| Автор: | Рогальский А. ( Рогальский Антоний) |
|---|---|
| Ответственность: | Пер. с англ. под ред. А.В. Войцеховского; Рец.: А.П. Коханенко, Н.С. Несмелов, В.Н. Овсюк; СО РАН; Ин-т физики полупроводников, МО РФ; ТомГУ |
| Место издания: | Новосибирск |
| Издательство: | Наука |
| Год издания: | 2003 |
| Количество страниц: | 636 с. |
| Библиография: | Заключ.: с. 621-625.-Библиогр.: с. 626-628 и в кон |
| Авторский знак: | Р 59 |
| Тип документа: | Монографии |
| Тип содержания: | Научные издания |
| Илл./тип воспроизв.: | ил., табл. |