| следующая статья ==>
Развитие микроэлектроники поставило задачу исследования поверхности материалов с высокой точностью. Одним из применяемых для этих методов является оже-спектроскопия, (Pier Victor Auger Пьер Виктор Оже, французский физик) основанная на облучении исследуемой поверхности медленными электронами. Медленные электроны в силу малости кинетической энергии проникают лишь в самые верхние слои кристалла и очень эффективно взаимодействуют с атомами кристалла, а также с адсорбированными на поверхности кристалла атомами газов.
Оже-эффект заключается в заполнении электроном вакансии, образованной на одном из атомных уровней, с передачей безызлучательным путём выделенной при этом энергии электрону другого вышележащего уровня и переводом его в возбуждённое состояние. Если переданная энергия достаточна, возбуждённый электрон покидает атом, и вместо одной первичной вакансии возникают две новые вакансии на более высоких уровнях.
Обычно оже-электроны экспериментально наблюдают в виде потоков электронов с определёнными энергиями, не зависящими от энергии возбуждающих частиц (фотонов, электронов), создающих первичные вакансии. Энергия оже-электронов определяется природой испускающих их атомов и их химическим окружением, что позволяет получать информацию об атомах и их химическом состоянии. Наибольшее применение оже-спектроскопия получила для элементарного анализаприповерхностного слоя твёрдого тела в несколько атомных слоёв. Чувствительность данного метода порядка .
Возможно объединение метода оже-спектроскопия с дифракцией медленных электронов, что даёт возможность не только исследовать элементный состав приповерхностных слоёв монокристаллических образцов, но и получать информацию об их структуре. Дифракция медленных электронов даёт сведения о структуре двумерной решётки как атомов самого кристалла у его поверхности, так и адсорбированных кристаллом атомов газов.
| следующая статья ==>