| следующая статья ==>
Пленки ДУ ЛЦУ обладают очень сильной анизотропией электрофизических свойств, являясь при толщинах, удовлетворяющих критерию < 100 нм сверхпроводниками в нормальном к плоскости пленки направлении. При этом вдоль цепочки электроны движутся без потерь энергии, как в вакууме.
Поэтому возникает идея вернуться при переходе в процессе дальнейшей миниатюризации элементной базы наноэлектроники к принципам вакуумной электроники, но на твердотельных структурах, где роль вакуума будет играть пленка ЛЦУ. При этом помимо ожидаемого уменьшения планарных размеров элементов наноэлектроники до значений < 10 нм является вертикальная компоновка пленочных структур типа МОП (МДП), более удобной и эффективной может оказаться планарно-вертикальная компоновка элементов микросхем, когда последовательное их соединение осуществляется путем напыления «слоеного пирога» из пленочных структур в едином технологическом цикле. При этом возможно уменьшение потерь энергии в контактах и соединительных проводниках, а также увеличение быстродействия.
Можно использовать пленки ДУ ЛЦУ и в обычных диссипативных системах пленочной наноэлектроники, заменяя ими кремниевые элементы. При этом используют легированные пленки
ДУ ЛЦУ, которые приобретают свойства р- и п-полупроводников. При этом полностью сохраняется вся технологическая цепочка традиционной микроэлектроники, однако производство углеродных материалов должно быть существенно дешевле.
| следующая статья ==>