіаудіо-підсилювача класу АВ. Інтегральна мікросхема PA04A фірми Apex виготовленіу корпусах CANspecial з 12 виводами. Вони представляють собою надпотужніопераційні підсилювачі та можуть бути використані в якості підсилювачівпотужності низької частоти в звуковій апаратурі високого класу. В мікросхемівстроєний захист виходу від короткого замикання в навантаженні та термозахист.Для отримання максимальної вихідної потужності дану ІМС необхідно встановити нарадіатор[3].
На рисунку 1.2 зображено схему стандартного включеннямікросхеми:/>
Рисунок 1.2 – Схема стандартного ввімкнення мікросхемиPA04A
За стандартною схемою включення мікросхеми сигналпідсилюється в 20раз, але змінивши параметри зворотного зв’язку можна змінитидане значення. Коефіцієнт гармонік мікросхеми не перевищує 0,005%. Регулюючинапругу живлення можна отримати на опорі 200 Ом вихідну потужність на рівні 150Вт.
Оскільки ІМС, що використовується для підсиленнясигналу не є ідеальною, то вона вносить деякі частотні спотворення в областьвисоких частот. При підсиленні у 2058 разів частота на якій сигналпослаблюється на 3 дБ рівна f-3дБ=10 кГц. Отже, розраховуютьсячастотні спотворення, які буде вносити мікросхема в області ВЧ:
/>
Таким чином, можна зробити висновок, що данамікросхема не завалює на верхній частоті частотну характеристику більше ніж на3 дБ, що є задовільним результатом. Але для забезпечення завалу у 3 дБнеобхідно ввести додатково коректувальний конденсатор. Його ємність будерозраховано у електричному розрахунку з урахуванням його завалу на 3 дБ.
В якості регулятора гучності можна використати зміннийрезистор. Така схема буде простішою за схему з додатковим постійним резисторомі буде забезпечуватись більша глибина регулювання вхідного сигналу. Оскільки вхіднийопір є невеликим, то необхідно використати змінний резистор з невеликим опором.Таким чином обирається резистор PVZ3K301 300 Ом />5%,оскільки використовується узгодження по потужності. Для захисту від постійноїскладової вхідної напруги на вході регулятора вводиться розділовий конденсатор.Його ємність буде визначена в електричному розрахунку. Структура такогорегулятора гучності наведена на рисунку 1.4.
/>
Рисунок 1.3 – Структурна схема регулятора гучності
2. Електричний розрахунок
2.1 Розрахунок регуляторагучності
В схемі підсилювача є два розділових конденсатора.Нехай перший конденсатор, на вході пристрою, забезпечує завал на 2 дБ, адругий, що розміщений між регулятором гучності та підсилювачем, буде підібранийтак, щоб забезпечити мінімальний завал. Отже розрахуємо конденсатор С1 у відповідностідо опору гучності та необхідного завалу:
/>
Отже, обирається конденсатор С1 К50-15-32 мкФ.
2.2 Розрахунок підсилювачапотужності на ІМС
Резистор R2, що формуватиме вхідний опір буде типу С1-4-0,25Вт-8,2 кОм/>2%.
В типовій схемі включення даної мікросхеми [рисунок1.2] резистори в зворотньому зв'язку розраховані на коефіцієнт підсилення в25,2 дБ, тому необхідно розрахувати ці резистори для іншого коефіцієнтапідсилення. Схема електрична принципова зображена на рисунку 2.2. Нехайрезистор R4 буде опором 1 кОм. У відповідності до цього номіналу обираєтьсярезистор С1-4-0,25 Вт-1 кОм/>2%.Оскільки у схемі є ще один резистор R3 опором 1 кОм, то його тип буде такий жеяк і резистора R3.
Резистор R5 необхідно розрахувати у відповідності донеобхідного коефіцієнта підсилення:
/>
Найближчим резистором є резистор R5 С2-29В-0,125-2МОм±1%.
Резистор R6, що розміщений у корегувальному колі будетипу C1-4-0,25 Вт-120 Ом/>2%.
Далі здійснюється розрахунок конденсаторів. Розділовийконденсатор С13 не повинен забезпечувати завал на НЧ, тому:
/>
Обирається конденсатор С9 К50-20В 100 В 4 мкФ.
Конденсатор С8 обирається типу К52-7А-1000 мкФ-63 В.
Конденсатор С7 необхідно підібрати так, щоб він невикликав завал частотної характеристик на НЧ. Тому його розраховують заформулою:
/>
Обирається конденсатор номіналом К52-2-30 В-32 мкФ.
Конденсатор С10 розраховується відповідно донеобхідного завалу на 1,57дБ
/>
Обираючи з стандартного ряду номінальних ємностей,приймемо С10 К10-17В-63 В-9 пФ.
Конденсатор С12 не потрібно змінювати, оскільки коло,в яке він входить, розраховано розробниками мікросхеми. Даний конденсаторобирається типу К22-5-63 В-100 пкФ. [5]
Схема електрична принципова розрахованого підсилювачазображена на рисунку 2.3.
Для забезпечення роботи підсилювача в двох діапазонахчастот (50 Гц – 6,4 кГц; 150 Гц – 4,5 кГц), потрібно змінювати розділовийконденсатор С1 для забезпечення необхідної смуги пропускання на рівні -3 дБ,тобто, щоб частотні спотворення на крайніх частотах діапазонів дорівнювали 3дБ.
Конденсатор С1 вже розрахований для нижньої граничноїчастоти 50 Гц. Розрахуємо ємність розділового конденсатора С2 для нижньоїчастоти 2-го діапазону 150 Гц.
Отже, за формулою розраховується ємність конденсатора,що забезпечить дані спотворення
/>
Обирається конденсатор С2 К50-20В 100 В 12 мкФ.
Конденсатор С10 вже розрахований для верхньоїграничної частоти 6500 Гц. Розрахуємо ємність корегувального конденсатора С11для верхньої частоти 2-го діапазону за такою формулою
/>,
де, fв’ – верхня частота першогодіапазону.
Обираючи з стандартного ряду номінальних ємностей,приймемо С11 К10-17Б NPO 12 пФ[5][7].
Отже, остаточна електрична схема першого каскаду зрегулятором підсилення та перемикачем діапазонів буде мати такий вигляд, якпоказано на рисунку 7. Перемикач S1 здійснює перемикання робочих частотнихдіапазонів підсилювача. В положенні S1.1а і S1.2а – підсилювач працює вдіапазоні частот 50 Гц – 6,4кГц, в положенні S1.1б і S1.2б – підсилювач працюєв діапазоні частот 150 Гц – 4,5кГц. Схема електрична принципова розрахованогопідсилювача зображена на рисунку 2.1.
/>
Рисунок 2.1 – Схема електрична принциповарозроблюваного підсилювача
2.3 Розробка блоку живлення
Необхідно розробити блок живлення з двополярноюнапругою живлення />55 В. Для цьоговикористовується понижуючий трансформатор, діодний міст та фільтруючіконденсатори. Потужність споживання підсилювача дорівнює[6]:
/>
де /> - ККДпідсилювача (/>).
Тоді:
/>
Далі можна визначити струм споживання зазначивши, що />:
/>
В якості містка використовуються будь-які чотириоднакових діода, з максимальним струмом 5 А. Слід також врахувати захист відкороткого замикання і слід поставити запобіжник ПМ0,5 в коло первинної обмоткитрансформатора Т1 ТПП271-127/220-50. Після діодного моста VD1 та VD2 КЦ410Б ставлятьсяконденсатори С4-С7: К52-3-100 В-100 мкФ та С9-С12: К77-2-100 В-0,1 мкФ. Схемаелектрична принципова джерела живлення показана на рисунку 2.2.
/>
Рисунок 2.2 – Схема електрична принципова джерелаживлення
3. Моделювання регуляторатембру та підсилювального каскаду
3.1 Вибір моделюючої програми
Існує цілий ряд програм, за допомогою яких можназдійснити моделювання. Серед них є Electronics Workbench, Circuit Master,Microcap Evaluation, MatLab, Orcad та інші. Тому постає задача оптимальноїпрограми для моделювання. Програма має забезпечувати простоту інтерфейсу,легкість пошуку окремих елементів, високу швидкодію, точність вихідних даних, атокож невисокі вимоги до конфігурації ЕОМ та не мати реєстраційних обмежень.Тому обирається програма Electronics Workbench. Дана програма дає змогу закороткий час зібрати схему та отримати результати, що за точністю цілкомзадовольняють поставлену мету. Єдиним недоліком є мала кількість прототипів,але замість мікросхемb PA04 буде використовуватись стандартна мікросхема ОП.
3.2 Розробка моделі тадослідження підсилювача
В ході моделювання використовувався стандартний ОП.Для дослідження схеми до неї приєднано осцилограф, аналізатор спектру.
Схема підсилювача зображена на рисунку 3.1.
/>
Рисунок 3.1 – Схема підсилювача
В першу чергу необхідно дослідити форму АЧХ такогопідсилювача. На рисунку 3.2 зображені АЧХ та ФЧХ даного підсилювача для смугиДХ.
/>
Рисунок 3.2 – АЧХ та ФЧХ підсилювача для частотного ДХ
На рисунку 3.3 зображені АЧХ та ФЧХ даного підсилювачадля смуги КХ.
/>
Рисунок 3.3 – АЧХ та ФЧХ підсилювача для частотного КХ
Як видно на рисунку 3.2 — 3.3 завал на ВЧ є в 3 дБ, ана НЧ менше ніж 3 дБ для ДХ. Завал на ВЧ забезпечує конденсатор у колізворотнього зв’язку. Тому можна зробити висновок, що модель ОП, не завалювалаАЧХ на ВЧ. Далі на рисунку 3.4 зображені осцилограми вхідного та вихідногосигналу.
/>
Рисунок 3.4 – Осцилограми вхідного та вихідногосигналів
З даної осцилограми видно що вхідний і вихідний сигналвідповідають дійсності.
Отже моделювання підсилювача підтвердило теоретичнірозрахунку, за виключенням частотних спотворень у області високих частот.
3.3 Аналіз отриманих даних
Після виконання моделювання необхідно порівнятирезультати теоретичні, задані у ТЗ та отримані при моделюванні. Таблиця 3.1демонструє дане порівняння.
Таблиця 1.1 – Порівняння результатів ТЗ, розрахованихта змодельованихПараметри ТЗ Розраховані Отримані при моделюванні
ДХ Fн…Fв, кГц
КХ Fн…Fв, кГц
0,03–6,4
0,05-4,5
0,03-6,4
0,05-4,5
0,03 – 6,4
0,05-4,5
ДХ Mн,.дБ
КХ Mн,.дБ
3
3
3
3
2,5
3
ДХ Mв,.дБ
КХ Mв,.дБ
3
3
3
3
3
3
ДХ />
КХ />
66,20
66,20
66,26
66,26
66
66
Висновок
У ході виконання курсового проекту було розробленопідсилювач звукової станції.
У першому варіанті виконання було розробленопідсилювача на дискретних елементах, але врахувавши складність регулювання,ремонту, наявність великої кількості елементів, то у ролі підсилювача булообрано ОП PA04F. Дана мікросхема має 200 Вт вихідної потужності, низькийкоефіцієнт гармонік, більш просту схему ввімкнення, а тому покращує роботупристрою, полегшує ремонтопридатність, зменшує габарити. Тому використаннямікросхеми в якості підсилювача є доцільним.
Було проведено електричний розрахунок всіх елементівсхеми. За ТЗ необхідно було до підсилювача включити регулятор тембру, що буловиконано. Проведений розрахунок регулятора тембру з врахуванням необхідноїсмуги робочих частот та заданого коефіцієнта регулювання. Також до схемиприєднано регулятор гучності, що виконаний у вигляді потенціометра та джереложивлення, що складається з понижуючого трансформатора, діодних мостів тазгладжуючих конденсаторів.
Для підтвердження теоретичних розрахунків булопроведено моделювання за допомогою пакета Electronic Workbench. Данемоделювання показало, що і підсилювач розраховано вірно. Коефіцієнт гармонікпри моделюванні вийшов дещо більшим за очікуваний, але він не перевищивзначення коефіцієнта нелінійних спотворень, що заданий у технічному завданні.При моделюванні підсилювача було отримано коефіцієнт підсилення та частотніспотворення, що майже відповідають розрахованим. В цілому моделюванняпідтверджує теоретичні розрахунки, що є, без сумніву, позитивним результатом.