ПОЯСНИТЕЛЬНАЯЗАПИСКА
Тема:
«Графоаналитическийрасчет и исследование полупроводникового усилительного каскада»
Севастополь2007 г.
1. Выборпараметров усилительного каскада
Выборпараметров усилительного каскада осуществлён согласно номеру варианта изприложения А, а также приложений В и Г, где определён тип транзистора (Uкэ доп=20 В, Iк доп=50 mА)1. Тип транзистора МП-20А p-n-p 2. ЭДС источника питания Ек 20 В 3. Сопротивление нагрузки Rк 0,68 кОм 4. Сопротивление эмиттерного резистора Rэ 0,33 кОм 5. Амплитудное значение напряжения сигнала Uвхm 0,08 В 6. Частота сигнала f 400 Гц
/>
Рис. 1.Одиночный транзисторный каскад усиления
/>
Рис. 2.Схема транзистора
Дляусилительного каскада выбрана схема включения транзистора с общим эмиттером.Входной сигнал прикладывается к выводам эмиттера и базы, а источник питанияколлектора включён между выводами эмиттера и коллектора. Таким образом, эмиттерявляется общим электродом для входной и выходной цепей. Входным током являетсямалый по величине ток базы, выходным током – ток коллектора. В схеме с общимэмиттером можно получить коэффициент прямой передачи тока порядка несколькихдесятков.
2. Построениевходной и выходной статистических характеристик транзистора
На рисунке 3,выполненном на миллиметровой бумаге, построены входная и выходныехарактеристики транзистора МП-20А. Для схемы с общим эмиттером статическойвходной характеристикой является график зависимости тока базы Iб от напряжения Uбэ при постоянномзначении Uкэ:Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const. Выходные характеристикитранзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости токаколлектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токебазы. Iк=φ(Uкэ) при Iб=const. Крутизна выходныххарактеристик на начальном участке от Uкэ=0 до |Uкэ| = |Uбэ| =0,08 В велика. Научастке |Uкэ|> |Uбэ|крутизна характеристик уменьшается, и они идут почти параллельно оси абсцисс.Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, отвеличины тока базы.
Значениятоков базы рассчитывается, начиная с самой нижней кривой, соответствующей I0б=0. Значение ∆ Iб=0,1 мА приведено вправом верхнем углу графиков выходных статических характеристик приложения В. Следовательно:I0б I0б=0 мА Iб1= I0б +∆ Iб 0+0,1 Iб1=0,1 мА Iб2= Iб1 +∆ Iб 0,1+0,1 Iб2=0,2 мА Iб3= Iб2 +∆ Iб 0,2+0,1 Iб3=0,3 мА Iб4= Iб3. +∆ Iб 0,3+0,1 Iб4=0,4 мА Iб5= Iб4+∆ Iб 0,4+0,1 Iб5=0,5 мА
3. Построениенагрузочной прямой для режима постоянного тока в цепи коллектора
Нагрузочная прямая представляет собой траекторию движения рабочейточки транзистора при изменении уровня входного сигнала. В основе построениялежит решение уравнения динамического режима транзистора относительно токаколлектора. Сперва строим нагрузочную прямую для режима постоянного тока в цепиколлектора (прямая АВ на рис. 3.) При отсутствии входного сигнала, т.е.переменного напряжения Uвх заданной частоты, в коллекторной цепи будет протекатьтолько постоянный ток коллектора Iк, и установится баланс напряжений, определяемый закономКирхгофа:
Ек = URK+ Uкэ + URЭ = IKRK + UКЭ +IЭКЭ (1)
Отсюда напряжение, снимаемое с коллектора транзистора (выходноедля него):
Uкэ = Ек – URK-URЭ = EK – IkRk-IэRэ (2)
Для упрощения рассуждений пренебрежем известным соотношением IЭ=IK+IБ> IK, и, поскольку ток базы IБ «Iк, примем IK «IЭ. Тогда выражение (2)примет вид:
UКЭ= Ек – URK-URЭ= Ек – Iк'Rк – IKRэ = Eк – Iк (Rк+Rэ) (3)
Выражение (3) называется уравнением динамического режима работытранзистора, показывающее, что напряжение на выходе транзистора UКЭ изменяется при любыхизменениях тока коллектора IK.
Разрешив уравнение (3) относительно тока IK, получим:
/> (4)
Уравнение (4) позволяет построить нагрузочную прямуютранзистора по постоянному току.
Приравнивая нулю значения UКЭ(транзистор открыт),получим:
Iк=Ек/(Rк+Rэ)=20/(680+330)=0,0198А=19,8 мА – точка А на оси ординат.
Приравнивая нулю значения Iк (транзистор закрыт),получаем:
Ек/(Rк+Rэ)=Uкэ/(Rк+Rэ)=> Ек=Uкэ=20 В-точка В на оси абсцисс.
Соединив точки, получаем искомую нагрузочную прямую АВ длярежима постоянного тока в цепи коллектора (рисунок 3).
Примечание: эти точки – теоретические, поскольку транзистор в принципе не можетбыть открыт до уровня нулевого сопротивления перехода коллектор – эмиттер,которое мало, но RКЭ≠ 0, поэтому не может быть и UКЭ = IRRКЭ равным нулю. Это же можносказать и о закрытом состоянии транзистора, для которого ток коллектора оченьмал, но Iк≠0.
4. Построениединамической переходной характеристики для режима постоянного тока
Пользуясь графиками входной характеристики и нагрузочной прямойнайдем геометрическое решение уравнения IK=f(IБ) в динамическом режиме,представляющее собой переходную динамическую характеристику
Переходная динамическая характеристикапостроена в левом верхнемквадранте графическим методом. Для этого ординаты точек пересечения нагрузочнойпрямой со статическими выходными характеристиками проецируются во второйквадрант, где пересекаются с проекциями соответствующих им токов базы. Пополученным точкам строится динамическая переходная характеристики для режимапостоянного тока Iк =f(IБ)-
При IБ = 0 ток коллектора очень мал, обусловлен движением только «тепловых»неосновных носителей через переход коллектор-база и представляет собой токнасыщения неосновных носителей коллекторного перехода IK=IКS (транзистор находится награнице режима отсечки). Переходная характеристика имеет протяженный линейныйучасток и лишь при приближении к режиму насыщения транзистора становитсянелинейной. При дальнейшем увеличении тока базы IБ ток коллектораасимптотически стремится к своему наибольшему значению
/>=20/(680+330)=)=0,0198А=19,8мА
5. Выборположения начальной рабочей точки Р для режима постоянного тока в цепиколлектора
Положение начальной рабочей точки (точки покоя при UВХ=0)на всех характеристиках задаетсянапряжением смещенияUБЭ и определяет способность транзистора влиять наформу сигнала в процессе усиления. Наименьшее искажение формы сигналадостигается в транзисторном каскаде, работающем в классе А.
Начальная рабочая точка Рдля такого усилительногокаскада должна располагаться на участке входной характеристики, наиболееблизком к линейному (в пределах двойной амплитуды входного сигнала),соответствующем наиболее линейному участку переходной характеристики. Тольков этом случае между изменениями входного сигнала ΔUБЭ и выходного тока ΔIK(а, следовательно, ивыходного напряжения ΔUКЭ) будет иметь место линейная зависимость.
После выбора положения начальной рабочей точки Рнавходной и переходной динамической характеристиках она переносится нанагрузочную прямую. Именно в этой точке снимаем с графиков числовыезначения параметров, характеризующих начальную рабочую точку (точку покоя приотсутствии входного сигнала): Uбэ=0,15 В; Iб=0,2 мА; Uкэ=10 В; Iк=10 мА.
6. Построение нагрузочной прямой для режима переменного тока
В режиме переменного тока на вход усилительного каскада подаетсявходной синусоидальный сигнал заданной амплитуды (UВХ≠0) и частоты f.
Этому режиму работы соответствует другая нагрузочная прямая, припостроении которой принимается во внимание шунтирование резистора температурнойстабилизации Rэ=0,33кОм малым емкостным сопротивлением конденсатора Сэ начастоте входного сигнала. Для простоты будем считать, что на заданной частотеf=400Гцемкостное сопротивление конденсатора XC=0 и он полностьюзакорачивает резистор Rэ. Тогда эмиттер транзистора на частоте входного сигналаоказываетсязамкнутым на землю и баланс напряжений коллекторной цепи изменится по сравнениюс выражением (3).
Поскольку эти изменения проявляются только на переменнойсоставляющей сигнала, перепишем уравнение (1) с учетом наличия этойсоставляющей:
/>
Отсюда
/> (5)
Сгруппируем слагаемые
/> (6)
И введём новые обозначения:
Ек’=Ек – Iк0·Rэ Iк= Iк0 + iк≈
Окончательно получим:
/> (7)
Уравнению (7) соответствует диаграмма, приведенная на рисунке 4.
/>
Рисунок 4 – К построению нагрузочной прямой для переменнойсоставляющей /> при наличии элементов Rэ и Сэ
Разрешив уравнение (7) относительно тока Iк, получим:
/> (8)
Мы видим, что выражение (8) по форме совпадает с выражением (4),которое лежало в основе построения нагрузочной прямой для постоянного тока вцепи коллектора.
Поэтому, рассуждая аналогично, найдем значение максимального токаколлектора IK = Е΄к /RK(при Uкэ = 0) для переменнойсоставляющей.
Е΄к = Ек – Iк0·Rэ= 20 – 0,01·330=> Е΄к =16,7 (В)
Iк= (Ек – Iк0·Rэ)/Rк
Iк= 16,7/680 ≈0,02456 =24,56·10ˉ³ А =>Iк =24,56 (мА)
Продолжаем построения на миллиметровой бумаге (рис. 3).Отложивна оси IKполученное новое значение максимального токаколлектора (точка С), через эту точку и выбранную ранее начальнуюрабочую точку (точку покоя Р), проводится нагрузочная прямая длярежима переменного тока коллектора. Все дальнейшие рассуждения и построения,характеризующие работу усилительного каскада, выполняем с использованием этойнагрузочной прямой.
7. Построение динамической переходной характеристики для режимапеременного тока
Динамическая переходная характеристика для режима переменного токастроится по точкам пересечения только что построенной нагрузочной прямой дляпеременного тока с выходными статическими характеристиками. Аналогично построениюдинамической переходной характеристики для режима постоянного тока в левомверхнем углу рисунка 3 находим точки пересечения линий, идущих от выходныххарактеристик и линий, проходящих через соответствующие им токи базы. Набольшей части линейного участка обе переходные характеристики совпадают илидостаточно близки по расположению, однако, асимптоты (линии, к которымприближаются характеристики в верхней части), различаются.
8. Работа каскада в режиме усиления А
При отсутствии входного сигнала (Uвх=0) состояниетранзистора определяется напряжением смещения │Uбэ│ = │UБЭ0│=│UR2 – URЭ│ =150 мВ = const, обеспечивающем работукаскада в классе А. Для работы каскада в режиме А на базу подаётся такоенапряжение смещения, чтобы рабочая точка Р, определяющая исходное состояниесхемы при отсутствии входного сигнала, располагалась примерно на серединенаиболее прямолинейного участка входной характеристики. В этом режименапряжение смещения Uбэ по абсолютной величине всегда больше амплитуды входного сигналаUвхm (150 мВ>80 мВ), а токпокоя Iк0 всегда больше амплитуды переменнойсоставляющей выходного тока (Iк0>Iкm). В режиме А при подаче навход каскада синусоидального напряжения в выходной цепи будет протекать ток,изменяющийся тоже по синусоиде. Это обуславливает минимальные нелинейные искажениясигнала. Но, режим А самый неэкономичный, так как полезной является лишьмощность, выделяемая в выходной цепи за счёт переменной составляющей выходноготока, а потребляемая мощность определяется значительно большей величинойпостоянной составляющей. Поэтому КПД усилительного каскада в режиме А – 20–30%.Обычно в этом режиме работают каскады предварительного усиления или маломощныевыходные каскады.
9. Определение напряжений и токов транзисторного усилительногокаскада графоаналитическим методом
На графиках всех характеристик, начиная с входной, приводятсявременные диаграммы соответствующих сигналов (см. рисунок 3). Ось временипроведенаперпендикулярно к оси отображаемого параметра на линии, проходящей черезначальную рабочую точку. Ось изменений параметрапроведена параллельнооси параметра основного графика, если ось основного графика положительная, тонаправления осей совпадают, если отрицательная, то противоположно.
/> - заданный параметрUвх max=0,08 В= 80 мВ.
Диаграмма построена в левом нижнем квадранте. Строится графикодного периода входного синусоидального сигнала. Масштаб диаграммы по оси UВХ совпадает с масштабомоси Uбэосновного графика. Положительная полуволна откладывается в соответствии сположительным направлением оси UВХ (на рисунке 3 оно противоположно отрицательномунаправлению оси Uбэ основного графика). Масштаб графика по оси времени произволен исохранится при построении остальных временных диаграмм.
На этой временной диаграмме график изменения сигнала навходе усилительного каскада (перед разделительным конденсатором СP1)/> представлен ровно заштрихованнойсинусоидой.
При воздействии входного сигнала график изменения напряжения UБЭ представляет собойалгебраическую сумму постоянной составляющей UБЭ0 и переменной составляющейUвх. Во время положительногополупериода Uвх результирующейявляется разность между постоянной составляющей – UБЭ0 и переменнойсоставляющей + uвх (в нашем случае, когда ось UБЭ отрицательна). Во времяотрицательного полупериода uвх эти две составляющие складываются.
График изменения напряжения – UБЭ(после разделительногоконденсатора СР1) при воздействии входного сигнала + UВХ представлен фигурой, заштрихованнойпо диагонали.
Все диаграммы, построенные далее являются производными от толькочто построенной диаграммы uвх =f(t).Они строятся в осях времени и соответствующего параметра, осьвремени проходит через начальную рабочую точку (точку покоя Р). Точкимаксимального отклонения входного напряжения uвх (в обе стороны от осивремени) проецируются на входную статическую характеристику и определяютсоответствующие им максимальные отклонения тока базы IБ относительно IБ0, (состояния при uвх =0).
На оси времени tоткладывается один период Т = 1/fизменения сигнала iБ. Масштаб оси диаграммы iБ совпадает с масштабомоси IБ основного графика.
Анализ данной диаграммы показывает, что при отсутствии входногосигнала (uвх=0) базовый ток постоянен во времени и равен IБ = IБ0 = 0,2 мА = const.Под действием входногосигнала базовый ток IБизменяется во времени. Изменение переменной составляющей токабазы под действием входного сигнала представлено на временной диаграмме IБ = f(t)ровно заштрихованнойфигурой.Ввиду некоторой нелинейности выбранного участка входной характеристикиамплитудные значения изменения переменной составляющей тока базы IБm1≠IБm2 Суммарное изменение токаIБ = IБ0 ± iБчерез базовый электродпод воздействием входного сигнала uвх представлено фигурой, заштрихованной подиагонали.
Рассуждая аналогично, строим временные диаграммы iK = f(t), uВЫХ=f(t). Изменение переменнойсоставляющей – ровно заштрихованные фигуры, суммарное изменений токаколлектора и выходного сигнала – фигуры, заштрихованные по диагонали.
На графике uВЫХ=f(t) видно, что каскадусиления на транзисторе в общим эмиттером изменяет (инвертирует) фазу входногосигнала на противоположную т.е. напряжение сигнала на входе и на выходе каскадасдвинуты между собой по фазе на 180 градусов.
Снимаем с графиков амплитудные значения переменных составляющихтоков и напряжений сигналов. При неравенстве амплитудных значений переменныхсоставляющих в положительном и отрицательном полупериодах выбираем большую изних.
UВХm
IБm
IKm
UВЫХm 0,08 В 0,18 мА 7 мА 4,3 В
10. Расчет значения сопротивлений резисторов R1и R2 входного делителянапряжения
РезисторыR1, R2 представляют собойделитель напряжения. Мы имеем схему с фиксированным напряжением смещения набазе. Резисторы R1 и R2 подключены параллельно источнику питания. Фиксированноенапряжение снимается с резистора R2. Пренебрегая малым внутренним сопротивлением источникапитания можно считать, что R1 и R2 включены параллельно друг другу. При параллельном включенииих общее сопротивление будет меньше меньшего из них и определяется именно этимсопротивлением. В нашем случае это резистор R2.
Для того чтобы напряжение было «фиксированным» и не зависело отвнешних факторов (изменения температуры, изменения свойств транзистора из-застарения), влияющих на электрическую цепь, включенную параллельно резистору R2,(куда входит иэмиттерно-базовый переход транзистора), R этой цепи должно бытьзначительно больше сопротивления R2.
Значит ток в цепи R2 (а значит и в цепи всего делителя напряжения R1, R2) будет больше, чем в цепитока базы транзистора.
Iделителя обычно Iд=(5…7) IБо. (9)
Iд=6·IБо =6·0,0002=0,0012 А =1,2 мА
Тогда, принимая во внимание, что по закону Кирхгофа
UR2=UБЭ0+URЭ0 = IДR2, (10)
UБЭ0 – снимается с графика UБЭ0 =0,15 В
URЭ0=IK0RЭ =0,01·330 = 3,3 В
находим
/> (11)
R2=(0,15+3,3) / 0,0012 = 3,45/0,0012 = 2875 Ом
R2=2,875 кОм.
Учитывая, что через резистор R1протекают и ток делителя Iд и ток базы IБ0, запишем для неговыражение:
/>
Но />
Тогда
/> (12)
R1=(16,7 -3,45)/(0,0012+0,0002) = 13,25/0,0014 ≈ 9464,3 Ом
R1 = 9,464 кОм
11. Расчет значений емкостей разделительных конденсаторов
Разделительный конденсатор Cp1 отделяет переменнуюсоставляющую от постоянной (Ср2 аналогичен для следующего каскадаусиления) и является верхним плечом делителя входного переменногонапряжения UВХ. Нижним плечом этого делителя является входноесопротивление каскада RВХ, которое для переменной составляющей входногосигнала определяется параллельно включенными резисторами R2 и R1(верхняя точка R1замыкается на «землю» черезмалое сопротивление источника питания Eк) и сопротивлением /> транзистора. Сопротивлениерезистора RЭ во внимание не принимают, т. к. на частоте сигнала оношунтировано малым емкостным сопротивлением конденсатора Сэ.
Обобщенное уравнение делителя напряжения:
/> (1З)
Мы видим, что именно нижнее плечо (по отношению к верхнему)определяет результат деления. Нужно стремиться уменьшить сопротивление верхнегоплеча (из (13) видно, что при RВЕРХ = 0 выходное напряжение делителя наибольшее (Uвьгх = UВХ). Следовательно,емкостное сопротивление разделительного конденсатора CР1 должно быть меньшесопротивления нижнего плеча.
Обычно величины емкостей разделительных конденсаторов Cр1 и Cр2 на входе и выходеусилительного каскада принимаются равными CР1=CР2= СР. Ихзначения определяются из соотношения:
XCp≤0, l R2, (14)
XCp≤0, l·2875; XCp≤ 287,5 Ом
Где /> — емкостноесопротивление разделительного конденсатора, Ом (при f – Гц и Ср – Ф).
1/(2πf·Cр) = 287,5
1/(2·3,141593·400·Cр)=287,5; 1/(2513,2744·Cр) = 287,5; 2513,2744·Cр = 0,003478; Ср=0,00000138Ф=1,38 мкФ.
12. Расчетзначения емкости конденсатора СЭ
Шунтирующий конденсатор Сэ предназначен для устранения(уменьшения) отрицательной обратной связи, возникающей на резисторе R3 при наличии входногопеременного напряжения UВХ – Эта обратная связь уменьшает коэффициентусиления каскада на частоте входного сигналаи может быть нежелательна.Именно, чтобы отвести от резистора Rэ переменную составляющую тока коллектора (считаем iЭ ≈ iK) и ставится этотконденсатор.
Очевидно, что чем меньше емкостное сопротивление этогоконденсатора, тем лучше по нему отводится от Rэ переменная составляющаятока коллектора. Исходя из этих соображений, обычно принимают
XCЭ≤ 0,1RЭ, (15)
Xcэ≤ 0,1·330
Xcэ=33 Ом
где /> — емкостноесопротивление шунтирующего конденсатора, Ом (при f – Гц и Сэ – Ф).
33=1/(2·3,141593·400·Сэ);33=1/(2513,2744·Сэ); 2513,2744·Сэ=1/33; Сэ=0,0303/2513,2744; Сэ=0,0000121Ф = 12,1 мкФ.
13. Выбор номинальных значений сопротивлений, рассчитанныхрезисторов и емкостей конденсаторов
Полученные в результате расчетов значения R и C нормализуем всоответствии с таблицей номиналов, полагая применение в схеме элементов II группы с точностью ± 10%.
R1 = 9,464 кОм 9464 Ом R1=10·10^3 Ом R1=10 кОм R2 = 2,875 кОм 2875 Ом R2=2·10^3 Ом R2=2 кОм Ср=1,38мкФ Ср=0,00000138 Ф Ср=1·10^-6 Ф Ср=1 мкФ Сэ=12,1 мкФ Сэ=0,0000121 Ф Сэ=12·10^-6 Ф Сэ=12 мкФ
R, C= a 10±nКласс точности
Коэффициент а II ± 10% 10 - 12 - 15 - 18 - 22 - 27 - 33 - 39 - 47 - 56 - 68 - 82 -
14. Расчет коэффициента полезного действия каскада
Коэффициент полезного действия каскада определяется из
/> (16)
где /> — полезнаямощность, передаваемая усилительным каскадом в нагрузку (представляет собойплощадь треугольника, см. рисунок 3 и 5);
Ркm=(1/2)·(4,3·0,007)=0,01505 Вт = 15,05 mВт.
/> — затраченная (бесполезно) мощность врежиме Uвх=0 (представляетсобой площадь прямоугольника под точкой А).
Рк0=10·0,01=0,1 Вт
Соблюдается условие РK0PKДОП = 150mВт=0,15 Вт – допустимаямощность коллекторного перехода, взятая из приложения Г.
/>– мощность, потребляемаяусилительным каскадом от источника питания;
Рк=0,01505 Вт + 0,1 Вт=0,11505 Вт.
/>
Рисунок 5 – Графическое пояснение к определению к.п.д.усилительного каскада
η=(0,01505/ 0,11505)·100%=13,1%.
15. Расчет коэффициентов усиления каскада
Коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности вычисляютсякак отношения амплитуд выходных значений к входным:
/>; />; /> (17)
Величины UВХm; UВЫХm; IKm; IБm. получены при анализеработы усилительного каскада графоаналитическим методом (рисунок 3).
Ku = 4.3/0.08 =53.75 Ki = 0.007/0.00018 = 38.89 Kp =53.75·38.89 = 2090.34.
Заключение
В данной работе был произведён графоаналитический расчётодиночного транзисторного каскада усиления. Усилитель построен на основе схемыподключения транзистора с общим эмиттером. Эта схема даёт наибольшее усилениепо мощности. Коэффициент прямой передачи или усиление по току соответствуетнескольким десяткам. Полученное нами значениеKi = 38.89 соответствуетзаданным требованиям. К достоинствам схемы, помимо большого коэффициентаусиления по току, относится возможность питания схемы от одного источника (таккак на базу и на коллектор подаётся напряжение одного знака). Резисторы R1 и R2 составляют делительнапряжения. Сопротивление делителя должно быть большим (несколько килоОм, намиполучено около 4 кОм), иначе входное сопротивление очень мало. Изменение тока вцепях эмиттера и коллектора транзистора незначительно влияют на величинунапряжения смещения, следовательно стабильная работа. Для расчёта былииспользованы графики статических характеристик транзистора: входная и выходная.Построены динамические характеристики. Нелинейные искажения представляют собойизменение формы кривой усиливаемых колебаний, вызванное нелинейными свойствами цепи,через которую эти колебания проходят. Основная причина – нелинейность входнойхарактеристики транзистора. Когда на вход усилителя подан сигнал синусоидальнойформы, то попадая на нелинейный участок входной характеристики транзистора,этот сигнал вызывает изменение входного тока, форма которого отличается отсинусоидальной и, следовательно, выходной ток и выходное напряжение изменяютсвою форму по сравнению с входным сигналом. Разделительный конденсатор С1служит для предотвращения протекания постоянной составляющей тока базы черезисточник входного сигнала. С помощью С2 на выход каскада подаётся переменнаясоставляющая Uкэ,изменяющаяся по закону входного сигнала, но значительно превышающая его повеличине. Rэприменяется для термостабилизации. Он шунтирован Сэ достаточно большой ёмкости,порядка десятков микроФарад (нами получено 12,1mлФ). Это делается дляотвода переменной составляющей тока эмиттера от резистора Rэ.
Коэффициентполезного действия каскадаη=13,1%
Коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности: Ku = 4.3/0.08 =53.75, Ki = 0.007/0.00018 = 38.89,Kp =53.75·38.89 = 2090.34.