Содержание
Введение
1.Основные свойства
1.1Основные свойства сегнетокерамики ВК
1.2Частотные характеристики
1.3Конструкции варикондов
2.Изготовление керамических конденсаторов
2.1Изготовление конденсаторных элементов
2.2Электроды для конденсаторов
3.Основные применения
3.1Возможные применения импульсных схем, управляемых с помощью варикондов
3.2Возможности построения кодирующих устройств — шифраторов
Вывод
Литература
Введение
Развитие ряда областей современной техники в значительнойстепени определяется успехами электроники, основанными на научных достиженияхфизики твердого тела. Одно из актуальных направлений электроники —миниатюризация аппаратуры. Наряду с уменьшением габаритов аппаратуры ставитсязадача достижения высокой надежности ее действия при различных условияхэксплуатации.
В последние годы наряду с полупроводниковыми иметаллическими активными элементами применяются диэлектрические активныеэлементы — вариконды. Варикондами называют сегнетокерамические конденсаторы срезко выраженными нелинейными зависимостями поляризации и диэлектрическойпроницаемости от напряженности электрического поля. Вариконды относятся ксегнетоэлектрикам и обладают свойством спонтанной, т. е. самопроизвольнойэлектрической поляризации, существующей независимо от внешнего поля в некотороминтервале температур. Сегнетоэлектрики получили на звание от сегнетовой соли, укоторой в интервале температур от —18 до +24°С были впервые обнаруженыаномальные диэлектрические свойства, получившие название сегнетоэлектрических.
Интенсивное использование сегнетоэлектриков в техникеначалось после открытия Б.М.Вулом сегнетоэлектрических свойств у керамическоготитаната бария BaTiO3. Вскоре после этого под руководством Г.А. Смоленскогобыло открыто большое число новых керамических сегнетоэлектриков как простого,так и сложного состава.
В настоящее время известно несколько сотенсегнетоэлектриков, многие из которых могут изготовляться в видеполикристаллических материалов по керамической технологии. Наиболее изученнымявляется титанат бария, поэтому для описания свойств новых сегнетокерамическихматериалов проводят их сравнение со свойствами BaTiO3.
В научной литературе многих зарубежных странсегнетоэлектрики называются также и ферроэлектриками. Это обусловленоформальным сходством явлений сегнетоэлектричества (ферроэлектричества) иферромагнетизма.
1. Основные свойства
1.1 Основные свойства сегнетокерамики ВК
В настоящее время для изготовления варикондовиспользуются семь видов нелинейной сегнетокерамики, отличающихся друг от другавеличиной диэлектрической проницаемости и поляризации, степенью нелинейности ε(E~),температурой Кюри и другими параметрами.
Эти материалы получили обозначение соответственно ВК-1,ВК-2,..., ВК-7. По составу и технологическим особенностям они не одинаковы .
/>
Первые шесть материалов ВК-1,..., ВК-6 в нормальныхусловиях являются сегнетоэлектриками, и их нелинейные свойства оцениваются похарактеру зависимости поляризации и диэлектрической проницаемости от напряженностипеременного электрического поля. Материал ВК-7 является параэлектриком ирассматривается отдельно. Для всех материалов при увеличении поля поляризациявозрастает и достигает насыщения (рис.1.1). Кривая P(E~) круто поднимаетсявверх для материалов ВК-3 и ВК-5, наиболее полого на начальном участке — дляматериала ВК-6. Кривые для остальных материалов занимают промежуточноеположение. Резкое возрастание поляризации материала ВК-6 начинается при болеевысоких полях, чем для материалов ВК-1,..., ВК-5.
Зависимости диэлектрической проницаемости отнапряженности поля для шести видов нелинейной керамики и титаната бария приведенына рис.1.2. При увеличении поля, в соответствии с законом изменения поляризацииР(E~), диэлектрическая проницаемость растет, достигает максимума и уменьшается.Наиболее резкое и большое изменение ε(E~) имеет материал ВК-5, наиболееслабое — титанат бария.
/>
Степень нелинейности оценивается по изменению диэлектрическойпроницаемости материала (или емкости вариконда) под воздействием постоянного ипеременного напряжений, приложенных к образцам. г/ /} г
7 3 г * 6 7 1 2 4 5Е, к8/сп Поляризация сегнетоэлектриков (полная, остаточная, спонтанная,индуцированная), коэрцитивное поле Ec, поле насыщения, коэффициентыпрямоугольности, гистерезисные потери определяются из осциллограмм петельгистерезиса, снятых при разных значениях напряженности поля. В некоторыхслучаях такими осциллограммами полнее всего можно охарактеризовать нелинейныесвойства варикондов и судить о процессах переполяризации в веществе при том илиином значении электрического поля.
По значению температуры Кюри нелинейные сегнетокерамическиематериалы ВК-1÷ВК-7 можно разделить на пять групп.
К первой группе относятся три материала ВК-1, ВК-2 и ВК-5с температурой Кюри TС =75±10°С; ко второй группе —материал ВК-3, для него TС=25±10°С; к третьей группе — материал ВК-4, TС =105± 10°С, к четвертой группе —материал ВК-6, TС =200±20°С и, наконец, к пятой группе — материал ВК-7, TС
Рассмотрим основные свойства каждого из этих семиматериалов.
Материал ВК-1.Он использовался только для создания первыхтипов варикондов, уступает по нелинейным свойствам новому материалу ВК-2 и неимеет перед ним никаких преимуществ по электрическим параметрам. Отличаясьпростой технологией изготовления, ВК-1 может использоваться лишь для варикондовс невысокими нелинейными свойствами. Коэффициент нелинейности K~≈4.
Материал ВК-2.Начальные значения диэлектрическойпроницаемости εнач., измеренные в слабом поле при Е = 5 в/мм, дляматериалов ВК-1 и ВК-2 примерно одинаковы и составляют величину порядка 2200—3000.
Максимальные значения ε этих наиболеераспространенных материалов (рис.1.3) достигаются при сравнительно низкойнапряженности электрического поля: для ВК-1 величина Eмакс. составляет 150—200в/мм, для ВК-2 — 120—150 в/мм.
Точка Кюри материалов ВК-2 и ВК-1 соответствует одной итой же температуре — примерно 75°С. При воздействии слабого электрического поля(E~≈2÷5 в/мм) с частотой 50—106 гц кривые температурнойзависимости ε этих материалов различаются мало, тогда как кривыезависимости tg б от температуры для материала ВК-2 лежат значительно ниже, чемдля материала ВК-1 (рис.1.4). При повышенных напряженностях поля значения tgбматериалов ВК-1, ВК-2 и титаната бария почти одинаковы, их максимальныезначения равны 0,3—0,4.
/>
Зависимость диэлектрической проницаемости материала ВК-2от напряженности электрического поля, как и материала ВК-1, резко выражена вшироком интервале температур — от точки Кюри до весьма низких температур(измерения производились до -195°С).
Коэффициент нелинейности K~ материала ВК-2 приотрицательных температурах много выше, чем при положительных. Это происходитпотому, что при понижении температуры значение εнач этого материала вслучае воздействия слабой напряженности поля снижается значительно более резко,чем при воздействии повышенной напряженности поля, и разница между начальными имаксимальными значениями ε в области отрицательных температур больше, чемв области положительных температур. При снижении температуры напряженностьполя, при которой значение ε достигает максимума, увеличивается (рис.1.5).
/>
Во всем исследованном интервале температур значениякоэффициента нелинейности K~ материала ВК-2 оказались более высокими, чемматериала ВК-1.
Вариконды изготовляются в виде дисков толщиной 0,4—0,8мм. В ряде случаев вариконды применяются собранными в блоки. При рабочемнапряжении 100 в напряженность поля у таких варикондов оказывается ужедостаточной, чтобы вызвать возрастание их емкости до максимума. При увеличениитолщины дисков рабочее напряжение варикондов может соответственноувеличиваться.
В особых случаях вариконды из этого материалаизготовляются па более высокие рабочие напряжения (до 300—500 в и выше).
Вариконды из материала ВК-2 являются наиболеераспространенными; они выпускаются в серийном производстве.
Материал ВК-3. Его температура Кюри TС = 25±10°С.Отличается он высокими значениями диэлектрической проницаемости и коэффициентаK‗ в области слабых переменных полей и при комнатной температуре.Вариконды из материала ВК-3 специально предназначаются для работы притемпературе, близкой к комнатной, или требуют термостатирования. В этом случаеиспользуется главным образом резко выраженная реверсивная зависимостьдиэлектрической проницаемости от постоянного напряжения при воздействии слабыхсигналов переменного напряжения.
Изделия из этого.материала характеризуются высокойудельной емкостью в слабых полях. Вместе с тем, изготовление элементов с низкимноминальным значением емкости (менее 100 пф) затруднено.
Величина диэлектрической проницаемости в слабом поле прикомнатной температуре составляет 10000 — 20000, a tgб ≤0,05 при комнатной температуре.
Нелинейные характеристики материала ВК-3 измеряются прикомнатной температуре. При увеличении напряженности переменного поля е материаларезко возрастает и уже при 50—100 в/мм достигает максимального значения εмакс= 20000—30000, после чего она снижается (рис.1.6). Для отдельных специальныхобразцов вмакс может быть значительно больше и составлять 60 000—80 000,коэффициент нелинейности K~ для них невелик и составляет 2—6, это связано стем, что начальные значения ε уже достаточно высоки.
/>
Нелинейность сегнетокерамики ВК-3 оценивается главным образомпо реверсивной характеристике диэлектрической проницаемости, снятой в слабомпеременном поле порядка 2—5 в/мм. Для εнач напряженность постоянногоэлектрического поля равна нулю, а для εпред 500 в/мм. Такая напряженность.постоянного поля является рабочей. Крутизна реверсивной характеристики ε(Е‗)керамики ВК-3 возрастает при увеличении напря женности электрического поля иснижается при увеличении частоты.
При комнатной температуре и слабых полях коэффициентуправления ε при частоте 106 гц может достигать K‗=5÷6; этауправляемость сохраняется до сантиметрового диапазона волн.
Из материала ВК-3 изготовляется несколько видовварикондов, конструкция которых аналогична конструкции варикондов из материала ВК-2,т. е. изделия представляют собой диски (отдельные или собранные в блок)диаметром 1—25 мм и толщиной 0,4—0,7 мм.
Благодаря такой толщине диска емкость вариконда достигаетмаксимальной величины уже при напряжении U~ = 20÷30 в.
Коэффициент реверсивной нелинейности варикондов изматериала ВК-3 в слабом поле K‗≥4, а при напряжении 20—30 в K‗=8÷10.
Заслуживает особого внимания возможность получения блоковиз материала ВК-3 с высокой начальной емкостью. Эти блоки имеют высоту около15—18 мм. Диаметр 25 мм, а начальные значения емкости вариконда ВКЗ-Б околоодной микрофарады.
При увеличении переменного напряжения до 30—40 в емкостьблоков ВКЗ-Б возрастает примерно еще в два раза, затем с дальнейшим увеличениемнапряжения снижается.
Приведенные здесь данные относительно характеристик варикондовВК-3 являются предварительными.
/>
Материал ВК-4. Температура Кюри TС = ±10°. Нелинейностьэтого материала высокая, коэффициенты K~ и N~ составляют соответственно 10—16 и0,05—0,08, т. е. они выше, чем у ВК-1, и несколько ниже, чем у ВК-2. В то жевремя этот материал обнаруживает значительно более стабильные свойства винтервале температур 20—85°, чем материалы, рассмотренные выше. Его εнач, εмакси K~ изменяются в зависимости от температуры мало. При снижении температурыкоэффициент нелинейности увеличивается и уже при -40°С K~ ≈40÷50(рис.1.7).
Тангенс угла потерь материала ВК-4 в слабом поле около0,01—0,03; при повышенных переменных полях (100—160 в/мм) он высокий исоставляет 0,3—0,4. Удельное объемное сопротивление образцов из этого материалапри температуре 100° С не ниже 1010 ом·см.
/>
По нелинейным свойствам керамика ВК-4 лишь немногоуступает керамике ВК-2. Величины εнач и εмакс у этого материаламеньше, чем у ВК-2. Как видно из рис.1.8, крутизна возрастающего участка кривойε(Е~)для ВК-4 несколько меньше, чем для ВК-2; в соответствии с этим инапряженность поля εмакс для ВК-4 больше, чем для ВК-2.
Так же как из материала ВК-2, из материала ВК-4изготовляются вариконды в серийном производстве.
Материал ВК-5.Он имеет самые высокие нелинейные свойстваи самые высокие значения диэлектрической проницаемости εмакс из всехизвестных в настоящее время керамических еегнетоэлектриков. На рис.1.9приведены зависимости диэлектрической проницаемости BaTiO3, ВК-1, ВК-2 и ВК-5от напряженности переменного поля. Его коэффициент нелинейности K~ = 40÷50,εмакс =80000÷100000. Максимальное значение диэлектрическойпроницаемости материала ВК-5 достигается при напряженности поля Eмакс =80÷100в/мм.
/>
По степени нелинейности могут быть сопоставленыхарактеристики керамики ВК-5 и известного сегнето-электрика ТГС.
Диэлектрическая проницаемость ТГС достигает максимума длянизких частот при полях примерно 30 в/мм раньше, чем диэлектрическаяпроницаемость ВК-5.
Однако высокая нелинейность варикондов из материала ВК-5сохраняется в более широком спектре частот, чем у ТГС.
Высокая степень нелинейности характеристик материала ВК-5сохраняется в широком интервале температур, от точки Кюри до весьма низкихзначений.
При снижении температуры от комнатной до —(140÷150)°Скоэффициент нелинейности значительно увеличивается от 40—50 до 320—360.
Величина Eмакс несколько увеличивается при снижениитемпературы и уменьшается при повышении темпе ратуры выше 20°С. Для титанатабария, материалов ВК-2 и ВК-5 определялся коэффициент прямоугольности Kп петлигистерезиса. Установлена определенная связь между коэффициентами нелинейности ипрямоугольности: чем выше K~ тем выше Kп Однако даже для материала ВК-5 коэффициентпрямоугольности при комнатной температуре не превышает 60—65% и возрастает до85% при весьма низких температурах.
Из материала ВК-5 изготовляются объемные образцыограниченных размеров на номинальные значения емкости от 10 до 10000 пф.
Материал ВК-6. Он отличается от ранее рассмотренныхматериалов наиболее высокими значениями температуры Кюри ( TС = 200±20°С),низким значением начальной диэлектрической проницаемости (εнач = 400—500).Материал обладает высокими нелинейными и изоляционными свойствами. Притемпературе 100° С величина рv≥1012 ом•см, т. е. такого же порядка, что иу технических образцов титаната бария. Специфической особенностью этогоматериала является высокая прямоугольность петли диэлектрического гистерезиса.Это открывает новые возможности использования варикондов в качествезапоминающих и логических элементов электронно-вычислительных машин. У материалаВК-6 K~= 20÷50 при Eмакс = 500÷700 в/мм, εмакс =10000÷22000,коэффициент прямоугольности Kп = 0,85÷0,94, насыщение поляризациидостигается при Енас=1,5÷2 кв/мм; величина полной поляризации,измеренной на участке насыщения при 3—5 Ес, равна 13—14 мкк/см2. При увеличениинапряженности поля поляризация материала ВК-6 сначала возрастает медленно,затем, начиная с некоторого значения поля, равного 300—400 в/мм, очень быстро идалее достигает участка насыщения. Чем ниже температура, тем отчетливеепроявляется участок слабого изменения Р.
При снижении температуры от +100 до —100° С форма петли гистерезиса,снятая в сильном поле, меняется мало, немного снижаются полная и остаточнаяполяризация, монотонно возрастает коэрцитивное поле, коэффициентыпрямоугольности и нелинейности сохраняют высокие значения во всем исследуемоминтервале температур.
Высокие значения напряженности поля насыщения, а такжеЕмакс и Ес затрудняют использование объемных образцов из этого материала. Дляснижения величины управляющих и переполяризующих напряжений вари-конды изматериала ВК-6 изготовляются в виде тонких «ленок площадью от 1 до 100 мм2и толщиной от 200 До 5—10 мкм. При изменении толщины от 1000 мкм для массовыхобразцов до 5—10 мкм для пленок практически остаются постоянными такиепараметры, как спонтанная поляризация, εнач, εTс, εмакс,коэффициент нелинейности и прямоугольности, коэрцитивное поле, поле насыщения идр.; при изменении толщины не происходит смещения температуры Кюри, неизменяется форма петли гистерезиса.
Применение пленочных варикондов вместо объемных образцовпозволяет значительно снизить управляющие и переключающие напряжения.
Для лучших пленочных образцов ВК-6 толщиной 5—7 мкм трипеременном напряжении Uмакс=8 в и управляющем напряжении U‗=15 вкоэффициент управляемости K‗=15.
Как уже указывалось, при изучении электрических свойствнелинейной керамики ВК-2, ВК-5 и титаната бария была установлена корреляциямежду коэффициентами нелинейности и прямоугольности-. чем выше K~, тем выше KпПри температуре —150° С коэффициент прямоугольности материала ВК-5 Kп ≈0,85.Форма петли гистерезиса керамики ВК-5 была близка к прямоугольной. Эти данныебыли использованы при создании материала ВК-6.
Измерение переключающих характеристик ВК-6 проводилось пометодике, изложенной в работе, и на установке, обеспечивающей получениеимпульсов длительностью до 10 мксек с фронтом нарастания импульса 0,1 мксек ивыходным сопротивлением генератора rвых=10 ом. При воздействии электрическогополя E=(4÷5) Ес обеспечивается переключение пленок ВК-6 разных толщнн заочень короткое время 0,3—0,6 мксек, что сопоставимо со временем переключениямонокристаллов ВаТiOз.
Вариконды из материала ВК-6 обеспечивают устойчивуюсохранность записанной информации во времени. Самопроизвольный распадостаточной поляризации в образцах происходит в первые 2—3 мин после снятияполяризующего напряжения. При этом остаточная поляризация снижается на 10—15%.Периодические измерения основных параметров образцов при хранении их в течениегода не показали заметных необратимых изменений в материале.
Материал ВК-7. В нем используется особое состояниенелинейных сегнетокерамических материалов; его температура Кюри ниже комнатной,и в нормальных условиях он находится в параэлектрическом состоянии. Основнойхарактеристикой этого материала является реверсивная зависимостьдиэлектрической проницаемости от напряженности постоянного смещающего поля,измеренная в слабом переменном поле. Реверсивная зависимость ε(E‗) ВК-7проявляется в широком спектре частот и мало изменяется в интервале 1—10000 Мгц.(При более высоких частотах измерения не проводились). Это обусловлено тем, чтов параэлектрической области не проявляется заметная дисперсия ε вплоть доинфракрасного диапазона волн. Начальное значение диэлектрической проницаемости εнач= 2000÷4000; при воздействии постоянного поля E‗=3000 в/см εначснижается в 2—3 раза.
Диэлектрические потери вещества в параэлектрическомсостоянии значительно ниже, чем в сегнетоэлектри-ческом состоянии; в широкомспектре частот tgб у керамики ВК-7 почти на порядок ниже, чем у титаната барияи других сегнетокерамических материалов, предназначенных для изготовленияварикондов. На рис.1.10 сопоставлены частотные зависимости tgб титаната бария иматериала ВК-7, измеренные в слабом поле (заштрихованные области показываютвозможный разброс значений tgб для этих материалов.
/>
Для лучших образцов керамики ВК-7 tgб имеет следующиезначения.Частота, гц 103 106 107 108 109 1010 tgб 10·10-4 5·10-4 8·10-4 20·10-4 80·10-4 0,03—0,05
Сочетание достаточно низких потерь ВК-7 в области частотот мегагерц до СВЧ и хорошей управляемости диэлектрической проницаемости K‗≥2позволяет рекомендовать вариконды из материала ВК-7 для применения в областичастот от единиц до тысяч мегагерц.
Параметры варикондов из материала ВК-7 достаточно сильноменяются при изменении температуры. При нагревании образцов от комнатнойтемпературы в сторону высоких значений уменьшается ε, tgб и коэффициентуправляемости, это является одним из наиболее серьезных недостатков материалаВК-7. Поэтому в практических схемах образцы должны быть термостатиро-ваны.
В случае создания планарных конструкций варикондовтемпературная зависимость ε существенно снижается, а управляемостьсохраняется.
Из материала ВК-7 изготовляются как дисковые, так ипленочные вариконды. В случае дисков толщиной 0,3—0,5 мм емкость можетсоставлять от нескольких десятков до нескольких тысяч пикофарад. Для пленокуправляющие напряжения могут быть небольшими.
Начато изготовление пленок ВК-7 толщиной 200— 100 мкм именьше. Свойства пленок соответствуют свойствам объемных образцов.
Под руководством О.Г.Вендика на основе варикон-да ВК-7разработана конструкция параметрического усилителя и впервые получено усилениена СВЧ.
Все рассмотренные здесь материалы являются хорошимидиэлектриками (у стандартных образцов при 100°С рv≥1012 ом·см) исохраняют высокие нелинейные свойства в широком интервале температур — от точкиКюри до глубоких отрицательных значений (измерения проводились вплоть до—170°С). Их параметры изучаются в различных условиях в зависимости оттребований рабочей схемы. Например, для оценки нелинейности свойств варикондовиз материалов ВК-1, ВК-2 помимо зависимости ε от E~ рассматривают формунапряжения или тока в простейшей цепи, содержащей нелинейный элемент.напряжения имеет вид пиков, при емкостном сопротивлений— вид колокола (рис.1.11).
/>
1.2 Частотные характеристики
Исследование варикондов в широком спектре частот, отнизких до СВЧ, в слабых полях позволило установить, что все типы варикондов изматериалов ВК-1 ВК-4, так же как и титанат бария, в сегнетоэлектриче-скомсостоянии имеют диэлектрическую дисперсию в диапазоне СВЧ: величина снижается,a tg6 возрастает. В параэлектрической фазе при значительном удалении от точкиКюри СВЧ дисперсия отсутствует. В области фазового перехода дисперсияпроявляется по-разному для разных составов керамики, в зависимости от степениразмытия фазового перехода. Для материалов с острым фазовым переходом выше точкиКюри дисперсия е не наблюдается. Исследования были проведены до 37 Ггц. Дляматериалов с размытым фазовым переходом дисперсия заметна в параэлектрическойфазе: для керамики ВК-2 в температурном интервале до 20°С, а для керамики ВК-3—до 100°С от точки Кюри.
При повышении частоты от низких значений техническойчастоты до радиочастот 107—108 гц наблюдается незначительное и плавноеуменьшение е сегнетокерами-ки; заметная дисперсия ε наступает в диапознечастот 108—1010 гц, диэлектрическая проницаемость снижается в 2—2,5 раза приизменении частоты от 1 Мгц до 9,4 Ггц. Величина tgб при изменении частоты отпромышленной до 105—106 гц снижается незначительно, а при более высокой частотерезко возрастает; tgб при частоте 9,4 Ггц более чем на порядок превышает своезначение при частоте 1 Мгц. В работе при частоте 40 Ггц было обнаруженоснижение tgб керамического ВаТiO3, некоторых типов варикондов исегнетоэлектриков. Этот экспериментальный результат является весьма важным, наоснове его могут быть рассмотрены новые применения сегнетоэлектриков на миллиметровыхволнах. Дальнейшими исследованиями должны быть установлены области частот, прикоторых возможно снижение tg6 и сохранение управляемости ε.
На рис.18, а приведены зависимости диэлектрическойпроницаемости и tgб от частоты для ВаТiO3, ВК-2 и ВК-4, измеренные в слабомтюле. В качестве примера для материала ВК-2 показано влияние постоянного смещающегополя на величину в в широком спектре частот (рис. 18,6). Если при низких ирадиочастотах наложение смещающего поля Е‗=2кв/мм может вызвать изменениедиэлектрической проницаемости в 2—2,5 раза, то при частоте 1010 гц этоизменение становится меньше, однако управляемость е все еще сохраняется. Другиенелинейные материалы также обладают высокими коэффициентами управления вплотьдо сантиметрового диапазона волн. Особенно сильно проявляется изменение е отвеличины постоянного поля для керамики ВК-3. При комнатной температуре еизменяется от 8000 до 1500 при 106 гц и от 4000 до 1500 при 1010 гц, если постоянноеполе возрастает от нуля до 2 кв/мм.
И.В.Ивановым проведено измерение динамическойнелинейности сегнетокерамики в полях СВЧ. Им показана возможность удвоениячастоты с помощью варикондов от 500 до 1000 гц. Динамическая нелинейностьобнаружена как в пара-, так и в сегнетоэлектрической фазе; максимальноезначение коэффициента динамической нелинейности, так же как и статической(реверсивной), наблюдается при температуре Кюри .
Начаты исследования варикондов в сильных полях привысоких и сверхвысоких частотах. Поскольку в сильных полях поляризация связанас переориентацией доменов, имеется резко выраженная зависимость ε и tgб отчастоты. При увеличении переменного поля в керамике ВК-2 е от начального домаксимального значения возрастает в 30 раз при частоте 50 гц, и в 15 раз причастоте 0,3 Мгц, εнач в этом интервале частот практически не изменяется.Несмотря на значительное снижение смаке при увеличении частоты, нелинейныесвойства материала проявляются вплоть до СВЧ.
/>
Для практических целей важно знать характеристикиварикондов при одновременном воздействии двух или нескольких напряжений,отличающихся по амплитуде, частоте и форме. Помимо хорошо изученных реверсивныхзависимостей, когда к вариконду прикладывается постоянное и переменноенапряжение, исследуются свойства варикондов при воздействии нескольких синусоидальныхнапряжений, отличающихся то частоте и амплитуде, в том числе при использованиивысокочастотной подкачки. Такие исследования чаще всего проводятся по специальноразработанной методике в схемах, где вари-конд служит активным управляемымэлементом.
Совокупность электрических характеристик варикондовопределяет выбор оптимальных режимов их практического использования.
1.3 Конструкции варикондов
Наиболее распространенной конструкцией варикондовявляется дисковая с диаметром от I до 25 мм и толщиной 0,4—0,8 мм; для малых номинальных значений емкости варикопды делаются в виде шарика, для средних—ввиде диска, для больших — в виде блока, состоящего из нескольких параллельновключенных дисков.
При изготовлении варикондоп из материалов ВК-1÷БК-7в виде дисков получают значения номинальной емкости в следующих пределах:
ВК-1…….10 пф— 0,15 мкф
ВК-2…….10 пф— 0,22 мкф
ВК-3…….100 пф—1,0 мкф
ВК-4…….10 пф— 0,1 мкф
ВК-5…….10 пф— 0,01мкф
ВК-6…….10— 1000 пф
ВК-7…….1— 1000 пф
Из материалов ВК-2 и ВК-4 вариконды изготовляются всерийном производстве по техническим условиям УБО.460.038ТУ, из материаловВК-З, ВК-5, ВК-6, ВК-7— в условиях опытного производства.
По конструктивному оформлению вариконды из ВК-2 и ВК-4 неотличаются друг от друга; из материала ВК-2 изготовляется 9 видов варикондов, аиз ВК-4 — семь. Для варикондов, обозначенных ВК2-ЗШ и ВК2-БШ, используетсятолько материал ВК-2. В табл.1.1 приведены вид, номинальная емкость, форма иразмеры варикондов, изготовляемых в серийном производстве из материалов ВК-2 иВК-4.Сокращенное наименование вида вариконда складывается из сокращенного слова«вариконд» (ВК), цифры, обозначающей тип массы (2 или 4) с температурой Кюри+75±10°С и 110±10°С соответственно, и цифры (или буквы), указывающей типвариконда.
Таблица 1.1
/>
Вариконды ВК2-М и ВК4-М являются малогабаритными; ониоформляются в виде шарика диаметром 1,5— 2 мм; изделия изготовляются на два номинальных значения емкости — 10 и 22 пф. Вариконды ВК2-ЗШ и ВК2-БШ предназначеныдля использования в качестве шунтов индуктивности. По размерам и номинальнымзначениям емкости вариконды ВК2-ЗШ соответствуют варикондам ВК2-3, а варикондыВК2-БШ — варикондам ВК2-Б и отличаются от них только тем, что имеют две парывыводов от каждой металлической обкладки. Вариконды остальных видов имеют формудисков диаметром от 4 до 25 мм.
Коэффициент нелинейности варикондов по напряжениюпеременного тока K~= Смакс/Снач не менее 7 для ВК2-Б, ВК2-БШ и ВК4-Б и не менее8 — для всех остальных видов варикондов.
Интервал рабочих температур для варикондов из материаловВК-2 от —40 до +60° С; ВК-4 от —40 до + 85°С при относительной влажностивоздуха до 98%.
Сопротивление изоляции в нормальных условиях для серииварикондов от ВК2-0 и ВК4-0 до ВК2-4 и ВК4-4 не менее 5 000 Мом и для ВК2-М,ВК4-М, ВК2-ЗШ, ВК2-Б, ВК2-БШ и ВК4-Б не менее 500 Мом.
Все типы варикондов выдерживают без повреждения, пробоя иповерхностного разряда кратковременное воздействие постоянного испытательногонапряжения 400 в и длительное воздействие напряжения 160 в при частоте 1 000гц, рабочее напряжение 100 в для варикондов ВК-2 и 160 в для варикондов ВК-4. Втабл.1.2 приведены основные характеристики варикондов ВК-2 и ВК-4.
Таблица 1.2
/>
Номинальная емкость у всех видов варикондов, кромеблоков, измеряется при напряжении 2 в и частоте 1 000 гц; а у варикондов-блоков— при напряжении 5 в и частоте 50 гц. Допустимое отклонение емкости от номиналасоставляет от —20 до +50%. При дополнительной отбраковке допуски могут бытьснижены.
Для предохранения поверхности варикондов от загрязненияпоследние покрываются защитным лаком или компаундом красного цвета. Отдельныетипы варикондов, как, например, вариконд ВК2-М, ВК4-М, покрываются эпоксиднойсмолой белого цвета.
При увеличении напряжения емкость варикондов возрастает.ак для материала ВК-2 при напряжении Uмакc=60÷100 в и ВК-4 принапряжении 80—120 в она достигает максимального значения, которое в 8— 10 разпревышает номинальное значение.
Кроме таких варикондов разрабатываются и другие виды наболее высокое рабочее напряжение, более резкую зависимость емкости отнапряжения, а также с повышенной температурной стабильностью характеристик.
2. Изготовление керамических конденсаторов
2.1 Изготовление конденсаторных элементов
Технология изготовления может иметь определенные отличияпри получении дисковых или пластинчатых плоских, трубчатых, многослойныхкерамических конденсаторов, крупных конденсаторов высокого напряжения и т.п… Втабл.2.1 приведены составы шихты, предназначенной для изготовления керамическихконденсаторов с высокой εs. Если использовать эти материалы, то, очевидно,исключается операция составления шихты.
Таблица 2.1. Составы шихтыдля керамических конденсаторов с высокой диэлектрической проницаемостью
/>
/>Трубчатые малогабаритные керамическиеконденсаторы обычно имеют толщину стенки 0,2—0,5 мм, поэтому формование сухимспособом затруднительно, и обычно их изготовляют протяжкой мокрым способом. Приизготовлении изоляторных трубок из обычной керамики исходные компонентысодержат определенное количество глинистых материалов и поэтому для приданияпластичности достаточно лишь добавить соответствующее количество воды. Крометого, толщина стенок у изоляторных трубок больше, что также облегчает протяжку.В случае же керамических диэлектриков исходные компоненты сами по себе абсолютноне пластичны, поэтому в них вводят 7—10 масс. % связки. В качестве связкииспользуют клейстер из пшеничной муки, сахар и другие материалы, их необходимотщательно смешать с исходными компонентами, так как плохое смешиваниестановится причиной образования пор типа булавочных уколов. Кроме того, в связис попаданием в смесь пузырьков воздуха для их удаления желательно использовать вакуумнуюмассомялку, позволяющую при том же количестве связки получать более высокуюпластичность. Из трубчатого мундштука масса выдавливается так же, как приизготовлении макарон. В мундштуке создается довольно значительное трение,поэтому со временем стенки трубки возрастает. Это оказывает влияние на емкостьконденсатора. Полученные протяжкой трубки содержат определенное количествосвязки и воды, поэтому необходима медленная сушка. Интенсивная сушка приводит кискривлению трубок, образованию трещин. По прошествии определенного времениразрезают в соответствии с заданными размерами. Затем тщательно высушивают,помещают в капсели и обжигают. При изготовлении трубок таким способом необходимоуделять бое внимание процессам сушки и удаления связки, поскольку количествосвязки в данном случае значительно больше, чем при изготовлении дисков ипластин сухим способом.
Кроме того, иногда удобно пластины толщиной 0,2 мм именьше (в обожженном виде) формовать рассмотренным выше способом тяжки, а дляпридания желаемой формы (пластины или диска) использовать метод штамповки.
2.2 Электроды для конденсаторов
В качестве электродов для керамических конденсаторов,начиная с того времени, когда подобные конденсаторы получили практическиеприменение большей частью используют серебро, наносимое методом вжигания. ВЕвропу эта техника возможно попала из Японии, где она издревле применяется длядекодирования бытовой керамики. Этот традиционно применяемый способ вжиганиясеребра, под каким бы углом зрения его ни рассматривать, несомненно, остаетсяодним из лучших, которому и сегодня, кажется, не видно замены. В последнеевремя в отдельных случаях пытаются использовать безэлектролизное гальваническоепокрытие и другие способы, однако это, скорее, имеет целые понизить стоимость.Что же касается характеристик, то метод вжигания серебра не имеет себе равных.Кроме того, многие также считают хорошим метод напыления, однако ни по адгезии,ни по электрическим характеристикам электродов с методом вжигания серебрасопоставит, его нельзя. В последнее время также получили практическоеприменение многослойные конденсаторы, у которых электроды из драгоценныхматериалов, например из платины создаются между слоями керамики во времяспекания. Для проведения вжигания серебра черный порошок окиси серебра (Ag2O)смешивают с 5—10 масс. % стеклянного порошка, называемого фриттой и содержащегоборосиликат свинца, замешивают в связке, основными компонентами которой могутбыть растворитель, смола, масло, и наносят на поверхность; при этомконсистенция полученной пасты должна позволять мазать ее, как тушь. В массовомпроизводстве для нанесения электродов на керамику используют технику печати.Если после нанесения пасты керамику нагреть до 500—800°С, то органическиематериалы разложатся и улетучатся, окись серебра восстановится и образует зернасеребра, фритта расплавится, создав плотное соединение зерен серебра споверхностью керамики. Возможности конденсаторов в очень большой степени зависятот техники нанесения электродов. Иногда характеристики диэлектриковопределяются характеристиками электродов.
Таблица 2.2. Составы фритт, %
/>
В табл.2.2 приведены несколько составов фритт. Дляизготовления фритты такие смеси загружают в керамические тигли, нагревают,полностью расплавляют, затем расплав охлаждают, выливая его из тигля вводу,полученный продукт измельчают в ступке. Помимо окиси серебра, иногдапримешивают немного металлического или коллоидного серебра. Кроме того, нужнотщательно следить, чтобы в серебре не было хлористого серебра (AgCl) и натрия,так как эти материалы оказывают отрицательное влияние на влагостойкостьконденсаторов.
/>
При малом количестве образцов для экспериментовсеребряную пасту можно наносить кисточкой, а при массовом производствеиспользуют метод печати через трафарет и метод пульверизации. Если при вжиганиисеребра в период разложения органических материалов резко повышать температуру,то это окажет отрицательное влияние, в частности, на tg6 конденсаторов, чтообъясняется эффектом восстановления в процессе вжигания. На рис.2.1 показанпример режима подъема температуры при вжигании серебра.
В последнее время серебряная паста, а также проводящаяпаста из драгоценных металлов (Au, Pt, Pd), применяемых для многослойныхконденсаторов, появились в продаже.
При слишком малой толщине электродов емкость конденсаторападает. Данное явление, очевидно, вызвано неровностями поверхностикерамического диэлектрика, а также неодинаковым ее состоянием. В случаекерамических конденсаторов на основе TiO2 это явление наблюдалось при толщинесеребра менее 0,03 мкм и толщине алюминия менее 0,1 мкм. Эта разница,определяемая металлом, также, очевидно, может колебаться в зависимости оттрудности напыления и умения пользоваться техникой, но, несомненно, следующее:если толщина электродов меньше некоторого предела, определяемого состояниемповерхности керамики и условиями напыления, то емкость снизится.
3. Основные применения
3.1 Возможные применения импульсных схем, управляемых спомощью варикондов
Применение варикондов для управления параметрамихронирующих цепей в импульсных схемах позволяет более полно использоватьпотенциальные возможности схем по расширению диапазона управления и увеличениючувствительности к управляющему напряжению. В результате применения варикондовхарактеристики схем приобретают реверсивные свойства и допускаетсятелеметрическое и безваттное управление параметрами импульсов по различнымзаконам во времени.
Особенно эффективны схемы с двойным управлением (итройной регулировкой). В связи с этими преимуществами становятся возможными инекоторые новые применения импульсных схем.
Электронные схемы задержки импульсов типа спусковых схеми фантастропных генераторов могут быть использованы, например, в качестве:
1)преобразователей постоянного или медленно изменяющегосянапряжения в импульсное, длительность импульсов которого соответствует заданнымуровням напряжения. При этом чувствительность преобразования может достигатьвеличины SU = 80÷2700 мксек/в;
2) приборов для непосредственного измерения, сравненияили отбраковки нелинейных емкостей по реверсивным характеристикам методомэквивалентной задержки;
3)приборов для осциллографического наблюдения,исследования, измерения нестабильности пли пределов изменения постоянного плимедленно изменяющегося напряжения методом эквивалентной задержки и модуляциидлительности импульсов, т.е. в качестве высокочувствительных малогабаритныхдатчиков систем допускового контроля;
4)схем функциональной задержки «с реверсом» послемаксимума по закону, близкому к линейному, экспоненциальному илипараболическому, в зависимости от выбранного участка характеристики вариконда ит. д.
Импульсные генераторы, хронирующие цепи которыхуправляются с помощью варикондов, могут найти применение в качестве:
а)делителей частоты следования импульсов с переменнымкоэффициентом деления, управляемым по любому закону во времени;
б)чувствительных преобразователей времени в схемахшифраторов при импульсно-кодовой модуляции и схемах цифровых преобразователейвремени счетных машин и, очевидно, во многих других случаях.
Простейшие цепи rCв типа дифференцирующих, интегрирующихи переходных при включении вместо линейной емкости варикондов, управляемых позаданному закону электрическим напряжением смещения, могут найти повое иширокое применение в астатических следящих системах каналов управления и вразличных цепях обратной связи, где требуется изменение постоянной временицепей в ходе слежения, или там, где необходимы управляемые коэффициентыпередачи звеньев в цепях обратной связи, в каналах следящих систем и т. л.
Следует отметить, что исследование свойств иразнообразных применений варикондов подтверждает перспективность ихиспользования в различной электрорадиотехнической аппаратуре, в том числе и вимпульсных схемах. При этом несомненными оказываются возможности получениякачественно новых характеристик в схемах с варикондами, как в ламповом, так и вполупроводниковом исполнении.
3.2 Возможности построения кодирующих устройств —шифраторов
В современных импульсных шифраторах, использующихкодово-импульсную модуляцию с квантованием, преобразование мгновенных значений(уровней) напряжения, несущего информацию, или модулирующего напряжения внеобходимый набор импульсов (код) осуществляется весьма сложными электроннымисхемами.
Для кодирования способам время-импульной модуляциитребуются: делителе частоты следования импульсов, линии задержки, селекторныекаскады совпадения, суммирующие усилители и нормирующие каскады, как правило,по числу n-значности кода, двоичного в простейшем случае. В таких шифраторахсмена кода осуществляется механическим переключением ячеек линий задержки.
Для кодирования способом число-импульсной модуляцииприменяют преобразователи времени, основанные на методе сравнения напряжениявходного сигнала, несущего информацию, c опорным. Обычно опорное напряжениевырабатывается фантастронными схемами, а сравнение выполняется на специальныхсхемах сравнения уровней — временных модуляторах. В состав таких шифратороввходят генераторы измерительного (опорного) напряжения, схемы сравнения,вентили, каскады совпадения, вспомогательный и основной счетчики импульсов,преобразующие ряды импульсов в двоичный код.
Используя свойство варикондов изменять диэлектрическуюпроницаемость ε, а значит, и емкость Cв под действием внешнегоэлектрического поля, можно предложить новый способ преобразования непрерывногосигнала Uвх (t) в группы импульсов, параметры которых будут однозначносоответствовать мгновенным уровням входного сигнала.
Ступень квантования в таком преобразователе будетопределяться чувствительностью схемы к управляющему напряжению сигнала, т.е.крутизной характеристики преобразования и стабильностью работы устройства.
Высокая управляемость импульсных реверсивныххарактеристик варикондов и пленочном исполнении обеспечивает большуючувствительность схем с варикондами» к управляющему напряжению вместе свозможностью управления емкостью Cв = f(Uв) по любому закону во времени.
Например, если на вариконд, включенный в схемублокинг-генератора (или в спусковую схему), подавать дополнительно кпостоянному напряжению смещения управляющее напряжение, переменное во времени,то можно получить модуляцию длительности импульсов или периода их следования позакону изменения емкости вариконда, определяемому характеристикой Cв = f(Uв)для данного действующего напряжения. Схема (рис.3.1) позволяет получитьмодуляцию импульсов спусковой схемы по длительности п соответствии суправляющим пилообразным напряжением, подаваемым на вариконд (в точку а схемы рис.3.1)от фантастронного генератора. В зависимости от величины начального постоянногосмещения на вариконде, определяющего выбор рабочей точки на восходящей илинисходящей ветви характеристики tи=f(Eсм) можно получить нарастающую илиубывающую по длительности серию импульсов спусковой схемы.
/>
На рис.3.2, а показана осциллограмма напряжения (Ua2) навтором аноде лампы спусковой схемы рис.3.1, полученная при линейно изменяющемсяуправляющем напряжении Uy =–Kt. Вид модуляции, таким образом, определяетсяположением начальной рабочей точки на характеристике управления tи = f(Eсм),формой и полярностью переменного во времени управляющего напряжения Uy (t).
/>
Если па входы селектора подать модулированные подлительности импульсы спусковой схемы (рис.3.2, а) и заполняющие импульсыосновной частоты v3, кратные частоте запуска спусковой схемы и фантастрона v1=(1/n)v3,то на выходе селектора можно получись комбинации числа импульсов,соответствующие амплитуде, закону изменения управляющего напряжения и величинесмещения на вариконде (рис.3.2,6).
Осциллограммы (рис.3.2) приведены для v1 = 500 гц, v3 = 4кгц и амплитуды пилообразного напряжения фантастропа Uр макс = 40 в при tи =5000 мксек.
Вариант схемы шифратора с селектором изображен нарис.3.3. Он является простейшим и составлен специально для примера изфантастрона и спусковой схемы. Несмотря на крайнюю простоту такого шифратора сварикондами, с его помощью можно получить весьма сложные и многочисленные комбинациикодов.
Опорный ряд импульсов частоты повторения vs поступает наодин вход селектора, управляемого импульсами спусковой схемы с частотойследования
v1=(1/n)v3.
Фантастрон работает в режиме деления частоты так, что
v2=(1/m)v1
где n>m — целые числа. Закон изменения числа импульсовв каждой кодовой группе (рис.3.2, б) обеспечивается пилообразным напряжениемфантастрона и величиной Eсм на вариконде спусковой схемы (рис.3.1), изменяемойпотенциометром rп1.
Длительность пилообразного импульса около 5000 мксек. Навыходе спусковой схемы с варикондом длительность прямоугольных импульсов ипериод их следования изменяются во времени, как показано на рис.3.2, а.
/>
При увеличении напряжения смещения Есм2 длительностьимпульсов спусковой схемы и их число за время действия модулирующего напряженияизменяются. Кроме того, с переходом после максимума на реверсивный участокхарактеристики управления изменяется и закон модуляции импульсов. Из спадающегопо длительности ряд импульсов становится спадающе-нарастающим и, наконец,нарастающим по длительности.
Управляя напряжением смещения, амплитудой модулирующегонапряжения и законом его изменения, можно получать различные комбинации группимпульсов с пилообразным, синусоидальным, экспоненциальным, ступенчатым и т.п.законами изменения длительностей импульсов в группе при односторонней илидвусторонней модуляции.
Использовав импульсы спусковой схемы в качествестробирующих для селектора, на выходе селекторного каскада получим кодовыекомбинации нормированных по длительности импульсов. Число импульсов в кодовой
группе определяется длительностью соответствующегоимпульса спусковой схемы и изменяется в пределах кодовой пачки по законумодуляции длительности стробирующих импульсов во времени (рис.3.2, б).
На этом принципе можно построить различные вариантышифраторов, у которых управление параметрами кодовых групп будет выполнятьсяраздельно или одновременно:
— по числу импульсов в кодовой группе nгр;
— по числу групп импульсов в пачке кода Nгр;
— по периоду следования кодовых групп в пределах пачкиTгр;
— по периоду следования импульсов кода в группе Tи;
— по закону изменения указанных параметров кода вовремени от пачки к пачке Uy (t).
Так, например, вместо пилообразного напряженияфантастрона в схеме (рис.3.3) можно использовать синусоидальное напряжениеуправляемой частоты и амплитуды.
Если перед селектором поставить еще и блокинг-генератор сварикондом, управляемый тем же (или другим) модулирующим напряжением, то будетизменяться частота следования импульсов в кодовой группе. Можно в фантастронвключить вариконд по схеме с двойным управлением (рис.3.4) и изменятьдополнительно период следования пачек кодовых групп по нужному закону вовремени и т.д.
/>
Таким образом, предлагаемый способ электрическогоуправления параметрами импульсного кода при весьма простом схемномосуществлении может обеспечить независимое или согласованное одновременноеизменение по крайней мере четырех параметров последовательности импульсов.Описанный выше вариант шифратора является простейшим.
Источник анодного напряжения Eа=+300 в имел ионнуюстабилизацию. При замене генератора, обеспечивающего частоту v3 = 4 кгц,калибратором дистанций 27-И частота v3 была равна 15 кгц, причем шифраторработал так же стабильно, как при v3 = 4 кгц.
Разрешающая способность шифратора по схеме рис.3.3достаточно высокая и может характеризоваться величиной ступеньки квантованияпорядка 0,36—3 в в зависимости от величины постоянного смещения навариконде, определяющего чувствительность схемы с варикондом БК4—524пф.Потенциальная величина разрешающей способности схемы кодирования, очевидно,будет определяться чувствительностью схемы временного преобразователя (в данномслучае спусковой схемы с варикондом) к управляющему напряжению и стабильностьюработы схемы.
В зависимости от конкретных технических условий можетбыть составлена соответствующая схема шифратора, обеспечивающая управлениенеобходимыми параметрами кодовых групп.
Исследование принципов построения кодирующих устройств суправляемыми параметрами, рассмотрение количественных характеристик возможныхкомбинаций кодов и анализ статистических данных шифраторов ограничивает кругвопросов, представляющих самостоятельную тему, несомненно актуальную дляпрактического применения в различных устройствах телеметрической и связнойаппаратуры.
В качестве некоторых возможных применений такого способакодирования можно указать следующие:
1)для использования в системах опознавания сдистанционным управлением кодом;
2)для кодированной передачи уровней напряжения, несущегоинформацию;
3)для телеметрического управления;
4)для радиотелеграфной и импульсно-телеграфной связи;
5)для цифровых вольтметров и т. п.
Спусковая схема или другая схема, управляемая черезвариконд, выполняющая роль преобразователя «напряжение—время», можетиспользоваться в цифровых счетных машинах в качестве преобразователя времени.Для этого выход селектора нужно подключить к обычному регистру или триггерномусчетчику на необходимое число разрядов двоичного кода. В этом случае код навыходе селектора будет состоять из одной группы импульсов с периодом повторенияTи2= l/v2, число импульсов в которой будет пропорционально амплитудеуправляющего напряжения на вариконде, а на выходе счетчика это число будетзакодировано двоичным кодом. Модулятор (фантастрон) при этом не нужен.
Вывод
Одним из перспективных направлений развития импульснойтехники является использование новых, преимущественно нелинейных,радиотехнических приборов и материалов, позволяющих разрабатывать импульсныесхемы и устройства, основанные на ранее неизвестных эффектах, обеспечивающихполучение принципиально отличных способов управления параметрами импульсов иболее эффективных количественных характеристик импульсных схем.
Вариконды как нелинейные емкости, созданы на основесегнетокерамики. Они являются представителями новых радиотехнических приборов,а их применение в качестве электрически управляемых безынерционныхчувствительных элементов импульсных устройств до сих пор исследованонедостаточно и весьма слабо освещено в технической литературе.
Широкое внедрение импульсных методов и устройств врадиолокацию, телемеханику, автоматику, вычислительную технику, аппаратурусистем автоконтроля и автоматического управления делает весьма актуальнойпроблему эффективного и быстрого использования новых технических возможностей,предоставляемых вариконда ми для электрического управления характеристикамиимпульсных схем в ламповом, транзисторном и микромодульном исполнении.
Применение варикондов в качестве электрически управляемыхчувствительных элементов импульсных схем позволяет:
а)получать качественно и количественно новые характеристикиуправления схемами, недостижимые в этих схемах с линейными конденсаторами;
б)увеличить чувствительность и диапазон управленияпараметрами импульсов в десятки раз при реверсивных (если необходимо) свойстваххарактеристик управления;
в)осуществлять автоматическое управление такими параметрамиимпульсов и схем, как длительность, период следования, коэффициент делениячастоты, коэффициент пересчета и др.;
г)полностью использовать потенциальные возможности схемпутем осуществления «двойного», «тройного» управления и т. д.
До настоящего времени наиболее существенными недостаткамиимпульсных устройств, ограничивающими возможности применения импульсныхгенераторов, являются трудности в обеспечении высокой временной стабильностипараметров импульсов и недостаточно широкий диапазон плавного управления ими подлительности и по амплитуде.
Литературa
1. Вариконды в электронных импульсных схемах. Под ред. В.Ю.Булыбенко.Издательство «Советское радио», 1971г.
2. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Ю.В.Корицкого,В.В.Пасынкова, Б.М.Тареева – Т.3. Энергоатомиздат, 1988г.
3. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков, Энергия, Москва,1976г.
4. Вариконды ВК-2, ВК-4: www.155la3.ru/varikond.htm